Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "T., M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 41
Tytuł:
Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN
Autorzy:
Goldys, E. M.
Godlewski, M.
Tansley, T. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969082.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
81.15.Gh
61.16.Ch
78.30.-j
Opis:
Properties of GaN epilayers grown by laser-assisted chemical vapour deposition are discussed. Good crystallinity and surface morphology of the films is demonstrated. Micro-Raman spectra are explained by scattering by small, randomly oriented cubic phase units present in the GaN film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 331-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe$\text{}^{2+}$ → Fe$\text{}^{3+}$ Ionization Transition in ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929647.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
78.50.Ge
Opis:
Detailed photo-ESR study of iron and chromium impurities in ZnSe is presented. The energy level position of Fe$\text{}^{2+}\text{}^{/}\text{}^{3+}$ energy level is determined. The role of iron and chromium impurities in nonradiative recombination processes is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 547-550
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistable Behaviour of the New Shallow Thermal Donor in Aluminum Doped Silicon
Autorzy:
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929652.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
In the present study a new bistable shallow thermal donor in aluminum doped silicon was investigated by means of the Fourier transform infrared spectroscopy. The temperature dependence of the photo-conversion into the metastable state was established and some Hints for the origin of the metastability were given.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 555-558
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Studies of Ni doped ZnS and ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932084.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.He
78.55.Et
Opis:
The results of electron spin resonance experiments are presented for nickel doped ZnS and ZnSe. Energy level position of Ni$\text{}^{1+}$ state in band gap of ZnS and ZnSe is determined. The nonradiative recombination processes of donor-acceptor pairs in Ni doped samples are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 221-224
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Structure of ZnS:Co Semiconductors: X-ray and Optical Spectroscopy Studies
Autorzy:
Surkova, T. P.
Galakhov, V. R.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036872.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.70.En
79.60.-i
Opis:
Experimental studies of X-ray photoelectron and Co L$\text{}_{α}$ X-ray emission spectra of the ZnS:Co semiconductor were carried out. It was established that Co ions are in a Co$\text{}^{2+}$ configuration and that the Co 3d impurity states are localized above the top of the valence band by 1.0±0.2 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 703-708
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of High Eelectron Mobility AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Monemar, B.
Anderson, T. G.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Muszalski, J.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934059.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Jd
78.66.Fd
73.40.Kp
73.20.Dx
Opis:
Optically detected cyclotron resonance is used for the identification of recombination transitions of two-dimensional electron gas in A1GaAs/GaAs heterostructures. Two photoluminescence emissions are attributed to the recombination of the two-dimensional electron gas. These are the so-called H-band and the Fermi level singularity photoluminescence. Optical detection of cyclotron resonance is related to the change of the band bending across the GaAs active layer and the AlGaAs barrier, which is caused by impact ionization of shallow donors in the barrier region. Influence of a long range carrier scattering on ionized impurities on a mobility of the two-dimensional carriers is studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 990-994
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transition Metal Impurities and Electronic Structure of ZnSe-Based Isovalent Semiconductor Alloys
Autorzy:
Surkova, T. P.
Giriat, W.
Godlewski, M.
Permogorov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968432.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Wc
71.55.Gs
Opis:
Energy level positions of the nickel 2+/1+ and cobalt 2+/3+ charge states have been used to estimate band edges for the valence and conduction bands of ZnSe-based alloys with cation (ZnCdSe) and anion (ZnSSe) substitution. Chemical trends in band offsets of heterostructures of Zn- or Mn-based II-VI compounds are analysed. Further on, the change of Ni$\text{}^{2+}$(3d$\text{}^{8}$) and Co$\text{}^{2+}$(3d$\text{}^{7}$) intra-d shell transition bands upon the alloying of host material is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1009-1012
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Absorption Study of Thermally Generated Shallow Donor Centers in Czochralski Silicon
Autorzy:
Kaczor, P.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921588.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
A comparative study of thermally generated donor centers in boron and aluminum doped Czochralski silicon was performed by means of Fourier transform infrared technique. A detailed study revealed presence of donor centers belonging to the well-known series of thermal donors and shallow thermal donors. For both types of material the same centers could be observed while considerable differences in their generation kinetics occurred. In addition to the previously identified species also new ones could be observed. One of them, with single ionization level at approximately 39.5 meV, was found to exhibit clear dependence of its concentration upon illumination of the sample during cooling from room temperature to liquid He temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 677-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Donor Generation in Boron- and Aluminium-Doped Czochralski Silicon
Autorzy:
Kopalko, K.
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890843.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
Generation of thermal donor centres in oxygen-rich silicon doped with boron and aluminium acceptors has been studied with the FTIR technique. It has been found that upon annealing 470°C two kinds of absorption series were generated. One of them belonged to the well-known first ionization level of silicon thermal (double) donors (TD's): TD°/TD$\text{}^{+}$ . The second series was identified with the so-called shallow thermal donors (STD's). The generation kinetics of the two series was followed for both kinds of acceptor doping and significant differences has been found. The results of the FTIR investigations were further compared with the magnetic resonance findings allowing for their mutual correlation and more general conclusions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Sawicki, M.
Paszkowicz, W.
Łusakowska, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Kowalik, I.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanism of Optical Detection of Magnetic Resonance in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Godlewski, M.
Surma, M.
Gałązka, R. R.
Nguyen, The Khoi
Gisbergen, S.J.C.H.M.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921620.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.70.Hb
75.50.Pp
78.20.Ls
Opis:
The photoluminescence and optically detected magnetic resonance studies of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x = 0.095) are presented. The Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance is detected optically via the changes of "edge" emission induced by the decrease of the Mn spin system magnetization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 717-719
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Wójcik-Głodowska, A.
Guziewicz, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Minikayev, R.
Kiecana, M.
Sawicki, M.
Godlewski, M.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811957.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
In this paper we report on ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method in reactor F-120 Satellite. ZnCoO films were grown at low temperature ($T_s$=160°C) with a new zinc precursor (dimethylzinc - DMZn) and with cobalt (II) acetyloacetonate (Co(acac)₂) as a cobalt precursor and deionized water as an oxygen precursor. In this paper we concentrate on the methods of homogenizing Co distribution in ZnCoO films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1235-1240
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes in Doped CdTe/CdMnTe Multiple Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Godlewski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968089.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.+p
78.55.Et
Opis:
An influence of doping level on exciton properties in n-doped multiple quantum well structures of CdTe/CdMnTe is studied for multiple quantum well structures prepared in the way that donor (indium) concentration changes within the length of the sample. We show that the formation scenario for neutral donor bound excitons in low-dimensional structures can be different from that observed in bulk samples. We further show that in the case of such quantum well structures we can selectively excite either photoluminescence emission of localized or donor bound excitons, which is a consequence of surprisingly weak energy transfer link between two types of excitonic transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 41

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies