Autor: Bugajski, A.J. - Katalog OPAC zbiorów

Tytuł:: Białka w moczu chorych z nowotworami pęcherza
Belki v moche bolnykh s opukholjami mochevogo puzyrja
Urinary proteins in patients with bladder tumours
Autorzy:: Lenko, J.
Bugajski, A.
Naskalski, J.W.
Pajdak, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2188311.pdf
Data publikacji:: 1980
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:: Diagnostyka Laboratoryjna; 1980, 16, 5; 337-345
0867-4043
Pojawia się w:: Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Influence of the central histaminergic systems on the pituitary-adrenocortical response to met-enkephalinamide
Autorzy:: Bugajski, J
Turon, M.
Gadek-Michalska, A.
Olowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/70580.pdf
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:: hypothalamic histamine
central histaminergic system
brain
endorphin
dopamine
noradrenaline
endogenous enkephalin
histamine receptor
met-enkephalinamide
pituitary-adrenocortical response
opioid receptor
corticosterone
alpha-Fluoromethylhistidine
Źródło:: Journal of Physiology and Pharmacology; 1995, 46, 3
0867-5910
Pojawia się w:: Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
Autorzy:: Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Łukowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.35.Be
78.67.De
42.55.Sa
42.55.Xi
Opis:: In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Analysis of Free-Space Optics Development
Autorzy:: Mikołajczyk, J.
Bielecki, Z.
Bugajski, M.
Piotrowski, J.
Wojtas, J.
Gawron, W.
Szabra, D.
Prokopiuk, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/221245.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: optical communications
open path laser communications
line of sight communications
free space optics
Opis:: The article presents state of work in technology of free-space optical communications (Free Space Optics - FSO). Both commercially available optical data links and their further development are described. The main elements and operation limiting factors of FSO systems have been identified. Additionally, analyses of FSO/RF hybrid systems application are included. The main aspects of LasBITer project related to such hybrid technology for security and defence applications are presented.
Źródło:: Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 653-674
0860-8229
Pojawia się w:: Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Ograniczenie strat energii w elektroenergetycznych sieciach przemysłowych w aspekcie pozyskiwania środków publicznych na ich modernizację („białe certyfikaty”)
Reduction of energy losses in power industrial networks with respect to raising public funds for their modernization (energy efficiency certificates)
Autorzy:: Wojtas, P.
Miedziński, B.
Kozłowski, A.
Wosik, J.
Bugajski, W.
Raczyński, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/186385.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technik Innowacyjnych EMAG
Tematy:: elektroenergetyczne sieci przemysłowe
modernizacja
straty energii
Białe Certyfikaty
power industrial networks
modernization
energy losses
energy efficiency certificates
Opis:: W artykule omówiono cele Unii Europejskiej i jej podejście do kwestii prowadzenia efektywniejszej gospodarki elektroenergetycznej. Przedstawiono podstawowe unijne akty prawne dotyczące poprawy efektywności energetycznej oraz ich krajową implementację. Ukazano sposób funkcjonowania „białych certyfikatów” w zakresie działań dotyczących poprawy efektywności gospodarki elektroenergetycznej oraz doświadczenia krajowe z pierwszej edycji przetargu na „białe certyfikaty”.
The article features the objectives of the European Union and its approach to the issue of more efficient power engineering economy. The basic UE legal regulations on the improvement of energy efficiency were presented, along with their implementation in Poland. The system of energy efficiency certificates was described in the range of operations aimed at better efficiency of the power engineering sector. Then Polish experiences from the first tenders for energy efficiency certificates were discussed.
Źródło:: Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa; 2014, R. 52, nr 6, 6; 12-17
0208-7448
Pojawia się w:: Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
Autorzy:: Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Karbownik, P.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
81.15.Hi
85.60.-q
85.35.Be
73.63.-b
63.22.-m
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:: The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Opis:: Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
Autorzy:: Szerling, A.
Karbownik, P.
Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.60.-q
85.35.Be
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:: The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: GaAs/AlGaAs (~9.4 žm) quantum cascade lasers operating at 260 K
Autorzy:: Bugajski, M.
Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Karbownik, P.
Trajnerowicz, A.
Pruszy, E.
Pierciński, K.
Pierścińska, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/200656.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: quantum cascade lasers
pulsed mode
Opis:: The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As heterostructure, with 3QW anticrossed-diagonal design originally proposed by Page et al. [1]. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and Si3N4 for electrical insulation. The QCL structures have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), with Riber Compact 21T reactor. The stringent requirements – placed particularly on the epitaxial technology – and the influence of technological conditions on the device structure properties are presented and discussed in depth.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 471-476
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Bugajski, A.J." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język