Temat: Mn - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Tunnel Current Features Caused by Defect Assisted Process in Resonant-Tunnelling Structures
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Konakova, R. V.
Dobrowolski, W.
Mąkosa, A.
Kravchenko, L. N.
Gornev, E. S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1947897.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: An extra channel of electron tunnelling through a double-barrier resonant-tunnelling GaAs/AlGaAs heterostructure caused by impurity assisted tunnelling was identified. We argue that it is due to DX centres associated with dopant donor atoms which diffused into the AlGaAs barrier layer.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 727-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Fine Structure of Resonant-Tunneling Peak in GaAs/AlAs Double-Barrier Heterostructure
Autorzy:: Vitusevich, S. A.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Belyaev, A. E.
Konakova, R. V.
Kravchenko, L. N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872937.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: For the first time we observed a fine oscillatory structure, with the period of 36 mV, of the resonant tunneling peak in the current-voltage characteristic of a double-barrier heterostructure. We attribute it to a sequential single-phonon emission of ballistic electrons which tunneled out from the quantum well through the collector barrier.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 377-380
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Inelastic Electron Scattering in Double-Barrier Resonant Tunneling Structure Revealed with Photoexcitation
Autorzy:: Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Harness, P. C.
Singer, K. E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929767.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: We investigated current-voltage and photocurrent-voltage characteristics of a double-barrier resonant tunneling structure based on AlGaAs. To explain the observed "double-step" feature of the characteristics, we have proposed a mechanism including a multiple phonon emission of an electron dwelling in the quantum well.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 817-819
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Magnetically Controlled Interference of Ballistic Electrons Tunnelled throughout the Double-Barrier Resonator
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Vitusevich, S. A.
Belyaev, A. E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950748.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: An effect of magnetic field normal to the tunnel current on the amplitude and phase of the fine oscillatory structure, discovered in the resonance current-voltage curve in double-barrier AlAs/GaAs heterostructures, has been examined. All the obtained results are consistently explained in terms of the interference of ballistic electrons, escaped from the quantum well, in the collector part of the structure.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Effect of Magnetic Field on Fine Structure of Tunnel Current in Double-Barrier Resonant-Tunneling Devices
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933716.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: An effect of magnetic field on a fine oscillatory structure revealed in the resonant current flowing through double-barrier resonant-tunneling devices is examined. It is found that the observed variation of the fine structure in a magnetic field parallel to the current direction differs considerably from that appearing in tunnel current flowing through single-barrier structures. Experimental results are explained in terms of the quantum interference effect arising in structures having wide spacer layers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 675-678
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950747.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
68.35.Ct
Opis:: We argue that the well-boundary roughness in a double-barrier heterostructure induces subsidiary subbands in the quantum well which, in turn, lead to the appearance of a broad shoulder beyond the principal resonance peak in the current-voltage characteristics.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures with an Accumulation Layer
Autorzy:: Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wrotek, S.
Dobrowolski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992612.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
73.50.Jt
85.30.Mn
Opis:: Two modes of electron gas injection in resonant tunnelling through GaAs/AlGaAs double-barrier heterostructures were revealed while studying their current-voltage characteristics. Examining peculiarities of the characteristics within the temperature range 4-350 K and under a high magnetic field, we were able to distinguish the contribution to resonant tunnelling of ballistic electrons injected from a three-dimensional electron gas in the emitter contact and that of electrons injected from a two-dimensional electron gas in the accumulation layer formed near the emitter barrier.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja