Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys

Tytuł:
Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Szczerba, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
shape memory alloys
martensite
Ni-Mn-Ga single crystals
interface
stopy z pamięcią kształtu
martenzyt
monokryształy Ni-Mn-Ga
interfejs
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
1733-3490
Język:
angielski
Prawa:
CC BY-NC-ND: Creative Commons Uznanie autorstwa - Użycie niekomercyjne - Bez utworów zależnych 3.0 PL
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.

W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies