Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Borysiewicz, M. J." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Poważne awarie i zagrożenia terrorystyczne instalacji chemicznych (1) - metody oceny podatności na zagrożenia
Major accidents and terroristic hazards in chemical installations (1) - methods of assessing vulnerability to threats
Autorzy:
Michalik, J. S.
Borysiewicz, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180170.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
zagrożenie terrorystyczne
awarie
instalacje chemiczne
terroristic hazard
failures
chemical instalation
Opis:
Możliwe skutki terroryzmu chemicznego określono na podstawie przykładów niektórych katastrofalnych poważnych awarii przemysłowych oraz ocen wykonanych przez Agencję Ochrony Środowiska USA (EPA). Omówiono zasady przeciwdziałania możliwym, wskutek aktów terroru poważnym awariom, polegające na wykonaniu analiz podatności zabezpieczeń (SVA), co pozwala na określenie podatnych na działania terrorystyczne "słabych" punktów stacjonarnych instalacji przemysłowych, sieci rurociągów lub systemów sterowania i systemów informatycznych. Przedstawiono zalecane do wykorzystania w Polsce metody i narzędzia przeciwdziałania terrorystycznym zagrożeniom poważnymi awariami zakładów chemicznych; opracowane w USA. Są to dwie metody dotyczące analiz podatności instalacji chemicznych i oceny zabezpieczeń - metoda opracowana przez CCPS (Center for Chemical Process Safety) oraz metoda opracowana przez SOCMA (Synthetic Organic Chemical Manufacturers Association). W odniesieniu do cyberbezpieczeństwa i zabezpieczeń komputerowych systemów sterowania oraz systemów informatycznych jest to podejście obejmujące systemowy profil ochrony przemysłowego systemu sterowania (SPP) oraz metodykę analizy i oceny bezpieczeństwa systemów sterowania STOE (system target of evaluation) oraz metoda analiz podatności systemów technologii informacji CVSS (wspólny system punktowania podatności).
The article briefly discusses potential consequences of chemical terrorism using several major accidents as examples and estimations made by the US Environmental Protection Agency. It discusses the principles of preventing possible industrial major accidents - results of a terrorist attack - using security vulnerability analysis (SVA). SVA makes it possible to determine weak points of chemical installations, pipeline networks, computer control and information systems that are vulnerable to terrorist activities. The article also presents methods and tools developed in the USA, following potential terrorist threats, for preventing major accidents in industrial chemical establishments. Those methods and tools are recommended for Poland; they are two methods of analysing the vulnerability of chemical installation and assessing their security: one was developed by the Center for Chemical Process Safety (CCPS), the other one by the Synthetic Organic Chemical Manufacturers Association (SOCMA). The system protection profile (SPP), the system target of evaluation (STOE) and the common vulnerability scoring system (CVSS) are used to ensure cybersecurity of computer industrial control (ICS) and IT networks.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2009, 1; 2-5
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Poważne awarie i zagrożenia terrorystyczne instalacji chemicznych (2) - zintegrowany system zarządzania ryzykiem
Major accidents and terrorist hazards in chemical installations (2) - an integrated approach to management of the risks
Autorzy:
Michalik, J. S.
Borysiewicz, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180187.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
zarządzanie ryzykiem
instalacje chemiczne
substancje niebezpieczne
awarie
zagrożenie terrorystyczne
management of the risk
chemical instalation
dangerous substances
failures
terroristic hazard
Opis:
Efektywne zarządzanie bezpieczeństwem procesowym oraz ochroną przed zagrożeniami terrorystycznymi zakładów chemicznych wymaga integracji działań w obu tych obszarach, integracji określonych procedur i narzędzi stosowanych w analizie zagrożeń procesowych (PHA) oraz w analizie podatności zabezpieczeń (SVA). Występuje w nich wiele elementów wspólnych lub podobnych. Przedstawione w tym artykule zalecenia dotyczą: zapobiegania procesowym oraz umyślnym przyczynom poważnych awarii; zarządzania integralnością procesu i sprzętu z uwzględnieniem ich podatności na zagrożenia terrorystyczne; opracowania zintegrowanych planów operacyjno-ratowniczych, uwzględniających dodatkowe zagrożenia; zapewnienia bezpieczeństwa kontaktów z osobami spoza zakładu oraz zapewnienia bezpieczeństwa podczas przebywania środków transportu substancji niebezpiecznych w zakładzie.
An effective management of process safety and of prevention against terrorist hazard in chemical establishments requires an integration of activities in both these areas, an integration of specific procedures and tools used in process hazard analysis (PHA) and in security vulnerability analysis (SVA). There are many common or similar elements and items in both cases. Recommendations on the integrated approach concern: preventing process and terrorist causes of major accidents; managing the integrity of processes and devices considering their susceptibility to terrorist threats; developing integrated emergency plans taking into account additional threats; ensuring the security of contacts with people from outside of the establishment and ensuring safety and security when means of transport with dangerous chemicals are present in an establishment.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2009, 2; 10-13
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cyberbezpieczeństwo przemysłowych systemów sterowania
Cybersecurity of industrial control systems
Autorzy:
Borysiewicz, M. J.
Michalik, J. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180865.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
instalacje chemiczne
bezpieczeństwo systemów komputerowych
przemysłowe systemy sterowania
chemical installations
security of computer system
industrial control system
Opis:
Jednym z istotnych zagadnień zarządzania bezpieczeństwem instalacji chemicznych w aspekcie ochrony przed działaniami terrorystycznymi i sabotażowymi jest zapewnienie cyberbezpieczeństwa systemów informatycznych wykorzystujących sieci komputerowe. W artykule przedstawiono informacje o opracowaniach zawierających wytyczne i zalecenia dotyczące cyberbezpieczeństwa, omówiono zasady cyberbezpieczeństwa w odniesieniu do przemysłowych systemów sterowania (ICS - Industrial Control Systems), w szczególności zagadnienia stosowania systemowego profilu ochrony (SPP). Ważnym instrumentem oceny i zapewnienia bezpieczeństwa ICS jest metodyka STOE (System Target of Evaluation - systemowy obiekt oceny). Przedstawiono zakres STOE, rodzaje podatności i zabezpieczeń oraz założenia dotyczące bezpiecznego użytkowania ICS.
Assurance of cybersecurity of informatics systems using computer networks is an important aim of chemical installations safety management in the context of protection against terrorist or sabotage acts. The article presents and discusses information on published documents containing the guidelines and recommendations concerning cybersecurity, and the principles of cybersecurity of the Industrial Control Systems (ICSs), especially application of the System Protection Profile (SPP). Also discussed is the System Target of Evaluation method (STOE), a very important tool for assessing assuring ICS's security, its scope, vulnerabilities, protection measures as well as the assumptions for secure use of ICSs.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 10; 8-11
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tuning Transparent Supercapacitor Performance by Controlling the Morphology of its ZnO Electrodes
Autorzy:
Borysiewicz, M.
Wzorek, M.
Ekielski, M.
Kaczmarski, J.
Wojciechowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032336.pdf
Data publikacji:
2017-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
82.47.Uv
68.35.bg
68.55.ag
81.15.Cd
Opis:
Transparent supercapacitors were fabricated using nanostructures ZnO electrodes deposited using reactive magnetron sputtering. By fine tuning the deposition process parameters the electrodes with different morphologies were obtained, from hierarchical through sponge-like to nanocolumnar. The device performance related to the electrode morphology was assessed. It was found that the nanocolumnar electrodes provided best performance both in terms of effective device capacitance (18.3 μF/cm²) and transparency ( ≈ 100% in the visible range). The worst performance, with 80% lower effective capacitance, was obtained in the devices with the sponge-like morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 6; 1550-1553
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films
Autorzy:
Kaczmarski, J.
Borysiewicz, M.
Pągowska, K.
Kamińska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398691.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Gc
81.15.Cd
72.80.Ng
73.61.Jc
Opis:
Zn-O-N thin films fabricated by reactive radio frequency magnetron sputtering have been investigated for their compositional, structural, transport and optical properties. In contrast to processes in which the reaction for either the oxide or the nitride is dominant, the multireaction process yields a substantially amorphous films with the Hall mobility within the range from 15 to 80 cm²/(V s). In addition, it has been observed that the Hall mobility increases for Zn-O-N. Since it has a narrower bandgap than ZnO, it is put forward that the high mobility is due to the valence band maximum in this material lying above the trap states in the gap commonly observable in ZnO. These traps originate from oxygen vacancies and are localized at the bottom of the band gap influencing the carrier mobility.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1; 150-152
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Immunomodulators amplifying therapeutical effect of anthelmintic drugs in experimental trichinellosis
Autorzy:
Dymon, M.
Borysiewicz, J.
Zworowska, K.
Papir, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/840480.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
trichinellosis
pyrantel
anthelminthic drug
therapy
drug
albendazole
larva
Trichinella spiralis
levamisole
leucomax
immunomodulator
Źródło:
Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Epitaxial Strain on Magnetic Anisotropy in (Ga,Mn)As
Autorzy:
Juszyński, P.
Wasik, D.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Szczytko, J.
Twardowski, A.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403622.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.47.-m
Opis:
Two (Ga,Mn)As samples having different magnetic anisotropy (one with in-plane easy axis and another one with out-of-plane easy axis) were studied by means of magnetotransport experiments. Anisotropy field B_{A} was determined for both samples as a function of temperature. For the sample having in-plane easy axis, an inversion of the direction of planar Hall effect hysteresis was observed upon increase of temperature. This result was simulated using the Stoner-Wohlfarth model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1004-1006
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport Properties of Disordered Graphene Layers
Autorzy:
Gryglas-Borysiewicz, M.
Jouault, B.
Tworzydło, J.
Lewińska, S.
Strupiński, W.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791293.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Ac
72.20.Fr
73.43.Qt
73.63.Bd
Opis:
Samples consisting of a few layers of graphene obtained by thermal decomposition of SiC were studied by means of transport experiments at 4 K and in a magnetic field up to 7 T. Transport data show that the samples have a two-dimensional character. Magnetoresistance has an approximately linear character at high magnetic fields, which has been previously observed in graphite samples, and a negative magnetoresistance, at low magnetic fields. The transverse resistivity $ρ_{xy}$ is nonlinear as a function of B, which can be described using a many-carrier model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 838-840
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Thermally-Activated Electron Traps in GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures in Low-Frequency Noise Measurements
Autorzy:
Przybytek, J.
Stankiewicz, R.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Baj, M.
Cavanna, A.
Faini, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048142.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Td
73.40.Gk
Opis:
During our investigations of tunneling process in thin 7 nm thick GaAs/AlAs/GaAs vertical single-barrier tunneling structure with Si δ-doping inside the barrier we have observed fluctuations of the tunneling current which exhibited large Lorentzian noise with intensity depending on biasing voltage. We have shown that Lorentzian noise originates from multilevel random telegraph noise of the small number of fluctuators which influence the tunneling process. Time-domain analysis of the current noise measured for temperatures between 4.2 K and 50 K enabled to determine the thermal activation energies of these fluctuators lying between 0.8 and 3 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 723-725
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
Autorzy:
Lewińska, S.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Jouault, B.
Gennser, U.
Ouerghi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
71.20.Nr
73.23.Hk
73.63.Hs
72.10.Di
85.30.Mn
73.40.Gk
Opis:
Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies