Microstructure of V3Ga superconducting wire using high Ga content Ti-Ga/V precursor composite material Mikrostruktura nadprzewodzącego drutu V3Ga wytworzonego przy użyciu związku TiGa3 o wysokiej zawartości Ga
Our co-workers, Hishinuma et. al. have fabricated the V3Ga compound wire by a new process using a high Ga content Ti-Ga compound in order to improve the superconducting property of the wire. In this study, we investigated microstructures of this wire to clarify the existence of V3Ga phase. The different contrasts of the matrix, two V-Ga phases and Ti-Ga core were observed by SEM observation. Two V-Ga phases were also confirmed. The ratio of V to Ga for two V-Ga phases was respectively 3:1 and 6:5 according to the EDS result. And these two phases were confirmed as V3Ga and V6Ga5.
Hishinuma i współpracownicy wytworzyli drut związku międzymetalicznego V3Ga przy użyciu nowej metody wykorzystującej związek międzymetaliczny Ti-Ga o wysokiej zawartości Ga celem poprawy właściwości nadprzewodzących drutu. Zbadaliśmy mikrostrukturę drutu, aby zweryfikować obecność fazy V3Ga. W trakcie badań SEM zaobserwowano zróżnicowany kontrast w osnowie oraz istnienie dwóch faz V-Ga i rdzenia T-Ga. Analiza EDS potwierdziła istnienie dwóch faz z układu V-Ga, w których stosunek V do Ga wynosi odpowiednio 3:1 i 6:5. Potwierdzono, ze te dwie fazy to V3Ga i V6Ga5.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00