Fine Structure of Resonant-Tunneling Peak in GaAs/AlAs Double-Barrier Heterostructure

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Fine Structure of Resonant-Tunneling Peak in GaAs/AlAs Double-Barrier Heterostructure
Autorzy:: Vitusevich, S. A.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Belyaev, A. E.
Konakova, R. V.
Kravchenko, L. N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872937.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 377-380
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

For the first time we observed a fine oscillatory structure, with the period of 36 mV, of the resonant tunneling peak in the current-voltage characteristic of a double-barrier heterostructure. We attribute it to a sequential single-phonon emission of ballistic electrons which tunneled out from the quantum well through the collector barrier.

Informacja

Powiązane pozycje