Autor: Bugajski, J - Katalog OPAC zbiorów

Tytuł:: Concentrations of organic and biogenic pollutants in domestic wastewater after mechanical treatment in the aspect of biological reactor design
Autorzy:: Bugajski, P.
Pawełek, J.
Kurek, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/101123.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Infrastruktura i Ekologia Terenów Wiejskich PAN
Tematy:: wastewater
organic pollutants
biogenic pollutants
mechanical treatment
bioreactor design
Opis:: The aim of the study was to determine the value and concentration indicators of BOD5, COD and general nitrogen in domestic wastewater after mechanical treatment, which should be considered in the design of the activated sludge reactor. Ninety-nine samples of raw wastewater and after mechanical treatment were then collected and physicochemical analysis was carried out. The quantity of pollutants in the raw wastewater was verified to determine if this was domestic wastewater. The next stage of the analysis included the definition of the characteristic quantity of the analysed indicators in wastewater after mechanical treatment, which should be taken into account while calibrating computer programs supporting the design of biological reactor chambers. A detailed analysis led to the conclusion that mean values for BOD5 - 300 mgO2·dm-3, for COD - 500 mgO2·dm-3and for total nitrogen 50 mgN·dm-3 should be applied. The work also determined the susceptibility of wastewater after mechanical treatment to the decomposition of organic and biogenic compounds.
Źródło:: Infrastruktura i Ekologia Terenów Wiejskich; 2017, IV/3; 1811-1822
1732-5587
Pojawia się w:: Infrastruktura i Ekologia Terenów Wiejskich
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Analysis of the sewage system expandability in Mściwojów commune
Autorzy:: Bergel, T.
Bugajski, P.
Pawełek, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/100285.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Uniwersytet Rolniczy im. Hugona Kołłątaja w Krakowie
Tematy:: sewage system
expansion
sewage
kanalizacja
rozwój
ścieki
Opis:: The aim of the study is to analyze the hydraulic conditions of the existing sewage system and the sewage treatment plant in the commune of Mściwojów. This is in relation to the aspect of connecting new buildings, as a part of the investments in the pilot project VITAL LANDSCAPES no. 2CE164P3. The analysis led to the conclusion that an increased wastewater inflow from the new buildings is manageable. The current capacity of the sewage treatment plant will be increased by 3 to 5%, which will not affect the stability of the existing treatment process. The hydraulic analysis of the sewer network proved that the existing sewer collectors can handle the increased flow.
Źródło:: Geomatics, Landmanagement and Landscape; 2013, 2; 7-14
2300-1496
Pojawia się w:: Geomatics, Landmanagement and Landscape
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Water supply network expansion in the commune of Mściwojów as relates to the pilot project vital landscapes
Autorzy:: Bergel, T.
Bugajski, P.
Pawełek, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/100663.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Uniwersytet Rolniczy im. Hugona Kołłątaja w Krakowie
Tematy:: rural water supply
expansion
concept
zaopatrzenie wsi w wodę
rozwój
koncepcja
Opis:: This article presents the analysis of the water supply system expandability in the commune of Mściwojów. Such necessity of the expansion resulted from the locations of the new investments covered by the pilot program VITAL LANDSCAPES. Hydraulic calculations, covering two possible solutions, have proven that the existing water supply network is sufficient now and will be sufficient in the near future (after expansion), in supplying all the consumers with water.
Źródło:: Geomatics, Landmanagement and Landscape; 2013, 2; 15-24
2300-1496
Pojawia się w:: Geomatics, Landmanagement and Landscape
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Photoreflectance Studies of InGaAs/GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser Structures
Autorzy:: Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992051.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.66.Fd
78.20.-e
Opis:: We report on photoreflectance investigations of strained-layer In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs/Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As single quantum well laser structures grown by molecular beam epitaxy. All the observed photoreflectance spectral features were assigned to the e-hh transitions with Δn=0. The transition energies were determined and compared to their values calculated within the envelope function approximation. Assuming that one third of the total strain in the central In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As layer is relaxed by biaxial deformation of surrounding thin GaAs layers, it is possible to explain reasonably the results of our photoreflectance experiment.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 463-467
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Białka w moczu chorych z nowotworami pęcherza
Belki v moche bolnykh s opukholjami mochevogo puzyrja
Urinary proteins in patients with bladder tumours
Autorzy:: Lenko, J.
Bugajski, A.
Naskalski, J.W.
Pajdak, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2188311.pdf
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:: Diagnostyka Laboratoryjna; 1980, 16, 5; 337-345
0867-4043
Pojawia się w:: Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Monte Carlo Studies of Quantum Cascade Lasers
Autorzy:: Borowik, P.
Thobel, J.
Bugajski, M.
Adamowicz, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807675.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.10.-d
72.20.Jv
73.63.-b
78.67.-n
Opis:: Results of multi particle Monte Carlo studies of a mid-infrared QCL structure, for the first time fabricated by Page et al., are presented. It has been demonstrated that for the considered structure design at least 9 electron energy levels per laser segment should be used to correctly describe the electric current properties. Mechanisms responsible for electron population on higher laser level are discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-49-S-51
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: High Resistivity AlGaAs Grown by Low Temperature MBE
Autorzy:: Radomska, D.
Ratajczak, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992076.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.61.Ey
Opis:: Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As layers were grown by molecular beam epitaxy using substrate temperature 200-300°C, tetrameric As and two values of As/Ga+Al flux ratio i.e. 3 or 8. The post-growth annealing was performed in situ at 600°C for 20 min under As-overpressure. The samples were characterised by reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscope and room-temperature I-V measurements of n$\text{}^{+}$/LT grown layer /n$\text{}^{+}$ resistors. The resistivity and trap-filled limited voltage have been determined. The best layers exhibited ρ of the order of 10$\text{}^{9}$ Ω cm, were monocrystalline, uniformly precipitated and without dislocations.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 492-496
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Visible Light Emission from Porous Silicon
Autorzy:: Bugajski, M.
Wesołowski, M.
Lewandowski, W.
Ornoch, J.
Kątcki, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924257.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.65.-s
Opis:: The aim of this paper is the study of porous Si prepared by preferential anodic dissolution in concentrated HF acid solutions. Porous silicon layers exhibited extremely efficient luminescence in the 700-900 nm range at room temperature. Basic characteristics of this luminescence strongly suggest the intrinsic origin of the process, directly related to quantum confinement. The additional transmission-electron-microscopy and electron-diffraction studies - were performed to support hypothesis that luminescence originates from silicon nanostructures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 914-918
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Resonant Cavity Enhanced Photonic Devices
Autorzy:: Bugajski, M.
Muszalski, J.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Mroziewicz, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2030303.pdf
Data publikacji:: 2002-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Fs
78.66.Fd
78.55.-m
78.67.De
78.45.+h
78.47.+p
Opis:: In the present paper we review our recent works on technology, basic physics, and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As/GaAs planar microcavities with distributed Bragg reflectors. In general, observed trends are in agreement with theoretical predictions. We also demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes and optically pumped vertical cavity light emitting diodes developed recently at the Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 1; 105-118
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
Autorzy:: Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Łukowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.35.Be
78.67.De
42.55.Sa
42.55.Xi
Opis:: In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Analysis of Free-Space Optics Development
Autorzy:: Mikołajczyk, J.
Bielecki, Z.
Bugajski, M.
Piotrowski, J.
Wojtas, J.
Gawron, W.
Szabra, D.
Prokopiuk, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/221245.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: optical communications
open path laser communications
line of sight communications
free space optics
Opis:: The article presents state of work in technology of free-space optical communications (Free Space Optics - FSO). Both commercially available optical data links and their further development are described. The main elements and operation limiting factors of FSO systems have been identified. Additionally, analyses of FSO/RF hybrid systems application are included. The main aspects of LasBITer project related to such hybrid technology for security and defence applications are presented.
Źródło:: Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 653-674
0860-8229
Pojawia się w:: Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:: The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Ograniczenie strat energii w elektroenergetycznych sieciach przemysłowych w aspekcie pozyskiwania środków publicznych na ich modernizację („białe certyfikaty”)
Reduction of energy losses in power industrial networks with respect to raising public funds for their modernization (energy efficiency certificates)
Autorzy:: Wojtas, P.
Miedziński, B.
Kozłowski, A.
Wosik, J.
Bugajski, W.
Raczyński, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/186385.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technik Innowacyjnych EMAG
Tematy:: elektroenergetyczne sieci przemysłowe
modernizacja
straty energii
Białe Certyfikaty
power industrial networks
modernization
energy losses
energy efficiency certificates
Opis:: W artykule omówiono cele Unii Europejskiej i jej podejście do kwestii prowadzenia efektywniejszej gospodarki elektroenergetycznej. Przedstawiono podstawowe unijne akty prawne dotyczące poprawy efektywności energetycznej oraz ich krajową implementację. Ukazano sposób funkcjonowania „białych certyfikatów” w zakresie działań dotyczących poprawy efektywności gospodarki elektroenergetycznej oraz doświadczenia krajowe z pierwszej edycji przetargu na „białe certyfikaty”.
The article features the objectives of the European Union and its approach to the issue of more efficient power engineering economy. The basic UE legal regulations on the improvement of energy efficiency were presented, along with their implementation in Poland. The system of energy efficiency certificates was described in the range of operations aimed at better efficiency of the power engineering sector. Then Polish experiences from the first tenders for energy efficiency certificates were discussed.
Źródło:: Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa; 2014, R. 52, nr 6, 6; 12-17
0208-7448
Pojawia się w:: Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Opis:: Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
Autorzy:: Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Karbownik, P.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
81.15.Hi
85.60.-q
85.35.Be
73.63.-b
63.22.-m
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:: The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Inter-Island Energy Transfer in AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Godlewski, M.
Holz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952469.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.66.Fd
78.47.+p
73.20.Jc
Opis:: The results of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation and photoluminescence kinetics studies are presented for a Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/GaAs quantum well system grown without growth interruptions at the interfaces. The time-resolved photoluminescence measurements show drift of excitons towards lower energy states induced in a quantum well by potential fluctuations. We present also a first direct evidence for migration of free excitons from the 24 to 25 ML regions of the quantum well and interpret these results within a linear rate model, deriving the transition rate of 290 ps$\text{}^{-1}$. Such inter-island migration processes have been observed till now only in growth interrupted structures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1007-1011
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:: Bugajski, M.
Godlewski, M.
Regiński, K.
Holtz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1969046.pdf
Data publikacji:: 1998-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
73.20.Dx
Opis:: We have studied an enhancement of the oscillator strength for optical transitions near the Fermi energy in p-type modulation-doped quantum wells, which, so far, deserved much less attention than analogous n-type systems, because of the complicated valence band structure involved. The relatively wide (L=150 Å) quantum wells and high doping levels were used, containing more than one occupied subband. The enhancement in the photoluminescence intensity at the Fermi energy resulted from the strong correlation and multiple scattering of holes near the Fermi edge by the localized electrons.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 265-270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Influence of Growth Conditions on Exciton Properties in Thin Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:: Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Bugajski, M.
Regiński, K.
Kaniewska, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933743.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
73.20.Fz
71.35.+z
Opis:: Exciton properties in growth interrupted quantum wells of GaAs/AlGaAs are compared with those observed for structures grown without growth interruption during the molecular beam epitaxy process. We report observation of quasi-localized excitons in quantum well structures grown without growth interruptions. Quasi-localized excitons drift towards the states of a lower potential energy in the quantum well. For growth interrupted MBE structures islands with a constant quantum well thickness become large compared to the exciton radius. Free or lightly localized excitons are observed in that case.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 719-722
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
Autorzy:: Szerling, A.
Karbownik, P.
Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.60.-q
85.35.Be
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:: The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Correlations between organic pollution indicators in municipal wastewater
Korelacje pomiędzy wskaźnikami zanieczyszczeń organicznych w ściekach komunalnych
Autorzy:: Siwiec, T.
Reczek, L.
Michel, M. M.
Gut, B.
Hawer-Strojek, P.
Czajkowska, J.
Jóźwiakowski, K.
Gajewska, M.
Bugajski, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/205468.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: BOD5
CODCr
TOC
CODMn
wastewater
municipal wastewater treatment plant
BZT5
ścieki
miejska oczyszczalnia ścieków
Opis:: The paper presents the results of a study of parameters used for determining the amount of organic pollutants in wastewater flowing into a collective wastewater treatment plant with a population equivalent of about 120 000 PE. The plant constituted part of a sewage system. Assays were performed for biochemical oxygen demand (BOD₅), chemical oxygen demand (COD_Cr), permanganete index (COD_Mn) and total organic carbon (TOC). In addition, the pH of wastewater and its alkalinity were determined. Sampling of incoming wastewater and measurement of physicochemical parameters were performed once a week, in the spring. A total of 44 samples of wastewater were collected. The correlations between the individual parameters and the correlations between the ratios of these parameters were determined. It was found that it was possible to estimate, with sufficient accuracy, the values of selected parameters for determining the concentrations of organic compounds in municipal wastewater, knowing the values of other parameters in this group. Moreover, it was shown that, knowing the relationship between the analyzed parameters, one can find multiple regression equations for a given type of wastewater, which allow one to calculate the remaining relationships with a good fi t, i.e. a determination factor R² greater than 0.6.
W pracy przedstawiono wyniki badań parametrów wykorzystywanych do oznaczania ilości zanieczyszczeń organicznych w ściekach wpływających do zbiorczej oczyszczalni ścieków o równoważnej liczbie ludności około 120 000 mieszkańców. Zakład stanowi część systemu kanalizacyjnego. Testy przeprowadzono dla biochemicznego zapotrzebowania na tlen (BZT₅), chemicznego zapotrzebowania na tlen (COD_Cr), utlenialności (COD_Mn) i ogólnego węgla organicznego (TOC). Ponadto określono wartość pH ścieków i ich zasadowość. Pobieranie próbek dopływających ścieków i pomiar parametrów fizykochemicznych przeprowadzano raz w tygodniu, na wiosnę. Zebrano łącznie 44 próbki ścieków. Określono korelacje między poszczególnymi parametrami i korelacje między stosunkami tych parametrów. Stwierdzono, że możliwe było oszacowanie, z wystarczającą dokładnością, wartości wybranych parametrów do oznaczania stężeń związków organicznych w ściekach komunalnych, znając wartości innych parametrów w tej grupie. Ponadto wykazano, że znając zależność między analizowanymi parametrami, można znaleźć równania regresji wielokrotnej dla danego typu ścieków, które pozwalają obliczyć pozostałe zależności przy dobrym dopasowaniu, o współczynniku determinacji R² większym niż 0,6.
Źródło:: Archives of Environmental Protection; 2018, 44, 4; 50-57
2083-4772
2083-4810
Pojawia się w:: Archives of Environmental Protection
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: GaAs/AlGaAs (~9.4 žm) quantum cascade lasers operating at 260 K
Autorzy:: Bugajski, M.
Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Karbownik, P.
Trajnerowicz, A.
Pruszy, E.
Pierciński, K.
Pierścińska, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/200656.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: quantum cascade lasers
pulsed mode
Opis:: The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As heterostructure, with 3QW anticrossed-diagonal design originally proposed by Page et al. [1]. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and Si3N4 for electrical insulation. The QCL structures have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), with Riber Compact 21T reactor. The stringent requirements – placed particularly on the epitaxial technology – and the influence of technological conditions on the device structure properties are presented and discussed in depth.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 471-476
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Bugajski, J" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język