Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "(ga)." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 459
Tytuł:
Microstructure of V3Ga superconducting wire using high Ga content Ti-Ga/V precursor composite material
Mikrostruktura nadprzewodzącego drutu V3Ga wytworzonego przy użyciu związku TiGa3 o wysokiej zawartości Ga
Autorzy:
Murakami, S.
Matsuda, K.
Kawabata, T.
Hishinuma, Y
Ikeno, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355932.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
superconductor
Ti-Ga/V precursor composite material
V-Ga phase
TEM
microstructure
drut nadprzewodzący
Ti-Ga/V materiał kompozytowy
faza V-Ga
mikrostruktura
Opis:
Our co-workers, Hishinuma et. al. have fabricated the V3Ga compound wire by a new process using a high Ga content Ti-Ga compound in order to improve the superconducting property of the wire. In this study, we investigated microstructures of this wire to clarify the existence of V3Ga phase. The different contrasts of the matrix, two V-Ga phases and Ti-Ga core were observed by SEM observation. Two V-Ga phases were also confirmed. The ratio of V to Ga for two V-Ga phases was respectively 3:1 and 6:5 according to the EDS result. And these two phases were confirmed as V3Ga and V6Ga5.
Hishinuma i współpracownicy wytworzyli drut związku międzymetalicznego V3Ga przy użyciu nowej metody wykorzystującej związek międzymetaliczny Ti-Ga o wysokiej zawartości Ga celem poprawy właściwości nadprzewodzących drutu. Zbadaliśmy mikrostrukturę drutu, aby zweryfikować obecność fazy V3Ga. W trakcie badań SEM zaobserwowano zróżnicowany kontrast w osnowie oraz istnienie dwóch faz V-Ga i rdzenia T-Ga. Analiza EDS potwierdziła istnienie dwóch faz z układu V-Ga, w których stosunek V do Ga wynosi odpowiednio 3:1 i 6:5. Potwierdzono, ze te dwie fazy to V3Ga i V6Ga5.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 325-326
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructure evaluation of Ni-Mn-Ga alloy
Mikrostruktura stopu Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Flaga, S.
Kata, D.
Sapiński, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/368870.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
MSMA
stop Ni-Mn-Ga
Ni-Mn-Ga alloy
Opis:
This paper summarises the applications of MSMA materials, outlines the mechanism of magnetic shape memory effect and provides the procedure for microstructure evaluation of samples as well as the results of microstructure analysis using the example of the Ni-Mn-Ga alloy.
W artykule scharakteryzowano zastosowania materiałów z magnetyczną pamięcią kształtu (MSMA). Opisano mechanizm działania magnetycznej pamięci kształtu. Przedstawiono procedurę mikroskopowej oceny próbki i jej wyniki na przykładzie stopu Ni-Mn-Ga.
Źródło:
Mechanics and Control; 2010, 29, 1; 6-10
2083-6759
2300-7079
Pojawia się w:
Mechanics and Control
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Calorimetric Measurements of Ga-Li System by Direct Reaction Method
Autorzy:
Dębski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/350810.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium-lithium system
Ga-Li
calorimetry
thermochemistry
Opis:
The direct reaction calorimetric method was used for the determination of the formation enthalpy of alloys which concentrations correspond to the: Ga7Li2, Ga9Li5, GaLi, Ga4Li5, Ga2Li3, and GaLi2 intermetallic phases. The obtained experimental values of the formation enthalpy were: –18.1 ±0.8 kJ/mol at., –26.5 ±0.3 kJ/mol at., –34.7 ±0.3 kJ/mol at., –33.5 ±0.5 kJ/mol at., –32.8 ±0.3 kJ/mol at. and –24.6 ±1.4 kJ/mol at., respectively. After the calorimetric measurements, all the samples were checked by way of X-ray diffraction investigations to confirm the structure of the measured alloys. All the measured values of the formation enthalpy of the Ga-Li alloys were compared with literature data and the data calculated with use of the Miedema model.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2A; 919-926
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Szczerba, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
shape memory alloys
martensite
Ni-Mn-Ga single crystals
interface
stopy z pamięcią kształtu
martenzyt
monokryształy Ni-Mn-Ga
interfejs
Opis:
The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.
W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gramatika dyadického textu
Autorzy:
Škvareninová, Ol'ga
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921642.pdf
Data publikacji:
1995
Wydawca:
Uniwersytet Opolski
Opis:
In the text dyadic communication is defined as a specific type of dialogue which is realized interactionally in a concrete, maximal personal situation between two partners who use verbal and nonverbal elements of different semiotical levels. During dyadic communication dyadic text is being produced. Dyadic text has its own typical stylistics formed by verbal and nonverbal elements which represent grarnmar of dyadic text. Ali these elements are divided into the - following - groups: the opening of dyadic communication, the immediate activity, the request for activity, the repetiton of speaker's statement, the completion of speaker's statement, the request for clarification, the closing of dyadic communication. Our research shows that in dyadic communication such specific verbal and nonverbal elements are used that we can talk about grarnmar of dyadic text.
Źródło:
Stylistyka; 1995, 4; 204-209
1230-2287
2545-1669
Pojawia się w:
Stylistyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
"Kiedy zaś nadeszła pełnia czasu" (Ga 4, 4)
Autorzy:
Ordon, Hubert
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178489.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Katolicki Uniwersytet Lubelski Jana Pawła II
Tematy:
Ga 4
4
kontekst literacki
teologia
Gal 4
literary context
theology
Opis:
Die literarische Analyse der Perikope Ga 4, 1-7 zeigt auf, dass sie eine konzentrische Struktur bildet. In ihrem Zentrum befindet sich die Aussage von Ga 4, 4. Zugleich ais theologisches Zentrum der ganzen Einheit weist sie aufden soteriologischen Wendepunkt der Weltund Menschengeschtchte hin. Seine einzigartige heilsgeschichtliche Bedeutungnhebt der antithetische Parallelismus zwischen Ga 4, 1-3 und Ga 4, 5-7 hervor. Dadurch wird nämlich die Situation des Menschen vor und nach der Inkarnation Jesu klar dargestellt. Auf diesem literarisch- teologischen Hintergrund bekommt seinen eigentlichen Sinn der einfuhrende Satz: „Ais die Fulle der Zeit gekommen ist”. Es geht darin nicht nur um das Erfiilltwerden der alttestamentlichen Zeit der Verheissung und Prophetie, sondern auch um den Vollmass die inhaltliche Erfüllung der Zeit mit der Menschwerdung des Gottessohnes und zugleich um den Anfang der eschatologichen Periode mit ihrem ganzen heilsgeschichtlichen Inhalt. Auf diese Weise wird die jśulinische „Fulle der Zeit” zur Mitte der Zeit - summum temporis.
Źródło:
The Biblical Annals; 2001, 48, 1; 105-119
2083-2222
2451-2168
Pojawia się w:
The Biblical Annals
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Some new inequalities of Hermite-Hadamard type for GA-convex functions
Autorzy:
Dragomir, Sever S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/747264.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej. Wydawnictwo Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej
Tematy:
Convex functions
integral inequalities
GA-convex functions
Hermite-Hadamard inequalities
Opis:
Some new inequalities of Hermite-Hadamard type for GA-convex functions defined on positive intervals are given. Refinements and weighted version of known inequalities are provided. Some applications for special means are also obtained.
Źródło:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, sectio A – Mathematica; 2018, 72, 1
0365-1029
2083-7402
Pojawia się w:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, sectio A – Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault location technique using GA-ANFIS for UHV line
Autorzy:
Banu, G.
Suja, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141254.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
GA – ANFIS
fault location
Fault resistance
one end data
UHV line
Opis:
This paper presents an improved approach for locating and identifying faults for UHV overhead Transmission line by using GA-ANFIS. The proposed method uses one end data to identify the fault location. The ANFIS can be viewed either as a Fuzzy system, neural network or fuzzy neural network FNN. The integration with neural technology enhances fuzzy logic system on learning capabilities are proposed to analyze the UHV system under different fault conditions. The performance variation of two controllers in finding fault location is analyzed. This paper analyses various faults under different conditions in an UHV using Matlab/simulink. The proposed method is evaluated under different fault conditions such as fault inception angle, fault resistance and fault distance. Simulation results confirm that the proposed method can be used as an efficient for accurate fault location on the transmission line.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2014, 63, 2; 247-262
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 459

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies