Tunnel Current Features Caused by Defect Assisted Process in Resonant-Tunnelling Structures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Tunnel Current Features Caused by Defect Assisted Process in Resonant-Tunnelling Structures
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Konakova, R. V.
Dobrowolski, W.
Mąkosa, A.
Kravchenko, L. N.
Gornev, E. S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1947897.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 727-730
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

An extra channel of electron tunnelling through a double-barrier resonant-tunnelling GaAs/AlGaAs heterostructure caused by impurity assisted tunnelling was identified. We argue that it is due to DX centres associated with dopant donor atoms which diffused into the AlGaAs barrier layer.

Informacja

Powiązane pozycje