Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Borysiewicz, M. J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    Poważne awarie i zagrożenia terrorystyczne instalacji chemicznych (1) - metody oceny podatności na zagrożenia
    Major accidents and terroristic hazards in chemical installations (1) - methods of assessing vulnerability to threats
    Autorzy:
    Michalik, J. S.
    Borysiewicz, M. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180170.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    zagrożenie terrorystyczne
    awarie
    instalacje chemiczne
    terroristic hazard
    failures
    chemical instalation
    Opis:
    Możliwe skutki terroryzmu chemicznego określono na podstawie przykładów niektórych katastrofalnych poważnych awarii przemysłowych oraz ocen wykonanych przez Agencję Ochrony Środowiska USA (EPA). Omówiono zasady przeciwdziałania możliwym, wskutek aktów terroru poważnym awariom, polegające na wykonaniu analiz podatności zabezpieczeń (SVA), co pozwala na określenie podatnych na działania terrorystyczne "słabych" punktów stacjonarnych instalacji przemysłowych, sieci rurociągów lub systemów sterowania i systemów informatycznych. Przedstawiono zalecane do wykorzystania w Polsce metody i narzędzia przeciwdziałania terrorystycznym zagrożeniom poważnymi awariami zakładów chemicznych; opracowane w USA. Są to dwie metody dotyczące analiz podatności instalacji chemicznych i oceny zabezpieczeń - metoda opracowana przez CCPS (Center for Chemical Process Safety) oraz metoda opracowana przez SOCMA (Synthetic Organic Chemical Manufacturers Association). W odniesieniu do cyberbezpieczeństwa i zabezpieczeń komputerowych systemów sterowania oraz systemów informatycznych jest to podejście obejmujące systemowy profil ochrony przemysłowego systemu sterowania (SPP) oraz metodykę analizy i oceny bezpieczeństwa systemów sterowania STOE (system target of evaluation) oraz metoda analiz podatności systemów technologii informacji CVSS (wspólny system punktowania podatności).
    The article briefly discusses potential consequences of chemical terrorism using several major accidents as examples and estimations made by the US Environmental Protection Agency. It discusses the principles of preventing possible industrial major accidents - results of a terrorist attack - using security vulnerability analysis (SVA). SVA makes it possible to determine weak points of chemical installations, pipeline networks, computer control and information systems that are vulnerable to terrorist activities. The article also presents methods and tools developed in the USA, following potential terrorist threats, for preventing major accidents in industrial chemical establishments. Those methods and tools are recommended for Poland; they are two methods of analysing the vulnerability of chemical installation and assessing their security: one was developed by the Center for Chemical Process Safety (CCPS), the other one by the Synthetic Organic Chemical Manufacturers Association (SOCMA). The system protection profile (SPP), the system target of evaluation (STOE) and the common vulnerability scoring system (CVSS) are used to ensure cybersecurity of computer industrial control (ICS) and IT networks.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2009, 1; 2-5
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Poważne awarie i zagrożenia terrorystyczne instalacji chemicznych (2) - zintegrowany system zarządzania ryzykiem
    Major accidents and terrorist hazards in chemical installations (2) - an integrated approach to management of the risks
    Autorzy:
    Michalik, J. S.
    Borysiewicz, M. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180187.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    zarządzanie ryzykiem
    instalacje chemiczne
    substancje niebezpieczne
    awarie
    zagrożenie terrorystyczne
    management of the risk
    chemical instalation
    dangerous substances
    failures
    terroristic hazard
    Opis:
    Efektywne zarządzanie bezpieczeństwem procesowym oraz ochroną przed zagrożeniami terrorystycznymi zakładów chemicznych wymaga integracji działań w obu tych obszarach, integracji określonych procedur i narzędzi stosowanych w analizie zagrożeń procesowych (PHA) oraz w analizie podatności zabezpieczeń (SVA). Występuje w nich wiele elementów wspólnych lub podobnych. Przedstawione w tym artykule zalecenia dotyczą: zapobiegania procesowym oraz umyślnym przyczynom poważnych awarii; zarządzania integralnością procesu i sprzętu z uwzględnieniem ich podatności na zagrożenia terrorystyczne; opracowania zintegrowanych planów operacyjno-ratowniczych, uwzględniających dodatkowe zagrożenia; zapewnienia bezpieczeństwa kontaktów z osobami spoza zakładu oraz zapewnienia bezpieczeństwa podczas przebywania środków transportu substancji niebezpiecznych w zakładzie.
    An effective management of process safety and of prevention against terrorist hazard in chemical establishments requires an integration of activities in both these areas, an integration of specific procedures and tools used in process hazard analysis (PHA) and in security vulnerability analysis (SVA). There are many common or similar elements and items in both cases. Recommendations on the integrated approach concern: preventing process and terrorist causes of major accidents; managing the integrity of processes and devices considering their susceptibility to terrorist threats; developing integrated emergency plans taking into account additional threats; ensuring the security of contacts with people from outside of the establishment and ensuring safety and security when means of transport with dangerous chemicals are present in an establishment.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2009, 2; 10-13
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cyberbezpieczeństwo przemysłowych systemów sterowania
    Cybersecurity of industrial control systems
    Autorzy:
    Borysiewicz, M. J.
    Michalik, J. S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180865.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    instalacje chemiczne
    bezpieczeństwo systemów komputerowych
    przemysłowe systemy sterowania
    chemical installations
    security of computer system
    industrial control system
    Opis:
    Jednym z istotnych zagadnień zarządzania bezpieczeństwem instalacji chemicznych w aspekcie ochrony przed działaniami terrorystycznymi i sabotażowymi jest zapewnienie cyberbezpieczeństwa systemów informatycznych wykorzystujących sieci komputerowe. W artykule przedstawiono informacje o opracowaniach zawierających wytyczne i zalecenia dotyczące cyberbezpieczeństwa, omówiono zasady cyberbezpieczeństwa w odniesieniu do przemysłowych systemów sterowania (ICS - Industrial Control Systems), w szczególności zagadnienia stosowania systemowego profilu ochrony (SPP). Ważnym instrumentem oceny i zapewnienia bezpieczeństwa ICS jest metodyka STOE (System Target of Evaluation - systemowy obiekt oceny). Przedstawiono zakres STOE, rodzaje podatności i zabezpieczeń oraz założenia dotyczące bezpiecznego użytkowania ICS.
    Assurance of cybersecurity of informatics systems using computer networks is an important aim of chemical installations safety management in the context of protection against terrorist or sabotage acts. The article presents and discusses information on published documents containing the guidelines and recommendations concerning cybersecurity, and the principles of cybersecurity of the Industrial Control Systems (ICSs), especially application of the System Protection Profile (SPP). Also discussed is the System Target of Evaluation method (STOE), a very important tool for assessing assuring ICS's security, its scope, vulnerabilities, protection measures as well as the assumptions for secure use of ICSs.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 10; 8-11
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Tuning Transparent Supercapacitor Performance by Controlling the Morphology of its ZnO Electrodes
    Autorzy:
    Borysiewicz, M.
    Wzorek, M.
    Ekielski, M.
    Kaczmarski, J.
    Wojciechowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1032336.pdf
    Data publikacji:
    2017-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    82.47.Uv
    68.35.bg
    68.55.ag
    81.15.Cd
    Opis:
    Transparent supercapacitors were fabricated using nanostructures ZnO electrodes deposited using reactive magnetron sputtering. By fine tuning the deposition process parameters the electrodes with different morphologies were obtained, from hierarchical through sponge-like to nanocolumnar. The device performance related to the electrode morphology was assessed. It was found that the nanocolumnar electrodes provided best performance both in terms of effective device capacitance (18.3 μF/cm²) and transparency ( ≈ 100% in the visible range). The worst performance, with 80% lower effective capacitance, was obtained in the devices with the sponge-like morphology.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 6; 1550-1553
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films
    Autorzy:
    Kaczmarski, J.
    Borysiewicz, M.
    Pągowska, K.
    Kamińska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398691.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Gc
    81.15.Cd
    72.80.Ng
    73.61.Jc
    Opis:
    Zn-O-N thin films fabricated by reactive radio frequency magnetron sputtering have been investigated for their compositional, structural, transport and optical properties. In contrast to processes in which the reaction for either the oxide or the nitride is dominant, the multireaction process yields a substantially amorphous films with the Hall mobility within the range from 15 to 80 cm²/(V s). In addition, it has been observed that the Hall mobility increases for Zn-O-N. Since it has a narrower bandgap than ZnO, it is put forward that the high mobility is due to the valence band maximum in this material lying above the trap states in the gap commonly observable in ZnO. These traps originate from oxygen vacancies and are localized at the bottom of the band gap influencing the carrier mobility.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1; 150-152
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Immunomodulators amplifying therapeutical effect of anthelmintic drugs in experimental trichinellosis
    Autorzy:
    Dymon, M.
    Borysiewicz, J.
    Zworowska, K.
    Papir, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/840480.pdf
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
    Tematy:
    trichinellosis
    pyrantel
    anthelminthic drug
    therapy
    drug
    albendazole
    larva
    Trichinella spiralis
    levamisole
    leucomax
    immunomodulator
    Źródło:
    Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
    0043-5163
    Pojawia się w:
    Annals of Parasitology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Epitaxial Strain on Magnetic Anisotropy in (Ga,Mn)As
    Autorzy:
    Juszyński, P.
    Wasik, D.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Przybytek, J.
    Szczytko, J.
    Twardowski, A.
    Sadowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403622.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    75.47.-m
    Opis:
    Two (Ga,Mn)As samples having different magnetic anisotropy (one with in-plane easy axis and another one with out-of-plane easy axis) were studied by means of magnetotransport experiments. Anisotropy field B_{A} was determined for both samples as a function of temperature. For the sample having in-plane easy axis, an inversion of the direction of planar Hall effect hysteresis was observed upon increase of temperature. This result was simulated using the Stoner-Wohlfarth model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1004-1006
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport Properties of Disordered Graphene Layers
    Autorzy:
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Jouault, B.
    Tworzydło, J.
    Lewińska, S.
    Strupiński, W.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791293.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Ac
    72.20.Fr
    73.43.Qt
    73.63.Bd
    Opis:
    Samples consisting of a few layers of graphene obtained by thermal decomposition of SiC were studied by means of transport experiments at 4 K and in a magnetic field up to 7 T. Transport data show that the samples have a two-dimensional character. Magnetoresistance has an approximately linear character at high magnetic fields, which has been previously observed in graphite samples, and a negative magnetoresistance, at low magnetic fields. The transverse resistivity $ρ_{xy}$ is nonlinear as a function of B, which can be described using a many-carrier model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 838-840
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Observation of Thermally-Activated Electron Traps in GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures in Low-Frequency Noise Measurements
    Autorzy:
    Przybytek, J.
    Stankiewicz, R.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Baj, M.
    Cavanna, A.
    Faini, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048142.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Td
    73.40.Gk
    Opis:
    During our investigations of tunneling process in thin 7 nm thick GaAs/AlAs/GaAs vertical single-barrier tunneling structure with Si δ-doping inside the barrier we have observed fluctuations of the tunneling current which exhibited large Lorentzian noise with intensity depending on biasing voltage. We have shown that Lorentzian noise originates from multilevel random telegraph noise of the small number of fluctuators which influence the tunneling process. Time-domain analysis of the current noise measured for temperatures between 4.2 K and 50 K enabled to determine the thermal activation energies of these fluctuators lying between 0.8 and 3 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 723-725
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
    Autorzy:
    Lewińska, S.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Jouault, B.
    Gennser, U.
    Ouerghi, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.-r
    71.20.Nr
    73.23.Hk
    73.63.Hs
    72.10.Di
    85.30.Mn
    73.40.Gk
    Opis:
    Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Pągowska, K.
    Kozubal, M.
    Guziewicz, E.
    Borysiewicz, M.
    Dyczewski, J.
    Jakieła, R.
    Ratajczak, J.
    Snigurenko, D.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.35.Dv
    Opis:
    In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Slysz, W.
    Borysiewicz, M.
    Kruszka, R.
    Sidor, Z.
    Juchniewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Domagala, J.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Wegrzecki, M.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
    Autorzy:
    Słysz, W.
    Guziewicz, M.
    Borysiewicz, M.
    Domagała, J.
    Pasternak, I.
    Hejduk, K.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Węgrzecki, M.
    Grabiec, P.
    Grodecki, R.
    Węgrzecka, I.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Jung, W.
    Grochowski, J.
    Borysiewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Baranska, A.
    Piotrowska, A.
    Witkowski, B.
    Domagala, J.
    Gryzinski, M.
    Tyminska, K.
    Stonert, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Jc
    29.40.-n
    87.53.Bn
    Opis:
    Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies