Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wróbel, E." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-13 z 13
Tytuł:
Influence of Cadmium on Physiological Parameters of Clone Jorr of Basket Willow (Salix viminalis L) from Aquatic Cultures
Wpływ kadmu na parametry fizjologiczne klonu Jorr wierzby wiciowej (Salix viminalis L) z kultur wodnych
Autorzy:
Malinowska, K.
Mikiciuk, M.
Wróbel, J.
Czeżyk, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/389622.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
Salix viminalis
kadm
asymilacja CO2
transpiracja
barwniki asymilacyjne
bilans wodny
cadmium
CO2 assimilation
transpiration
assimilation dyes
water balance
Opis:
In the experiment the effect of differentiated doses of cadmium (0; 1.4; 28; 280 mg dm–3), applied in the form of CdCl2 on selected physiological parameters of clone Jorr Salix viminalis, cultivated in water cultures with Hoagland’s medium was determined. The statistical analysis of the results showed a significant influence of cadmium on the examined physiological parameters of clone Jorr. The addition of CdCl2 to the medium in a dose of 280 mg dm–3 caused a decrease in intensity of CO2 assimilation of the examined clone by 70 % and transpiration by nearly 83 % in relation to the intensity of these processes in control leaves. A positive significant correlation between assimilation of CO2 and transpiration was recorded. At all the dates of studies decreased contents of both chlorophyll and carotenoids in leaves were obtained after the application of three doses of cadmium chloride. The increase in the concentration of cadmium salt caused a decrease in the relative water content index (RWC) and an increase in the water saturation deficit (WSD) in the leaves of clone Jorr.
W przeprowadzonym doświadczeniu określano wpływ zróżnicowanych dawek kadmu (0; 1,4; 28; 280 mg dm-3), zastosowanych w formie CdCl2 na wybrane parametry fizjologiczne klonu Jorr Salix viminalis L., uprawianej w kulturach wodnych z pożywką Hoaglanda. Analiza statystyczna wyników wykazała istotny wpływ kadmu na badane parametry fizjologiczne klonu Jorr. Dodatek do pożywki CdCl2 w dawce 280 mg dm-3 spowodował obniżenie intensywności asymilacji CO2 badanego klonu o 70 %, a transpiracji o prawie 83 % w stosunku do intensywności tych procesów w liściach kontrolnych. Stwierdzono statystycznie istotną dodatnią korelację między asymilacją CO2 a transpiracją. We wszystkich terminach badań uzyskano obniżone zawartości zarówno chlorofilu, jak i karotenoidów w liściach po zastosowaniu trzech dawek chlorku kadmu. Wzrost stężenia soli kadmu spowodował spadek wskaźnika względnej zawartości wody (RWC) oraz wzrost deficytu wysycenia wodą (WSD) w liściach klonu Jorr.
Źródło:
Ecological Chemistry and Engineering. A; 2011, 18, 5-6; 763-770
1898-6188
2084-4530
Pojawia się w:
Ecological Chemistry and Engineering. A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System monitorowania drgań gruntu wywołanych silnymi wstrząsami na powierzchni obszaru górniczego O/ZG Rudna
Surface seismic monitoring system in the Rudna mining area in the aspects of recorded high-energy mining tremors
Autorzy:
Koziarz, E.
Wróbel, J.
Anderko, A.
Mirek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/166279.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Górnictwa
Tematy:
sejsmologia górnicza
oddziaływanie wstrząsów na powierzchnię
monitoring sejsmiczny
mining seismology
impact of mining tremors on the surface
seismic monitoring
Opis:
W referacie przedstawiono aktualną bazę pomiarową oraz wyniki rejestracji oddziaływania wstrząsów na powierzchnię terenu górniczego O/ZG Rudna w latach 2013-2014. Stwierdzono, że maksymalne amplitudy rejestrowanych przyspieszeń drgań osiągają duże wartości, przekraczające 2000 mm/s2. Drgania te nie powodują trwałych uszkodzeń budynków oraz Obiektu Unieszkodliwiania Odpadów Wydobywczych „Żelazny Most”.
This paper presents the current surface measurement base and the results of the recordings of the impact of tremors on the surface mining area Rudna in 2013-2014. It was found that the maximum amplitude of the recorded acceleration achieves high values of 2000 mm/s2 and more. These vibrations do not cause permanent damage to the buildings and the impacts on mining waste treatment facility „Iron Bridge”.
Źródło:
Przegląd Górniczy; 2015, 71, 10; 17-24
0033-216X
Pojawia się w:
Przegląd Górniczy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Ballistic Transport in Wires of n-PbTe
Autorzy:
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Dietl, T.
Papis, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Ueta, Y.
Sprinholtz, G.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968110.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
73.23.Ad
73.50.Dn
Opis:
We present results of magnetotransport studies on quantum wires of submicron PbTe epilayers, fabricated by means of electron beam lithography and dry etching. When the wire width is reduced down to 1 μm, the transition from diffusive to ballistic regime is observed. Effects associated with collimation and boundary scattering are found in the Hall, longitudinal, and van der Pauw magnetoresistance for wires and junctions in the shape of a cross.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 789-792
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low Temperature Processing of Nanostructures Based on II-VI Semiconductors Quantum Wells
Autorzy:
Majewicz, M.
Śnieżek, D.
Wojciechowski, T.
Baran, E.
Nowicki, P.
Wojtowicz, T.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376129.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
73.63.Hs
68.37.Hk
62.23.St
Opis:
We report the first results of electron beam lithography processes performed on polymethyl methacrylate (PMMA) and hydrogen silsesquioxane (HSQ) resists, which have been pre-backed in vacuum at T ≤ 90°C. For such low temperature processing the lithographical resolution is reduced as compared to standard procedures, however, the exposure contrast and adhesion to CdTe and HgTe substrates have been sufficient for the fabrication of sub-μ m quantum devices. Furthermore, the new method of electrical microcontact forming is proposed, based on the local melting and annealing of an indium metal layer, performed with the application of accelerated electron beam. The method has been tested for CdTe/CdMgTe quantum wells using the lithography techniques, the exposure parameters have been optimized by inspecting the morphology of annealed metal film via the in situ imaging.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1174-1176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-Doped Quantum Wells
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Jaroszyński, J.
Wróbel, J.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Papis, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Popović, D.
Dietl, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036881.pdf
Data publikacji:
2003-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.Nq
72.25.Dc
73.61.Ga
75.50.Pp
Opis:
The article reviews our recent studies on quantum Hall ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors. We carried out magnetoresistance studies on modulation-doped, gated heterostructures of (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te:I. We put into evidence the formation of Ising quantum Hall ferromagnet with Curie temperature T$\text{}_{C}$ as high as 2 K. Quantum Hall ferromagnetism is manifested by anomalous magnetoresistance maxima. Moreover, magnitude of these spikes depends dramatically on the history of the sample, shows hysteresis when either magnetic field or gate voltage are swept, stretched-exponential time evolution characteristic of glassy systems, and strong Barkhausen noise. Our study suggests that these metastabilities stem from the slow dynamics of ferromagnetic domains.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 2; 93-102
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magneto-Transport Characterization of Four-Arm Nanostructure Based on Ferromagnetic (Ga,Mn)As
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Tkaczyk, Z.
Łusakowska, E.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811912.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
Opis:
We report on results of magneto-transport measurements performed on four-arm nanostructure fabricated from p-type ferromagnetic $Ga_{0.92}Mn_{0.08}As$ layer. The results reveal hysteresis-like behaviors of low field magnetoresistance. We interpret the magnetoresistance in terms of domain walls, which are expected to be trapped inside the nanostructure at some particular positions and which contribute to the total resistance.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1049-1054
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Properties of ZnO Nanowires Grown on Ni Substrate
Autorzy:
Zaleszczyk, W.
Fronc, K.
Przeździecka, E.
Janik, E.
Czapkiewicz, M.
Wróbel, J.
Paszkowicz, W.
Kłopotowski, Ł.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Presz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812028.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Bf
81.05.Dz
81.07.Bc
Opis:
Photoluminescence studies of zinc oxide nanowires produced by a carbo-thermal method on a nickel foil substrate are reported. Two types of as-grown samples: the first - containing only buffer film, and the second - containing both zinc oxide nanowires and buffer film grown in the same technological process, were investigated by means of the temperature-dependent photoluminescence. X-ray diffraction measurements of buffer film show that it is polycrystalline and is composed from wurtzite-type ZnO (main phase) and includes minority phases: rock salt type (Ni,Zn)O and hexagonal C₃N₄. The shape of the apparently monocrystalline nanowires is characterized by hexagonal section matching with the expectations of the hexagonal ZnO structure. The presence of LO-phonon replicas in photoluminescence spectra for the second sample is used as an argument for confirmation that ZnO nanowires are single crystalline. The method of growth of ZnO nanowires on nickel oxide opens perspectives to produce $Zn_{1-x}Ni_{x}O$ diluted magnetic semiconductor nanowires.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1451-1456
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductance Fluctuations in Quantum Wires of n-CdTe and n-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Jaroszyński, J.
Wróbel, J.
Sawicki, M.
Skośkiewicz, T.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Dietl, T.
Kamińska, E.
Papis, E.
Barcz, A.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934061.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.15.Rn
73.61.Ga
73.20.Fz
Opis:
We present millikelvin studies of magnetoconductance in submicron wires of In-doped n$\text{}^{+}$-CdTe and n$\text{}^{+}$-Cd$\text{}_{0.99}$Mn$\text{}_{0.01}$Te epilayers. Weak-field magnetoresistance which arises from quantum localization as well as universal conductance fluctuations have been observed. The exchange coupling to magnetic impurities is shown to decrease the correlation field of the fluctuations. This novel effect is interpreted by invoking a new driving mechanism of the magnetoconductance fluctuations - the redistribution of the electrons between energy levels of the system, induced by the giant s-d spin-splitting of the electronic states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1000-1004
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductance Anomalies in Strained Quantum Wires: the Case of PbSe and PbTe
Autorzy:
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Dietl, T.
Sawicki, M.
Skośkiewicz, T.
Papis, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Frank, N.
Ueta, Y.
Sprinholtz, G.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950800.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Jv
Opis:
We show that conducting edge channels are formed in free standing wires of PbSe/BaF$\text{}_{2}$ and PbTe/BaF$\text{}_{2}$ as temperature is lowered. The effect results from spatially inhomogeneous strain caused by a difference between the thermal expansion coefficients of the epilayer and the substrate. The presence of the edge channels can explain anomalous mesoscopic effects observed previously in these wires.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 797-800
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrostatic Gates for GaN/AlGaN Quantum Point Contacts
Autorzy:
Czapkiewicz, M.
Cywiński, G.
Dybko, K.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Gierałtowska, S.
Guziewicz, E.
Skierbiszewski, C.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403637.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.61.Ng
73.23.-b
Opis:
We report on AlGaN/GaN quantum point contacts fabricated by using e-beam lithography and dry ion etching. The tunable nano-constrictions are defined by the integration of side and top gates in a single device. In this configuration, the planar gates are located on the both sides of a quantum channel and the metallic top gates, which cover the active region, are separated from the substrate by an insulating and passivating layers of $HfO_2$ or $Al_2O_3//HfO_2$ composite. The properties of devices have been tested at T = 4.2 K. For side gates we have obtained a very small surface leakage current $I_g < 10^{-11}$ A at gate voltages $|V_g|$ < 2 V, however, it is not enough to close the quantum channel. With top gates we have been able to reach the pinch-off voltage at $V_g$ = - 3.5 V at a cost of $I_g ≈ 10^{-6} A$, which has been identified as a bulk leakage current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1026-1028
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dimensional Crossovers in Magnetoresistance of Submicron Films and Wires of CdTe:In
Autorzy:
Jaroszyński, J.
Wróbel, J.
Sawicki, M.
Skośkiewicz, T.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Dietl, T.
Kamińska, E.
Papis, E.
Piotrowska, A.
Duś, R.
Nowakowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952536.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Jv
Opis:
We present millikelvin studies of magnetoresistance for epitaxial films and wires of CdTe:In. In comparison to the data with theoretical predictions for the weakly localized regime we put into the evidence the presence of the temperature-induced dimensional crossovers in the studied systems. Our measurements probe the electron phase-breaking rate and indicate that the main dephasing mechanism arises from electron scattering from thermal fluctuations of three- or two-dimensional electron liquid.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1027-1031
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Electrical Characterization of PbS-EuS Ferromagnetic Semiconductor Microstructures
Autorzy:
Wrotek, S.
Morawski, A.
Tkaczyk, Z.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Dybko, K.
Łusakowska, E.
Story, T.
Sipatov, A. Yu.
Pécz, B.
Grasza, K.
Szczerbakow, A.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038135.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Le
75.30.Et
75.70.Cn
Opis:
Current-voltage characteristics and temperature dependence of differential conductance were studied in lithographically patterned (lateral dimensions from 10 x 10 μm$\text{}^{2}$ to 100 x 100 μm$\text{}^{2}$) ferromagnetic EuS-PbS-EuS microstructures. Below the ferromagnetic transition temperature a 4% decrease in the structure conductance was observed for mutual antiferromagnetic orientation of magnetization vectors of ferromagnetic EuS layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 615-620
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vertical Electron Transport through PbS-EuS Structures
Autorzy:
Wrotek, S.
Dybko, K.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Figielski, T.
Tkaczyk, Z.
Łusakowska, E.
Story, T.
Sipatov, A. Yu.
Szczerbakow, A.
Grasza, K.
Wróbel, J.
Palosz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036032.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.Ck
75.30.Et
Opis:
Temperature dependence of current-voltage I-V characteristics and resistivity is studied in ferromagnetic PbS-EuS semiconductor tunnel structures grown on n-PbS (100) substrates. For the structures with a single (2-4 nm thick) ferromagnetic EuS electron barrier we observe strongly non-linear I-V characteristics with an effective tunneling barrier height of 0.3-0.7 eV. The experimentally observed non-monotonic temperature dependence of the (normal to the plane of the structure) electrical resistance of these structures is discussed in terms of the electron tunneling mechanism taking into account the temperature dependent shift of the band offsets at the EuS-PbS heterointerface as well as the exchange splitting of the electronic states at the bottom of the conduction band of EuS.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 629-635
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-13 z 13

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies