Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modeling of Small Diameter Semiconductor Nanowires

Tytuł:
Modeling of Small Diameter Semiconductor Nanowires
Autorzy:
Bukała, M.
Galicka, M.
Buczko, R.
Kacman, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047717.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Hb
73.43.Cd
73.61.Ey
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 425-430
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The properties of very thin (up to 16Å diameter) wires, cut out from the bulk in either zinc-blende or wurtzite material, are studied theoretically. In the total energy calculations we use ab initio methods and consider three different crystallographic growth axes for the zinc-blende and one for the wurtzite structure. We show that the most stable zinc-blende nanowires are those growing along (111) direction, however, the wurtzite structure is found to be energetically more favorable than the zinc-blende for wires of the same diameter. In addition, the band structure of the wires was calculated.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies