Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrostatic Gates for GaN/AlGaN Quantum Point Contacts

Tytuł:
Electrostatic Gates for GaN/AlGaN Quantum Point Contacts
Autorzy:
Czapkiewicz, M.
Cywiński, G.
Dybko, K.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Gierałtowska, S.
Guziewicz, E.
Skierbiszewski, C.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403637.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.61.Ng
73.23.-b
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1026-1028
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We report on AlGaN/GaN quantum point contacts fabricated by using e-beam lithography and dry ion etching. The tunable nano-constrictions are defined by the integration of side and top gates in a single device. In this configuration, the planar gates are located on the both sides of a quantum channel and the metallic top gates, which cover the active region, are separated from the substrate by an insulating and passivating layers of $HfO_2$ or $Al_2O_3//HfO_2$ composite. The properties of devices have been tested at T = 4.2 K. For side gates we have obtained a very small surface leakage current $I_g < 10^{-11}$ A at gate voltages $|V_g|$ < 2 V, however, it is not enough to close the quantum channel. With top gates we have been able to reach the pinch-off voltage at $V_g$ = - 3.5 V at a cost of $I_g ≈ 10^{-6} A$, which has been identified as a bulk leakage current.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies