Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "78.55.-m" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 351
Tytuł:
Acceptor-Like Level of the EL2 Defect in its Metastable Configuration
Autorzy:
Dreszer, P.
Baj, M.
Babiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879457.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
This paper presents for the first time the evident experimental confirmation that EL2 defect, while being in its metastable configuration, traps under hydrostatic pressure an additional electron, i.e. the acceptor-like (EL2*)$\text{}^{0}$ $\text{}^{/}$ $\text{}^{-}$ level enters the energy gap under pressure. We propose that in n-GaAs the EL2 thermal recovery takes always place via the (EL2*)$\text{}^{-}$ state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 129-132
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of Free Exciton Capture Cross Section of Si:Al by Photoluminescence
Autorzy:
Schramm, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887812.pdf
Data publikacji:
1991-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
Opis:
The free excitons capture rate and capture cross-section of the neutral Al atom in silicon were determined at 4.2 K. The obtained values are of the same order of magnitude as reported values of other shallow dopants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 6; 869-872
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Hydrostatic Pressure on InP:Yb Luminescence
Autorzy:
Stąpor, A.
Kozanecki, A.
Reimann, K.
Syassen, K.
Weber, J.
Moser, M.
Scholz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886707.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.55.Cr
Opis:
Tle effects of hydrostatic pressure on the InP:Yb luminescence were explored using a gasketed diamond anvil cell (DAC). The pressure dependence of the Yb$\text{}^{3+}$ luminescence shows a small positive shift (0.96 meV/GPa) at low pressures (< 4 GPa) and a negative one (-0.04 meV/GPa) above 4 GPa. The spectra of the Yb$\text{}^{3+}$ emission differ markedly in these two pressure ranges. It was concluded that intra-4f-shell transitions of the Yb$\text{}^{3+}$ on indium substitutional (Td) site dominate in the spectrum above 4 GPa, whereas at lower pressures the emission has a different nature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 315-318
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ionization Energies of RE Ions in wide Bandgap Sulphides
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewskl, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879958.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
Opis:
An analysis of rare earth (RE) energy level positions in wide bandgap sulphides is presented. It is shown that the Jörgensen's refined spin-pairing energy theory (RESPET) predicts correctly the photo-ionization (PI) energy of Sm in ZnS.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 247-250
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Iron Impurity Related Optical Transitions in HgSe:Fe
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Julien, C.
Balkanski, M.
Arciszewska, M.
Witkowska, B.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891323.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Fr
71.70.-d
78.50.Ge
Opis:
Fe$\text{}^{2+}$ crystal field transitions and the heavy hole valence band to the Fe level transitions (e + Fe$\text{}^{3+}$ → Fe$\text{}^{2+}$) have been observed and discussed for HgSe doped with iron.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 437-440
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the Nature of Eu-Related Emissions in ZnS and CaS
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Niinistö, L.
Leskelä, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879960.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
71.35.+z
78.55.Et
Opis:
The Eu-connected recombination processes in ZnS and CaS are analyzed on the basis of optical studies. A new Eu-related emission in ZnS is attributed to the recombination of an exciton bound at the Eu$\text{}^{2+}$ center, while in CaS the emission is dominated by the direct Eu$\text{}^{2+}$ intra-ion transition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 255-257
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Properties of Iodine Doped n-Type ZnSe Crystals
Autorzy:
Balcerzyk, M.
Firszt, F.
Męczyńska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886616.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
72.20.My
78.55.Et
Opis:
We have studied the electrooptical properties of ZnSe single crystals doped with iodine by diffusion at high temperature. The obtained samples are highly conductive. The luminescence at 300 K (RT) is dominated by well known self activated orange emission. At 30 K the blue and orange emission is observed. The ratio of the blue emission peak intensity to the deep level one is much greater for the iodine doped samples than for the undoped intentionally ones.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 299-302
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Te-Related Shallow Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Godlewski, M.
Fronc, K.
Chen, W. M.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890838.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The first studies of the Optically Detected Magnetic Resonance (ODMR) of Te-doped (x = 0.42) are presented. The ODMR data indicate an efficient energy transfer between epilayer and GaAs substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 341-344
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Physics of Solid-State Laser Materials
Autorzy:
Wojtowicz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888052.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Rz
78.50.-w
78.55.-m
Opis:
A survey of the physical properties of solid state materials activated with d$\text{}^{2}$, d$\text{}^{3}$ and d$\text{}^{8}$ transition metal ions is presented in the context of tunable laser operation. An emphasis is put on common characteristics of all three systems, like a strong electron-phonon coupling and similar electronic structures. The conditions necessary to obtain a tunable operation and to avoid an overlap of the excited state absorption and emission are formulated. It is shown that the d$\text{}^{3}$ configuration system has the largest range of allowed values of the crystal field parameter 10Dq.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 193-205
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes for Deep Impurity States Degenerate with the Conduction Band
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Kaliński, Z.
Przybylińska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879955.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.50.-w
76.30.Kg
78.55.Hx
Opis:
We report on the studies of autoionization efficiency and the relevant recombination mechanism for Eu$\text{}^{2+}$ in Ca$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$F$\text{}_{2}$ depending on the energy level position of Eu$\text{}^{2+}$ excited states in respect to the conduction band states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 243-246
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes in ZnSe:Eu
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890962.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Kg
78.50.Ge
Opis:
The photo-ESR and photoluminescence experiments have been performed on high-resistivity ZnSe:Eu crystals. We report the first evidence that the energy level of Eu$\text{}^{2+}$ ground state is located within the ZnSe forbidden gap, approximately 2.1 eV below the bottom of the conduction band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 381-384
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin-Orbit Coupling in Cr$\text{}^{3+}$ Ion in Solid State Materials
Autorzy:
Wojtowicz, A. J.
Grinberg, M.
Łempicki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879947.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
Opis:
In this paper we introduce a new model describing the coupling of $\text{}^{2}$E and $\text{}^{4}$T$\text{}_{2}$ states of octahedrally coordinated Cr$\text{}^{3+}$ ion, which includes spin-orbit and electron-lattice interactions and takes into account the electronic structure of both states. The model is used to calculate doublet lifetime. We have applied this model to the series of Cr$\text{}^{3+}$ doped garnets characterized by the varying crystal field parameter 10 Dq and O$\text{}_{h}$ symmetry of the Cr site and to the kyanite (Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$:SiO$\text{}_{2}$), which is the case of different Cr$\text{}^{3+}$ sites in one material, characterized by the relatively large component of the low symmetry crystal field. The agreement with experiment is reasonable.Z
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 235-238
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Luminescence and EPR Characterisation of Neutron Transmutation Doped Gallium Phosphide
Autorzy:
Gołdys, E.
Godlewski, M.
Sienkiewicz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879964.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Hg
78.55.Cr
76.30.Lh
Opis:
The photoluminescence and EPR measurements of neutron irradiated and annealed GaP samples are presented. Both methods confirm the presence of neutral Ge$\text{}_{Ga}$. The EPR spectrum gives also an indication of interstitial Ge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 259-262
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Donor Generation in Boron- and Aluminium-Doped Czochralski Silicon
Autorzy:
Kopalko, K.
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890843.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
Generation of thermal donor centres in oxygen-rich silicon doped with boron and aluminium acceptors has been studied with the FTIR technique. It has been found that upon annealing 470°C two kinds of absorption series were generated. One of them belonged to the well-known first ionization level of silicon thermal (double) donors (TD's): TD°/TD$\text{}^{+}$ . The second series was identified with the so-called shallow thermal donors (STD's). The generation kinetics of the two series was followed for both kinds of acceptor doping and significant differences has been found. The results of the FTIR investigations were further compared with the magnetic resonance findings allowing for their mutual correlation and more general conclusions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Karpińska, K.
Godlewski, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Chen, W. M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 351

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies