Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Bistable Behaviour of the New Shallow Thermal Donor in Aluminum Doped Silicon

Tytuł:
Bistable Behaviour of the New Shallow Thermal Donor in Aluminum Doped Silicon
Autorzy:
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929652.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 555-558
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In the present study a new bistable shallow thermal donor in aluminum doped silicon was investigated by means of the Fourier transform infrared spectroscopy. The temperature dependence of the photo-conversion into the metastable state was established and some Hints for the origin of the metastability were given.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies