Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Buczko, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 20
Tytuł:
Valence Band Quantization in a Spherical Quantum Dot
Autorzy:
Buczko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923770.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
Opis:
An analytical solution of the effective mass equation for a spherical valence band in cubic semiconductors is presented. The full degeneracy of the valence band, i.e. the light-hole, heavy-hole and spin-orbit split-off subbands, were taken into account. The analytical wave functions of the valence band were used for its quantization in a completely isolated (infinite potential barrier approximation) quantum dot. The dependence of discrete valence levels on the dot diameter is presented for the CuCl case.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 789-792
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bound and Resonant States of Shallow Donors in Quantum Antidots
Autorzy:
Buczko, R.
Bassani, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950739.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
78.66.-w
71.55.-i
Opis:
The energy spectrum and the wave functions of a shallow donor placed at the center of a spherical quantum antidot are computed within the effective mass approximation. The wave functions for discrete bound states and for continuum states are obtained in a closed form. We show that, due to the local potential of the microstructure, resonances occur in the continuum. Their energies are close to those of hydrogen-like levels lying under the top of the barrier when the quantum antidot radius is large as compared to the effective Bohr radius. The lifetimes of the resonant states and the oscillator strengths for optical transitions from the ground state are computed. We show how the energy spectrum and the oscillator strengths depend on the antidot parameters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 743-746
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza możliwości detekcji wyładowań niezupełnych w aparaturze rozdzielczej średnich napięć w izolacji powietrznej metodą przejściowego napięcia doziemnego
Analysis and detection possibility of the partial discharges in air insulated medium voltage switchgear using transient earth voltage detection
Autorzy:
Buczko, R.
Sikora, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408523.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
wyładowania niezupełne
aparatura rozdzielcza
przejściowe napięcie doziemne
partial discharges
switchgear
transient earth voltage
Opis:
W nowoczesnej aparaturze rozdzielczej wykorzystuje się w coraz większym stopniu materiały polimerowe jako układy izolacyjne. Mimo swoich licznych zalet, wykazują one niekiedy ograniczoną wytrzymałość na wyładowania niezupełne. W artykule przedstawiono analizę możliwości wykorzystania nieinwazyjnej metody przejściowego napięcia doziemnego TEV do detekcji różnych form wyładowań niezupełnych w aparaturze rozdzielczej średnich napięć. Dzięki wykorzystaniu tej metody, diagnostyka odbywa się bez konieczności odstawiania urządzenia od systemu elektroenergetycznego. Uzyskane wyniki potwierdzają skuteczność metody.
Modern switchgear increasingly use polymeric materials as insulation. Despite its numerous advantages they have limited resistance to partial discharge corrosion in some cases. In this paper noninvasive methods Transient Erath Voltage (TEV) measurement is proposed to detect various forms of partial discharges in medium voltage switchgear. These method allows for non-invasive diagnostic without switch of the switchgear. Measurement results confirm the effectiveness of the proposed approach.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 70-74
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impurity Wave Function and Alloy Broadening of Impurity-Related Luminescence
Autorzy:
Buczko, R.
Langer, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929682.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
73.40.Kp
78.55.-m
Opis:
By performing state-of-art computations of the acceptor wave functions in GaAs we show that the linewidth of the conduction band to acceptor luminescence increases more than quadratically with the increase in the binding energy. This proves that study of the fluctuation broadening of the impurity-related emission in semiconductor alloys may provide a critical test for theories claiming realistic impurity wave function computation. The theoretical results are compared with the experimental data for high purity p-type AlGaAs alloys.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 591-594
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Small Antiferromagnetic Clusters
Autorzy:
Buczko, R.
Wilamowski, Z.
Jantsch, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950740.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.10.Jm
75.50.Rr
Opis:
The analysis of the quantum mechanical model of mesoscopic size antiferromagnets shows that small antiferromagnets are characterized by a stronger exchange coupling and by an oscillating character of spins polarizations. Experimental evidence of the quantum character is discussed. We interpret the interlayer coupling in antiferromagnet superlattices and a puzzling resonance observed in nano-size antiferromagnet grains.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 747-750
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum Phenomena in Small Antiferromagnets
Autorzy:
Wilamowski, Z.
Buczko, R.
Jantsch, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964697.pdf
Data publikacji:
1997-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.10.Jm
75.50.-y
Opis:
We show that the most characteristic properties of mesoscopic antiferromagnets can be explained in terms of the response on a spatially inhomogeneous perturbation. This concept allows to explain the dynamic properties (quantum resonance, coherence and tunnelling rates) as well as static perturbations which, for increasing size of an antiferromagnet, leads to a transition from the quantum mechanical oscillating system to a classical antiferromagnet with well defined Néel vectors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 2; 379-382
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
"Comb-Like" Polarons and Bipolarons in High-T$\text{}_{c}$ Materials
Autorzy:
Hankiewicz, E. M.
Buczko, R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2012878.pdf
Data publikacji:
2000-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.20.-z
75.10.-b
74.20.Mn
Opis:
Diagonalization of Hamiltonian composed from d-d exchange interactions between localized d spins of antiferromagnetic cluster and p-d interaction with the spin of carriers indicates a possibility of formation of pure magnetic polarons. The most energetically favorable solution occurs when the carrier density in CuO$\text{}_{2}$ planes is distributed on every second spin. These "comb-like" polarons have a tendency to bind into pairs (bipolarons) "glued" by the antiferromagnetic medium.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 1; 185-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study οf 4f Electrons on the Surface οf Semiconductors
Autorzy:
Orłowski, B.
Kowalski, B.
Pietrzyk, M.
Buczko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811504.pdf
Data publikacji:
2008-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Bm
71.20.Mq
07.85.-m
Opis:
The contribution of 4f electrons to the electronic structure of the semiconductor clean surface caused by the surface doping of it by rare-earth metal atoms (Eu, Sm) will be presented. The surface doping was performed by the controlled, sequential deposition of the rare-earth metal atoms on the clean surface in UHV conditions (Sm on GaN or CdTe) or by the doping of the layer volume of (EuGd)Te. After each deposition or surface treatment the synchrotron radiation was used to measure in situ the resonant photoemission spectra (the Fano type resonance) to study the contribution of 4f electrons of divalent and trivalent Sm and Eu ions to the valence band electronic structure of created sample. The first stages of the metal atoms deposition lead to the surface doping. Further metal atoms deposition leads to the growth of the metallic islands on the surface and causes the appearance of the sharp metallic Fermi edge in the energy distribution curves. Proper coverage and annealing of the sample surface with metal atoms leads to the diffusion of the metal atoms into the sample and results in an increase in the crystal doping and decrease in the metallic islands contribution to the measured spectra. As a result, the new electronic structure of the valence band can be created and investigated in situ.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, S; S-103-S-114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnesium Acceptor Energy Levels in Cubic GaN
Autorzy:
Przybylińska, H.
Buczko, R.
Kocher, G.
Jantsch, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036869.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.-j
71.55.-i
71.55.Eq
Opis:
Intra-impurity transitions of the Mg acceptor in cubic phase GaN were measured with the use of photothermal ionization spectroscopy. Apart from the photoionization band several sharp features were detected, related to internal Mg-acceptor transitions. The transitions were identified with the help of effective-mass model calculations involving light- and heavy-hole as well as spin--orbit split-off bands. Transitions to resonant states, associated with the spin-orbit split-off valence band, were also identified. The determined hole binding energy of the Mg acceptor in zinc-blende GaN is 236±1 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 683-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of Small Diameter Semiconductor Nanowires
Autorzy:
Bukała, M.
Galicka, M.
Buczko, R.
Kacman, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047717.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Hb
73.43.Cd
73.61.Ey
Opis:
The properties of very thin (up to 16Å diameter) wires, cut out from the bulk in either zinc-blende or wurtzite material, are studied theoretically. In the total energy calculations we use ab initio methods and consider three different crystallographic growth axes for the zinc-blende and one for the wurtzite structure. We show that the most stable zinc-blende nanowires are those growing along (111) direction, however, the wurtzite structure is found to be energetically more favorable than the zinc-blende for wires of the same diameter. In addition, the band structure of the wires was calculated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 425-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies