Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Transition Metal Impurities and Electronic Structure of ZnSe-Based Isovalent Semiconductor Alloys

Tytuł:
Transition Metal Impurities and Electronic Structure of ZnSe-Based Isovalent Semiconductor Alloys
Autorzy:
Surkova, T. P.
Giriat, W.
Godlewski, M.
Permogorov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968432.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Wc
71.55.Gs
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1009-1012
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Energy level positions of the nickel 2+/1+ and cobalt 2+/3+ charge states have been used to estimate band edges for the valence and conduction bands of ZnSe-based alloys with cation (ZnCdSe) and anion (ZnSSe) substitution. Chemical trends in band offsets of heterostructures of Zn- or Mn-based II-VI compounds are analysed. Further on, the change of Ni$\text{}^{2+}$(3d$\text{}^{8}$) and Co$\text{}^{2+}$(3d$\text{}^{7}$) intra-d shell transition bands upon the alloying of host material is discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies