Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "current-voltage characteristics" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 19
Tytuł:
Single-pulse method for measuring the current-voltage characteristics of solar panels
Autorzy:
Bozhko, K. M.
Zashchepkina, N. M.
Markin, M. O.
Markina, O. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378907.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Stowarzyszenie Komputerowej Nauki o Materiałach i Inżynierii Powierzchni w Gliwicach
Tematy:
solar batteries
voltage-current characteristic
bateria słoneczna
charakterystyka napięciowo-prądowa
Opis:
Purpose: The purpose of the paper is to substantiate the new method of measuring the voltage-current characteristics of solar batteries based on the use of a digital oscilloscope and a special linear sweep device. Design/methodology/approach: To solve this problem, a test bench was developed on the basis of a solar radiation simulator. Findings: Practically it is proved that within the duration of a single pulse of 40 μs, it is possible to measure the voltage-current characteristics of an SB with a short-circuit current of up to 5.8 A. Research limitations/implications: The method is relevant for all types of solar batteries, but the measurements were carried out on serial samples of mono and polycrystalline silicon with a nominal output power of 30 to 140 W and a voltage of 12 V. Practical implications: The method can find its practical application in the development of an intelligent solar module. The technology of the intelligent module is based on the periodic removal of information on the operational parameters of the solar battery based on the measured voltage-current characteristic. Originality/value: Experimental confirmation of the effectiveness of the single-pulse measurement method of the voltage-current characteristic of a solar battery based on a linear current sweep.
Źródło:
Archives of Materials Science and Engineering; 2019, 99, 1/2; 24-29
1897-2764
Pojawia się w:
Archives of Materials Science and Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
Autorzy:
Manyk, Tetiana
Rutkowski, Jarosław
Madejczyk, Paweł
Gawron, Waldemar
Martyniuk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2074201.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
HgCdTe
MWIR detectors
dark current
I-V characteristics
recombination
Opis:
A theoretical analysis of the mid-wavelength infrared range detectors based on the HgCdTe materials for high operating temperatures is presented. Numerical calculations were compared with the experimental data for HgCdTe heterostructures grown by the MOCVD on the GaAs substrates. Theoretical modelling was performed by the commercial platform SimuAPSYS (Crosslight). SimuAPSYS fully supports numerical simulations and helps understand the mechanisms occurring in the detector structures. Theoretical estimates were compared with the dark current density experimental data at the selected characteristic temperatures: 230 K and 300 K. The proper agreement between theoretical and experimental data was reached by changing Auger-1 and Auger-7 recombination rates and Shockley-Read-Hall carrier lifetime. The level of the match was confirmed by a theoretical evaluation of the current responsivity and zero-bias dynamic resistance area product (R0A) of the tested detectors.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141596
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to~15~K
Autorzy:
Laurent, T.
Sharma, R.
Torres, J.
Nouvel, P.
Blin, S.
Palermo, C.
Varani, L.
Cordier, Y.
Chmielowska, M.
Faurie,, J.
Beaumont, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505650.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.21.Fg
73.40.-c
Opis:
We report measurements of the pulsed and dc current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors as functions of geometry, temperature (from 300 down to 15 K), and operating conditions. An increase in the drain current with shortening of the pulse width from 1 μs to 400 ns is found to be significant at room temperature whilst this behavior is inverted or even removed at 77 and 15 K temperatures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 196-198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Current-Voltage Characteristics of Nanowires Formed at the $Co-Ge_{99.99}Ga_{0.01}$ Interface
Autorzy:
Wawrzyniak, M.
Maćkowski, M.
Śniadecki, Z.
Idzikowski, B.
Martinek, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1537104.pdf
Data publikacji:
2010-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.-k
79.60.Jv
73.63.Rt
Opis:
We present a method of measurement of the current-voltage (I-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of nanowires with quantum point contact formed at the $Co-Ge_{99.99}Ga_{0.01}$ interface. The effect of the Fermi level pinning leads to the formation of an ohmic contact between Co and $Ge_{99.99}Ga_{0.01}$. On the measured characteristics, above the threshold value of voltage an exponential current growth is observed. Such effect could be useful in the production of the electronic nanodevices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 375-378
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308057.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Opis:
This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikacji warystorów do ograniczników przepięć typu SPD na rozkład konduktywności i na charakterystyki przewodzenia
Influence of modification of varistors for the SPD type arresters on the conductivity distribution and conductance characteristics
Autorzy:
Bandel, J.
Mielcarek, W.
Sibilski, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159339.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
ograniczniki przepięć
warystory
konduktywność
charakterystyka prądowo napięciowa
arresters
varistors
conductivity
current-voltage characteristics
Opis:
Zapotrzebowanie na warystory do ograniczników przepięć jest bardzo duże, zarówno do ograniczników typu SPD jak i stosowanych na wyższe napięcia znamionowe. Głównym celem jest opracowanie nowej generacji nanostruktur, która zapewni jednorodny rozkład konduktywności na całej płaszczyźnie warystora. To umożliwi zmniejszenie wymiarów warystorów, przy równoczesnej poprawie jakości użytego materiału. Równocześnie możliwe będzie modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych przy większej gęstości prądu przewodzenia.
The required demand of varistors for the arresters, not only for the SPD type, but also for these used at high voltage systems, is very high. The idea of this paper was to develop a new generation of nanostructures of the material which assure a uniform distribution of the conductivity. These enable to reduce the size of the voltage limiting elements and therefore quantity of material used. Also it will be possible to modulate current voltage characteristic with simultaneous great density of current.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 153-167
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the properties and impact of the shape of a flexible photovoltaic roof tile on the effectiveness of its performance
Autorzy:
Dobrzycki, A.
Kurz, D.
Laska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97279.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
photovoltaic roof tile
BIPV
amorphous cells
energy yield
current–voltage characteristics
photovoltaic module exposure
Opis:
This paper concerns building integrated photovoltaics (BIPV), and in particular, potential advantages resulting from the use of this technology. The possibilities of integration of the BIPV elements in the building structure were presented, with particular consideration of photovoltaic roof covering. In order to demonstrate the legitimacy of using solutions of this type in real conditions, the subject of the analysis was the thin–film photovoltaic module, which constitutes an integral part of the photovoltaic roof tile. During the tests, particular attention was paid to changes in parameters of the tested object, depending on the way it is shaped in relation to the solar radiation, demonstrating in this way, the necessity to strive for the optimal exposure of the BIPV elements in relation to the sun.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2016, 14; 432-443
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of the current-voltage characteristics of the photovoltaic cells using the CoachLabII+ measuring console
Wyznaczanie charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw fotowoltaicznych z wykorzystaniem konsoli pomiarowej coachlabii+
Autorzy:
Różański, Stanisław Andrzej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2200277.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Uniwersytet Technologiczno-Humanistyczny im. Kazimierza Pułaskiego w Radomiu
Tematy:
CoachLabII+ console
current-voltage characteristics
maximum power
one-diode model
photovoltaic cell
charakterystyka prądowo-napięciowa
konsola CoachLabII+
moc maksymalna
model jednodiodowy
ogniwo PV
Opis:
The Coach6 software and the CoachLabII+ measuring console coupled with a computer and equipped with appropriate voltage and current sensors were used to determine the current-voltage and power-voltage characteristics of the photovoltaic cells. The current-voltage and power-voltage characteristics for a single cell and cells connected in series and in parallel were tested depending on the light intensity. Using a simplified theoretical model of a photovoltaic cell based on the one-diode equivalent circuit and Shockley diode equation, the ideality factor, diode saturation current and source current were determined, fitting the appropriate theoretical relationship to the measurement results. Based on the current-voltage and power-voltage characteristics, the short-circuit current, open circuit voltage, maximum power, fill factor, conversion efficiency and load resistance were determined. The dependence of the determined parameters on the light intensity was discussed.
Do wyznaczenia charakterystyk prądowo-napięciowych oraz mocowo-napięciowych ogniw fotowoltaicznych wykorzystano oprogramowanie Coach6 oraz konsolę pomiarową CoachLabII+ sprzężoną z komputerem i wyposażoną w odpowiednie czujniki napięcia i prądu. Charakterystyki prądowo-napięciowe dla pojedynczego ogniwa oraz ogniw połączonych szeregowo i równolegle badano w zależności od natężenia światła. Wykorzystując uproszczony model teoretyczny ogniwa fotowoltaicznego bazujący na pojedynczej diodzie oraz wzorze Shockley'a dla prądu diody półprzewodnikowej wyznaczono współczynnik korekcji, prąd wsteczny oraz prąd źródła, dopasowując odpowiednie zależności teoretyczne do wyników pomiarów. Na podstawie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz mocowo-napięciowych wyznaczono prąd zwarcia, napięcie obwodu otwartego, moc maksymalną, współczynnik wypełnienia, sprawność konwersji ogniwa oraz rezystancję obciążenia. Zaobserwowano zależność wyznaczonych parametrów od natężenia światła.
Źródło:
Journal of Automation, Electronics and Electrical Engineering; 2022, 4, 2; 31--38
2658-2058
2719-2954
Pojawia się w:
Journal of Automation, Electronics and Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the influence of bending strain on the current-voltage characteristics of Htc superconducting tapes
Analiza wpływu odkształcenia powstałego przy zginaniu na charakterystyki prądowo-napięciowe wysokotemperaturowych taśm nadprzewodzących
Autorzy:
Sosnowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159647.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
wysokotemperaturowe taśmy nadprzewodnikowe
odkształcenie przy zginaniu
charakterystyki prądowo-napięciowe
HTc superconducting tapes
bending strain
current-voltage characteristics
Opis:
W artykule zbadano wpływ naprężenia i odkształcenia powstałego podczas zginania wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych, szczególnie podczas nawijania elektromagnesów nadprzewodnikowych na ich charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny. Przedstawiono model teoretyczny, który jakościowo opisuje wyniki badań doświadczalnych przeprowadzonych na taśmach nadprzewodnikowych I generacji. Zbadano wpływ funkcji określającej prawdopodobieństwo występowania mikropęknięcia na charakterystyki prądowo-napięciowe i prąd krytyczny.
In this paper the influence of the bending strain inherent in superconducting magnet windings on the current-voltage characteristics and the critical current of HTc superconducting tapes is investigated. Theoretical analysis of this effect is presented, which is in qualitative agreement with experimental research carried out on first generation superconducting tapes. The influence of the shape of the rupture probability function, which describes micro-crack formation, on the current-voltage characteristics is also considered.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2017, 276; 39-47
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Opis:
This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 25-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Struktura geometryczna powierzchni po obróbce elektroerozyjnej elektrodą grafitową i miedzianą - porównanie
Geometrical structure of the surface after EDM using graphite and copper electrode - comparison
Autorzy:
Dąbrowski, L.
Świercz, R.
Zawora, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/269831.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wrocławska Rada Federacji Stowarzyszeń Naukowo-Technicznych
Tematy:
EDM
obróbka elektroerozyjna
struktura geometryczna powierzchni
charakterystyka prądowo-napięciowa
materiał elektrody
electrodischarge machining (WEDM)
geometric structure of the surface
current-voltage characteristics
electrode material
Opis:
W referacie przedstawiono wyniki badań wpływu parametrów wejściowych obróbki elektroerozyjnej: amplitudy prądu I, czasu impulsu ton, czasu przerwy toff, oraz rodzaju materiału elektrody roboczej; miedź, grafit, przy ustalonych pozostałych parametrach obróbki na wybrane parametry struktury geometrycznej obrobionej powierzchni. Badania wykonano według trójpoziomowego planowanego eksperymentu Boxa Behnkena.
The paper presents the influence of the amplitude of I, pulse time ton, the time break toff, and the type of working electrode material: copper, graphite, on the surface layer parameters after EDM. Research was carried out by an planned experiment three-level Box Behnken. The developed data acquisition circuit allowed the determination of the characteristics of AC machines necessary for the proper selection of parameters implemented in the planned experiment (stable in the whole area of variation). Developed regression equations depend on the real measured parameters are characterized by a high degree of correlation. They show that the main factors affecting the geometrical structure of the surface after EMD is the current intensity and pulse duration (at fixed other parameters of treatment). Used in the processes of EDM electrode material (copper, graphite) does not significantly change the parameters of the SGP.
Źródło:
Inżynieria Maszyn; 2011, R. 16, z. 3; 32-39
1426-708X
Pojawia się w:
Inżynieria Maszyn
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural investigations and determination of current and voltage characteristics in htsc 2G SF12050 tapes
Badania strukturalne oraz wyznaczanie charakterystyk prwo-napięciowych dla taśm htsc 2GSF12050
Autorzy:
Jędryka, J.
Szota, M.
Nabiałek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352918.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
nadprzewodniki wysokotemperaturowe
charakterystyka prądowo-napięciowa
prąd krytyczny
analiza składu chemicznego
mikrostruktura
high-temperature superconductors
current and voltage characteristics
critical current
analysis of chemical composition
microstructure
Opis:
Investigations of a state-of-the art high-temperature ceramic superconducting tape of SF 12050 series are presented. The study focuses on current and voltage characteristics, examination of microstructure and analysis of chemical composition in superconducting tapes of SF series. In order to measure current parameters, a measuring system was designed to investigate sections of the tapes at the temperature of liquid nitrogen. The system is powered with direct current with parameters I= 0 ÷ 580A and U= 0 ÷ 8V. Measurements of critical current were taken by means of determination of the decline in voltage along the measurement section for the tape with accuracy of 1nV. Analysis of chemical composition was carried out using scanning microscope which features chemical composition microanalyser EDX. The paper presents microscope images which are a result of examination of the structures by means of light microscope and scanning microscope. The method of preparation of superconducting tapes for soldering and the method of selection of solder were also presented.
W pracy zaprezentowano wyniki badań ceramicznej wysokotemperaturowej taśmy nadprzewodzacej najnowszej generacji z serii SF 12050. W artykule przedstawiono badania dotyczące wyznaczania charakterystyk prądowo-napięciowych, obserwacji mikrostruktury oraz analizy składu chemicznego taśm nadprzewodzących z serii SF. Do badań parametrow pradowych został zaprojektowany i zbudowany układ pomiarowy umożliwiający badanie odcinkow taśm w temperaturze ciekłego azotu. Układ ten jest zasilany źródłem prądu stałego o parametrach I= 0 580A oraz U= 0 8V. Pomiary prądu krytycznego sa wykonywane przez określenie spadku napięcia na odcinku pomiarowym tasmy z dokladnoscia do1 nV na odcinku pomiarowym nadprzewodnika. Analizę składu chemicznego przeprowadzono przy zastosowaniu mikroskopu skaningowego z mikro-analizatorem składu chemicznego EDX. W pracy zamieszczone zostały obrazy mikroskopowe bedace wynikiem obserwacji struktur za pomocą mikroskopu świetlnego oraz skaningowego. Przedstawiona została rownież metoda preparatyki tasmy nadprzewodzacej do lutowania oraz sposob doboru lutowia.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 1045-1045
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Modified Mayr-Pentegov Model of the Electric Arc with Dynamically Variable Parameters
Zmodyfikowany model Mayra–Pentegowa łuku elektrycznego z dynamicznie zmiennymi parametrami
Autorzy:
Sawicki, Antoni
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1833865.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
ENERGA
Tematy:
electric arc
Mayr-Pentegov model
voltage – current characteristics
łuk elektryczny
model Mayra-Pentegowa
charakterystyka napięciowo-prądowa
Opis:
The need to develop the theory of electric arc modelling with dynamically variable parameters is demonstrated. The Mayr-Pentegov model modification allowed mapping the effect of changes in static and dynamic parameters of the plasma column on the voltage-current characteristics of the arc. As examples, two variants of static voltage-current characteristics with an unspecified and determined ignition voltage value are considered. In simulations of electrical processes in an AC circuit with the modified electric arc model, slow and fast changes in the column length were used. The effect of these changes on the static characteristics parameters was approximated by power functions. The calculations resulted in obtaining dynamic voltage-current characteristics with correct shapes over a wide range of current changes.
Wskazano na potrzebę rozwijania teorii modelowania łuków elektrycznych z dynamicznie zmiennymi parametrami. Zmodyfikowanie modelu Mayra–Pentegowa pozwoliło odwzorować wpływ zmian statycznych i dynamicznych parametrów kolumny plazmowej na charakterystyki napięciowo-prądowe łuku. Jako przykłady rozpatrzono dwa warianty charakterystyk napięciowo-prądowych statycznych z nieokreśloną i określoną wartością napięcia zapłonu. W symulacjach procesów elektrycznych w obwodzie prądu przemiennego ze zmodyfikowanym modelem łuku elektrycznego zastosowano powolne i szybkie zmiany długości kolumny. Wpływ tych zmian na parametry charakterystyk statycznych aproksymowano funkcjami potęgowymi. Jako wyniki obliczeń otrzymano charakterystyki napięciowo-prądowe dynamiczne o prawidłowych kształtach w szerokim zakresie zmian natężenia prądu.
Źródło:
Acta Energetica; 2020, 3; 8--15
2300-3022
Pojawia się w:
Acta Energetica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of the etching time and current density on Capacitance-Voltage characteristics of P-type of porous silicon
Autorzy:
Hadi, Hasan A.
Abood, Tareq H.
Mohi, Ali T.
Karim, Mahmood S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178661.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
electrochemical etching
heterojunction
porous silicon
thin films
Opis:
In This paper, electrochemical etching teqniques was using to formation of nano crystalline porous silicon layer on p-type Si substrates. Measurement of capacitance – voltage characteristics at various etching time and current densities were used for calculated built in voltage and type of heterojunction. The built in voltage values were decreased with increasing etching time and current densities for both anisotype Al/PS/p-Si/Al heterojunction. These characteristics are interpreted by assuming the abrupt heterojunction model. The effect of different etching time and current densities on electrical properties of PS have been investigated.
Źródło:
World Scientific News; 2017, 67, 2; 149-160
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the bending strain influence on the currentvoltage characteristics of htc superconducting tapes
Analiza wpływu odkształcenia przy zginaniu na charakterystyki prądowo-napięciowe wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych
Autorzy:
Sosnowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408406.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
bending strain
current-voltage characteristic
HTc superconductors
capturing effect
odkształcenie przy zginaniu
charakterystyka prądowo-napięciowa
nadprzewodnik wysokotemperaturowy
efekt zakotwiczenia
Opis:
Analysis of the influence of the bending strain on the electric properties of the HTc superconducting tapes is presented. The results of experimental investigations in liquid nitrogen temperature of the current-voltage characteristics and critical current of Bi-based tape are given for various bending strain values. Theoretical model of obtained dependences is proposed, while results of numerical calculations are in qualitative agreement with experimental data.
Przeprowadzono analizę wpływu odkształcenia przy zginaniu na elektryczne własności wysokotemperaturowych taśm nadprzewodnikowych. Zaprezentowano wyniki badań doświadczalnych w temperaturze ciekłego azotu charakterystyk prądowo-napięciowych i prądu krytycznego taśm nadprzewodnikowych opartych na bizmucie, w funkcji wartości odkształcenia przy zginaniu. Teoretyczny model otrzymanych zależności został zaproponowany, którego numeryczne rezultaty są w dobrej jakościowej zgodności z wynikami doświadczalnymi.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 1; 67-70
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 19

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies