Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

AFM/STM Modification of Thin Sb Films on 6H-SiC(0001)

Tytuł:
AFM/STM Modification of Thin Sb Films on 6H-SiC(0001)
Autorzy:
Mazur, P.
Zuber, S.
Grodzicki, M.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195467.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
68.37.Ps
68.37.Ef
68.37.-d
81.10.Bk
81.07.-b
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1131-1133
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy have been used for nanometer scale modifications of Sb films deposited on 6H-SiC(0001) surface. The films are grown in situ by vapor deposition under ultrahigh vacuum. The growth follows the Volmer-Weber mode. Ultrathin (up to 3 nm on average) Sb films which consist of no coalesced islands can be modified by moving the island over the substrate surface by the AFM tip. Thicker films, which are firmer due to the coalescence, can be modified by the field and/or current produced by STM tip. Final result of the modifications is adsorbate free 6H-SiC(0001) surface restitution over the modified area.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies