Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Recombination Processes in ZnSe:Eu

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Recombination Processes in ZnSe:Eu
Autorzy:: Świątek, K.
Godlewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890962.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.Kg
78.50.Ge
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 381-384
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The photo-ESR and photoluminescence experiments have been performed on high-resistivity ZnSe:Eu crystals. We report the first evidence that the energy level of Eu$\text{}^{2+}$ ground state is located within the ZnSe forbidden gap, approximately 2.1 eV below the bottom of the conduction band.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Recombination Processes in ZnSe:Eu

Powiązane pozycje