Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Werner, E." wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Innowacje w firmach handlowych
Innovations in trade firms
Autorzy:
Białoń, L.
Werner, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227491.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wyższa Szkoła Menedżerska w Warszawie
Opis:
W artykule zostały zdefiniowane innowacje w handlu oraz przedstawiono ich rodzaje. Specjalną uwagę poświęcono innowacjom marketingowym i znaczeniu handlu dla realizacji innowacji społecznych. Zwrócono też uwagę, iż firmy handlowe są głównym obszarem realizacji efektów innowacji.
In the article the concept of innovation as applied to trade is defined and elaborated (different kinds of innovations are distinguished). Considerations focus especially on the innovations in marketing as well as on the importance of trade for the realization of social innovation. It is also noted that trading companies are a major area in which the effects of innovations are realized.
Źródło:
Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego; 2011, 1; 139-144
0867-793X
2719-3691
Pojawia się w:
Postępy Techniki Przetwórstwa Spożywczego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Annealing on the Crystal Structure and Microstructure of Pr Doped $ZrO_{2}-Y_{2}O_{3}$ Nanocrystals
Autorzy:
Werner-Malento, E.
Paszkowicz, W.
Fidelus, J.
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1550117.pdf
Data publikacji:
2010-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.-w
61.66.Fn
81.40.-z
Opis:
Rare-earth doped nanocrystalline yttria-stabilized zirconia (YSZ, $ZrO_{2}-Y_{2}O_{3}$) is, recently, a subject of studies because of its luminescent properties. The luminescence may be strongly influenced by the crystal structure and microstructure of the material. In this work, the X-ray diffraction study for Pr doped YSZ nanocrystals is presented. The phase composition dependence on the $Y_{2}O_{3}$ content and on heat treatment conditions is quantitatively determined using the Rietveld method and the similarities and differences between the present data for doped samples and earlier reported data for undoped material are discussed. A formation of high symmetry phases (cubic and tetragonal) is observed for high yttria content in agreement with general tendencies observed in literature for undoped samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 91-97
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Equation of State of Zircon-Type $TbVO_{4}$
Autorzy:
Minikayev, R.
Paszkowicz, W.
Werner-Malento, E.
Lathe, C.
Dąbkowska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538929.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
62.50.-p
61.50.Ks
64.30.Jk
Opis:
High-pressure energy-dispersive X-ray diffraction study were performed on zircon-type phase of terbium orthovanadate, $TbVO_{4}$, in the pressure range up to 7 GPa. For analysis of the collected diffraction spectra, Le Bail refinements were performed. The values of bulk modulus and its pressure derivative ($B_0$ = 121 GPa, B' = 4.1) were obtained from fitting of the second-order Birch-Murnaghan equation of state. The equation of state derived for $TbVO_{4}$, is compared with earlier data based on the Raman spectroscopic studies and with data of several other rare-earth orthovanadates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 319-322
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An apparatus for sequential pulsed plasma beam treatment in combination with Arc PVD deposition
Autorzy:
Stanisławski, J.
Piekoszewski, J.
Richter, E.
Werner, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147034.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
Arc-PVD
interlayer
pulse plasma treatment
Opis:
A hybrid type of apparatus is described which enables one to form a thin multi-layer film on the surface of any kind of solid substrate. In one process, the surface is treated with a high intensity pulse plasma beam which introduces the chosen kind of atoms into the near-surface layer of the substrate. In the second process, following the first without breaking the vacuum, the coating is formed by arc PVD (physical vapour deposition) process. Two examples of coatings formed on metallic and ceramic substrates are presented.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47, 3; 119-122
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Superconductivity in Indium Diffused GaAs
Autorzy:
Baranowski, J. M.
Wójcik, P.
Palczewska, M.
Jabłoński, R.
Weber, E. R.
Yau, W. P.
Sohn, H.
Werner, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921582.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.Mq
76.20.+q
Opis:
Superconductivity of indium diffused GaAs was investigated. The superconductivity in these samples was identified by the magnetic susceptibility and the characteristic field modulated microwave absorption. The static magnetic susceptibility was measured from 40 K down to 2.5 K. The result shows two distinctive diamagnetic contributions within 7 K-2.5 K range. These diamagnetic contributions were correlated with the excess of In and Ga metal in GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 670-673
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bezpieczeństwo informacyjne organizacji
Information security in organisations
Autorzy:
Werner, J.
Szczepaniuk, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/119480.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Akademia Sztuki Wojennej
Tematy:
bezpieczeństwo informacyjne
System Zarządzania Bezpieczeństwem Informacji
modele zarządzania bezpieczeństwem informacji
ochrona informacji
information security
management information security models
information protection
Opis:
W artykule zostały przedstawione rekomendowane metody projektowania systemu zarządzania bezpieczeństwem informacji w organizacji. W analizie uwzględniono istotę i elementy bezpieczeństwa informacji oraz relacje między nimi. Systemowe podejście do badanego obszaru wymagało charakterystyki podstaw prawnych oraz modeli bezpieczeństwa informacji (ISO/IEC oraz TISM). Ponadto przedstawione zostały metody wdrożenia i eksploatacji oraz monitorowania systemu bezpieczeństwa informacji w organizacji. Artykuł zamyka prezentacja wyników badań empirycznych przeprowadzonych przez autorki w jednostkach sektora publicznego i prywatnego oraz wnioski i rekomendacje w przedmiotowym zakresie.
The paper presents recommended methods of information security systems designs. The analysis comprises the essence and elements of information security, but also the relations between them. The systemic approach to the studied area required providing characteristics of legal basis and information security models – ISO/IEC and TISM. Also characterised were the implementation, exploitation, and monitoring methods of information systems. The paper concludes with a presentation of results of empirical research conducted in public and private sector entities, as well as conclusions and recommendations.
Źródło:
Zeszyty Naukowe AON; 2016, 4(105); 167-187
0867-2245
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe AON
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ion Implantation and Transient Melting: A New Approach to Formation of Superconducting MgB$\text{}_{2}$ Phases
Autorzy:
Piekoszewski, J.
Kempiński, W.
Stankowski, J.
Prokert, F.
Richter, E.
Stanisławski, J.
Werner, Z.
Szymczyk, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041609.pdf
Data publikacji:
2004-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.-b
74.78.-w
Opis:
An attempt to synthesize superconducting MgB$\text{}_{2}$ inter-metallic compound from the liquid state is presented. The process consists of two steps. In the first one, boron ions are implanted into a magnesium substrate. In the second one, the near-surface region of such system is melted by short, intense hydrogen plasma pulses without necessity of annealing in Mg vapor. A magnetically modulated microwave absorption method was used to detect superconducting regions in the obtained MgB$\text{}_{2}$ layer. Percolation between nano-regions (islands) of MgB$\text{}_{2}$ has not been observed. However, a superconducting state of the insulated islands has been experimentally proven with transition temperatures T$\text{}_{C}$ as high as 31 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 6; 861-868
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High - temperature oxidation resistance in yttrium implanted stainless steel
Autorzy:
Barlak, M.
Piekoszewski, J.
Werner, Z.
Sartowska, B.
Waliś, L.
Starosta, W.
Kierzek, J.
Kowalska, E.
Wilhelm, R. A.
Pochrybniak, C.
Woźnica, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146785.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
high-temperature oxidation resistance
ion implantation
yttrium
Opis:
Austenitic AISI 304, 316L and ferritic 430 stainless steels were implanted with yttrium to fluences ranging between 1 x 1015 and 5 x 1017 ions/cm2. The samples were subjected to oxidation in air at a temperature of 1000 centigrade for a period of 100 h and next examined by stereoscopic optical microscopy (OM), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) and Rutherford back scattering spectrometry (RBS). The results obtained with the use of ion implantation are discussed.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 4; 473-476
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Channeling Study of Co and Mn Implanted and Thermally Annealed Wide Band-Gap Semiconducting Compounds
Autorzy:
Ratajczak, R.
Werner, Z.
Barlak, M.
Pochrybniak, C.
Stonert, A.
Zhao, Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402209.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
The defect build-up, structure recovery and lattice location of transition metals in ion bombarded and thermally annealed ZnO and GaN single crystals were studied by channeled Rutherford backscattering spectrometry and channeled particle-induced X-ray emission measurements using 1.57 MeV ⁴He ions. Ion implantation to a fluence of 1.2×10¹⁶ ions/cm² was performed using 120 keV Co and 120 keV Mn ions. Thermal annealing was performed at 800°C in argon flow. Damage distributions were determined using the Monte Carlo McChasy simulation code. The simulations of channeled Rutherford backscattering spectra reveal that the ion implantation leads to formation of two types of defect structures in ZnO and GaN such as point and extended defects, such as dislocations. The concentrations of both types of defects are at a comparable level in both structures and for both implanted ions. Differences between both implantations appear after thermal annealing where the Mn-doped ZnO reveals much better transition metals substitution and recovery effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 845-848
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies