Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Determination of Free Exciton Capture Cross Section of Si:Al by Photoluminescence

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Determination of Free Exciton Capture Cross Section of Si:Al by Photoluminescence
Autorzy:: Schramm, G.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1887812.pdf
Data publikacji:: 1991-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.-m
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 6; 869-872
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The free excitons capture rate and capture cross-section of the neutral Al atom in silicon were determined at 4.2 K. The obtained values are of the same order of magnitude as reported values of other shallow dopants.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Determination of Free Exciton Capture Cross Section of Si:Al by Photoluminescence

Powiązane pozycje