Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "T., M." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 42
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of High Eelectron Mobility AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Monemar, B.
Anderson, T. G.
Tsimperidis, I.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Muszalski, J.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934059.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Jd
78.66.Fd
73.40.Kp
73.20.Dx
Opis:
Optically detected cyclotron resonance is used for the identification of recombination transitions of two-dimensional electron gas in A1GaAs/GaAs heterostructures. Two photoluminescence emissions are attributed to the recombination of the two-dimensional electron gas. These are the so-called H-band and the Fermi level singularity photoluminescence. Optical detection of cyclotron resonance is related to the change of the band bending across the GaAs active layer and the AlGaAs barrier, which is caused by impact ionization of shallow donors in the barrier region. Influence of a long range carrier scattering on ionized impurities on a mobility of the two-dimensional carriers is studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 990-994
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Studies of Ni doped ZnS and ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932084.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.He
78.55.Et
Opis:
The results of electron spin resonance experiments are presented for nickel doped ZnS and ZnSe. Energy level position of Ni$\text{}^{1+}$ state in band gap of ZnS and ZnSe is determined. The nonradiative recombination processes of donor-acceptor pairs in Ni doped samples are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 221-224
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe$\text{}^{2+}$ → Fe$\text{}^{3+}$ Ionization Transition in ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929647.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
78.50.Ge
Opis:
Detailed photo-ESR study of iron and chromium impurities in ZnSe is presented. The energy level position of Fe$\text{}^{2+}\text{}^{/}\text{}^{3+}$ energy level is determined. The role of iron and chromium impurities in nonradiative recombination processes is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 547-550
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tuning of Color Chromaticity of Light Emission from ZnSe Films Grown on a GaAs Substrate by Atomic Layer Epitaxy
Autorzy:
Skrobot, M.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047005.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.79.-e
78.66.-w
81.05.-t
Opis:
Monocrystalline films of sphalerite-type ZnSe were grown on GaAs(100) substrates from elemental Zn and Se precursors by atomic layer epitaxy in a gas flow system. Due to color mixing of band edge and deep defect-related emissions these layers emit intensive white light. Depth profiling cathodoluminescence indicates that green and red emissions mostly come from disordered regions of the films, close to the ZnSe/GaAs interface. We tested a possibility of tuning of chromaticity coordinates and of color temperature of the emission. We found that the chromaticity parameters (color perception) can be tuned by either regulating the appropriate accelerating voltage of electrons or current density of primary electrons in cathodoluminescence investigations. These properties of ZnSe films make them suitable for some practical applications as white light sources.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 359-367
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN
Autorzy:
Goldys, E. M.
Godlewski, M.
Tansley, T. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969082.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
81.15.Gh
61.16.Ch
78.30.-j
Opis:
Properties of GaN epilayers grown by laser-assisted chemical vapour deposition are discussed. Good crystallinity and surface morphology of the films is demonstrated. Micro-Raman spectra are explained by scattering by small, randomly oriented cubic phase units present in the GaN film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 331-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films Obtained at Low Temperature by Atomic Layer Deposition Using Organic Zinc and Cobalt Precursors
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Wójcik-Głodowska, A.
Guziewicz, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Minikayev, R.
Kiecana, M.
Sawicki, M.
Godlewski, M.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811957.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
In this paper we report on ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method in reactor F-120 Satellite. ZnCoO films were grown at low temperature ($T_s$=160°C) with a new zinc precursor (dimethylzinc - DMZn) and with cobalt (II) acetyloacetonate (Co(acac)₂) as a cobalt precursor and deionized water as an oxygen precursor. In this paper we concentrate on the methods of homogenizing Co distribution in ZnCoO films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1235-1240
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanism of Optical Detection of Magnetic Resonance in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Godlewski, M.
Surma, M.
Gałązka, R. R.
Nguyen, The Khoi
Gisbergen, S.J.C.H.M.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921620.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.70.Hb
75.50.Pp
78.20.Ls
Opis:
The photoluminescence and optically detected magnetic resonance studies of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x = 0.095) are presented. The Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance is detected optically via the changes of "edge" emission induced by the decrease of the Mn spin system magnetization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 717-719
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistable Behaviour of the New Shallow Thermal Donor in Aluminum Doped Silicon
Autorzy:
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929652.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
In the present study a new bistable shallow thermal donor in aluminum doped silicon was investigated by means of the Fourier transform infrared spectroscopy. The temperature dependence of the photo-conversion into the metastable state was established and some Hints for the origin of the metastability were given.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 555-558
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
Autorzy:
Ivanov, V.
Godlewski, M.
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kazlauskas, K.
Žukauskas, A.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1179597.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
We report on photoluminescence characterization of InGaN based laser structures grown by homoepitaxial radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Owing to Si doped barriers, the structures show a negligible impact of the built-in electric field, which was proved by excitation intensity dependent and quantum well width dependent luminescence experiments. Relatively low variation in band potential due to inhomogeneous distribution of In was quantitatively estimated from the photoluminescence temperature behavior using Monte Carlo simulation of in-plane carrier hopping and optically detected cyclotron resonance experiments. Efficient stimulated emission with a low threshold for optically pumped laser structures was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 225-229
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of ZnO Films Grown at Low Temperature
Autorzy:
Przeździecka, E.
Krajewski, T.
Wójcik-Głodowska, A.
Yatsunenko, S.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Wachnicki, Ł.
Szczepanik, A.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811975.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
81.10.-h
85.30.Fg
Opis:
ZnO thin films were grown by atomic layer deposition method at extremely low temperature using a reactive diethylzinc as a zinc precursor. Optical properties, electrical properties and surface morphology were examined by photoluminescence, Hall effect and atomic force microscope. The study shows correlation between optical, electrical properties and surface morphology in a series of samples of different thickness.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1303-1310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Sawicki, M.
Paszkowicz, W.
Łusakowska, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Kowalik, I.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Donor Generation in Boron- and Aluminium-Doped Czochralski Silicon
Autorzy:
Kopalko, K.
Kaczor, P.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890843.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Ht
78.50.Ge
Opis:
Generation of thermal donor centres in oxygen-rich silicon doped with boron and aluminium acceptors has been studied with the FTIR technique. It has been found that upon annealing 470°C two kinds of absorption series were generated. One of them belonged to the well-known first ionization level of silicon thermal (double) donors (TD's): TD°/TD$\text{}^{+}$ . The second series was identified with the so-called shallow thermal donors (STD's). The generation kinetics of the two series was followed for both kinds of acceptor doping and significant differences has been found. The results of the FTIR investigations were further compared with the magnetic resonance findings allowing for their mutual correlation and more general conclusions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 42

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies