Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Misiuk, A." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Nauki o bezpieczeństwie – geneza, istota i perspektywy rozwoju
Security Sciences and Their Origin, Essence and Development Perspectives
Autorzy:
Misiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/373630.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Centrum Naukowo-Badawcze Ochrony Przeciwpożarowej im. Józefa Tuliszkowskiego
Tematy:
nauka
dyscyplina naukowa
tożsamość
bezpieczeństwo
zagrożenie
science
scientific discipline
identity
security
threat
Opis:
Cel: Celem artykułu jest przedstawienie zakresu samodzielności i komplementarności dyscypliny naukowej – nauk o bezpieczeństwie. Metody: W artykule wykorzystano metodę analizy systemowej oraz porównawczej. W pierwszym przypadku poddano badaniu kluczowe elementy systematyki naukowej w celu racjonalizowania efektów już wprowadzonych zmian oraz prognozowania skutków zmian planowanych, jakie mogą się pojawić w dynamicznie zmieniającym się otoczeniu. W drugim przypadku porównano modele systematyki naukowej w ujęciu dynamicznym. Wyniki: W artykule przedstawiono prawne aspekty usytuowania nowej dyscypliny naukowej, jaką są nauki o bezpieczeństwie, w systematyce nauki polskiej. Omówiono schematy tworzenia systematyk podziału dziedzin i dyscyplin naukowych oraz podstaw formalnych ich usamodzielnienia się. W Polsce przyjmuje się, że cała wiedza naukowa pod względem złożoności obszaru badań i problematyki jest ułożona według pewnej hierarchii. Największą jednostką jest obszar badań, który jest dość niedookreśloną platformą aktywności naukowej. W jego skład wchodzą dziedziny naukowe stanowiące logiczną i treściową, zwartą część nauki. Główna aktywność badawcza koncentruje się w ramach dyscypliny naukowej. Wyniki tej aktywności kształtują specyfikę tożsamości i celów badawczych. W artykule zdefiniowano uwarunkowania genezy nauk o bezpieczeństwie wynikające ze wzrostu zagrożeń dla bezpieczeństwa w wymiarze globalnym. Następnie przeanalizowano zainteresowania problematyką bezpieczeństwa w innych dyscyplinach naukowych i wynikające z tego powodu trudności z jednoznacznym określeniem tożsamości nauk o bezpieczeństwie. Wnioski: Autor zaproponował ujęcie funkcjonalne nauk o bezpieczeństwie, a więc takie, w którym zasadniczym problemem jest analiza związku między stanem bezpieczeństwa a zagrożeniami w kontekście stopnia ryzyka. Podjął próbę egzemplifikowania problemów badawczych, które powinny się znajdować w obszarze zainteresowania nauk o bezpieczeństwie, a którymi są: teoria bezpieczeństwa, rodzaje bezpieczeństwa, podmioty bezpieczeństwa, zagrożenia. Dyskusji o tożsamości nowej dyscypliny nie sprzyja stawianie tezy o jej interdyscyplinarności. Bardziej właściwe jest traktowanie badania różnych aspektów bezpieczeństwa przez pryzmat multidyscyplinarności, czyli udziału elementów różnych dyscyplin naukowych w procesie badawczym.
Aim: To present the scope of independence and complementarity of the scientific discipline called security sciences. Methods: The article uses the method of systemic and comparative analysis. In the first case, the key elements of scientific taxonomy were analysed in order to rationalise the effects of already introduced changes and forecast the effects of planned changes that may occur in a dynamically changing environment. The second one compared models of scientific taxonomy using a dynamic approach. Results: The article presents the legal aspects of the location of security sciences as a new scientific discipline in the taxonomy of Polish science. The diagrams of creating the taxonomy of scientific fields and disciplines as well as the formal foundations of their separation are discussed. In Poland, it is assumed that all scientific knowledge in terms of the complexity of the research area and the subject matter are arranged according to a certain hierarchy. The largest unit is the research area, which is a fairly underdefined platform of scientific activity. It consists of scientific fields which constitute a logical and content-focused, exact part of science. The main research activities concentrate around scientific disciplines. Their results shape the specific characteristics of identity and research goals. The article defines the origin of this discipline resulting from the increase of security threats in the global dimension. Next, the interests in the subject of security in other scientific disciplines were analysed, along with the resulting difficulties resulting in the unambiguous identification of the identity of security sciences. Conclusions: The author proposed a functional approach to security sciences, where the fundamental problem is to analyse the relationship between the state of security and threats in the context of the degree of risk. He attempted to exemplify research problems that should be in the area of interest of security sciences: the security theory, types of security, security entities and threats. Furthermore, emphasising the interdisciplinary nature of security sciences is not beneficial for the identity of this new discipline. It is more appropriate to treat the study of various aspects of security through the prism of multidisciplinarity or the share of the components of different scientific disciplines in the research process.
Źródło:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza; 2018, 50, 2; 16-26
1895-8443
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rola administracji publicznej w zakresie obronności państwa
Role of public administration in the field of state defense
Autorzy:
Misiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/98594.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
państwo
administracja publiczna
zadanie publiczne
obronność państwa
state
public administration
public task
state defense
Opis:
W artykule przedstawiono powinności państwa w dziedzinie obronności. Należą one do podstawowych funkcji państwa. Zważywszy na powyższe należy wyraźnie podkreślić, że jednym z podstawowych obowiązków państwa jest zapewnienie jego obronności oraz bezpieczeństwa obywateli, czego wyrazem jest treść art. 5 Konstytucji Rzeczypospolitej Polskiej z dnia 2 kwietnia 1997 r. Następnie poddano analizie ustrój administracji publicznej przez pryzmat realizacji określonych zadań z obszaru obronności państwa. Uwzględniono jej strukturę terytorialną i podział na administrację rządową i samorządową oraz specyfikę charakteru tego zadania.
The article presents the state’s defense obligations. They belong to the basic functions of the state. Given the above, it is important to emphasize clearly that one of the basic duties of the state is to ensure its defense and the security of its citizens, as reflected in the content of art. 5 of the Constitution of the Republic of Poland of April 2, 1997. Subsequently, an analysis was made of the system of public administration through the prism of accomplishing certain tasks in the area of defense of the state. It included its territorial structure and division into government and self-government administration and the specific nature of this task.
Źródło:
Przegląd Nauk o Obronności; 2017, 2, 3; 31-52
2450-6869
Pojawia się w:
Przegląd Nauk o Obronności
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Positron Annihilation Studies of Czochralski-Grown Silicon Annealed Under Pressure
Autorzy:
Karwasz, G. P.
Brusa, R. S.
Misiuk, A.
Zecca, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2008074.pdf
Data publikacji:
1999-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
71.55.Cn
Opis:
Two positron techniques have been applied to study dynamics of oxygen precipitation in Czochralski-grown silicon, annealed under high (up to 1.4 GPa) pressure. Lifetime measurements were performed with 180 ps resolution; Doppler broadening with a variable-energy slow-positron beam. Different thermal treatings rise the mean lifetime of positrons from 222 ps in as-grown samples up to 227 ps. In samples with a high (up to 85%) amount of oxygen precipitated, an intermediate (550-800 ps) lifetime is observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 4; 575-580
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First-Principles Calculation of He-H Interaction in c-Si
Autorzy:
Gnidenko, A. A.
Zavodinsky, V. G.
Misiuk, A.
Bak-Misiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044684.pdf
Data publikacji:
2006-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Mb
71.55.Cn
Opis:
We used the density functional theory and ab initio pseudopotentials to investigate He-H interaction in crystalline silicon. It was shown that both hydrogen and helium stimulate the formation of vacancy complexes. The presence of hydrogen decreases the vacancy and divacancy formation energies by about 2 eV. The presence of one or two helium atoms reduces the divacancy formation energy by 0.3 and 0.4 eV, respectively. The influence of helium presence on hydrogen diffusion from silicon vacancies under high pressure depends on a helium concentration. Thus, according to our calculation, low concentrations of He increase the hydrogen out-diffusion.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 3; 353-357
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Preannealing on Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Subjected to High Pressure Treatment
Autorzy:
Datsenko, L. I.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Briginets, A.
Khrupa, V. I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931660.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
61.70.-r
Opis:
The effect of high temperature (up to 1120°C)-high pressure (up to 1.1 GPa) treatment on the resulting defect structure of preannealed (450-725°C, up to 96 hours) Czochralski grown Si crystals was studied by X-ray diffraction. The values of the Debye-Waller static factor and of the root-mean-square atomic displacement due to defects were determined for various Lane reflections. Well-defined development of the cluster like defect structure after high temperature pressurization depending to a substantial extent on the preannealing conditions was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 585-590
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Annealed above 1500 K under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Datsenko, L.
Khrupa, V.
Krasulya, S.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964116.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
81.05.Cy
Opis:
The structural perfection of Czochralski grown silicon crystals annealed at 1580-1620 K under hydrostatic pressure up to 10$\text{}^{9}$ Pa was investigated by X-ray diffractometry and topography supplemented by the method of absorption of infrared rays. Such treatment suppresses dissolution of oxygen-related defects. From the static Debye-Waller factor dependence on the reflection order it was concluded that large clusters or dislocation loops are the dominant type of defects for most of the samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 929-933
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Variation of the Strain State of MnAs Nanoclusters Embedded in GaAs
Autorzy:
Bak-Misiuk, J.
Dynowska, E.
Romanowski, P.
Misiuk, A.
Sadowski, J.
Caliebe, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431599.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
75.50.Pp
81.40.Vw
Opis:
Granular GaAs:(Mn,Ga)As films were prepared by annealing at 500°C under ambient and enhanced hydrostatic pressure (1.1 GPa), of $Ga_{1-x}Mn_xAs//GaAs$ layers (x = 0.025, 0.03, 0.04, 0.05 and 0.063) grown at 230°C by molecular beam epitaxy method. Distinct influence of enhanced hydrostatic pressure applied during sample annealing on strain state of inclusions was found. An increase of lattice distortion and of strain of inclusions for the samples treated under hydrostatic pressure is related to different bulk moduli of GaAs and of MnAs
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 903-905
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes of GaP: N Defect Structure under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Kozankiewicz, B.
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Skibska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924323.pdf
Data publikacji:
1993-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.70.+y
Opis:
The changes of defect structure of GaP:N epitaxial layers subjected to hydrostatic pressures up to 1.8 GPa are investigated by X-ray diffraction and photoluminescence. The observed changes are more pronounced at higher pressures and depend on the nitrogen concentration, c$\text{}_{N}$, and on initial defect structure. Especially complex hydrostatic pressure induced properties are observed for the sample with c$\text{}_{N}$ > 10$\text{}^{20}$ at. cm$\text{}^{-3}$. The model explaining the hydrostatic pressure induced defect structure changes is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 87-93
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition and Structure of Czochralski Silicon Implanted with $H_{2}^{+}$ and Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Kulik, M.
Kobzev, A.
Misiuk, A.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Bak-Misiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538976.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.U-
61.72.uf
66.10.C-
61.80.Jh
81.20.-n
82.80.Yc
85.40.-e
Opis:
Depth distribution of implanted species and microstructure of oxygen-containing Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with light ions (such as $H^{+}$) are strongly influenced by hydrostatic pressure applied during the post-implantation treatment. Composition and structure of Si:H prepared by implantation of Cz-Si with $H_{2}^{+}$; fluence D = 1.7 × $10^{17} cm^{-2}$, energy E = 50 keV (projected range of $H_{2}^{+}$, $R_{p}(H)$ = 275 nm), processed at up to 923 K under Ar pressure up to 1.2 GPa for up to 10 h, were investigated by elastic recoil detection Rutherford backscattering methods and the depths distributions of implanted hydrogen and also carbon, oxygen and silicon in the near surface were determined for all samples. The defect structure of Si:H was also investigated by synchrotron diffraction topography at HASYLAB (Germany). High sensitivity to strain associated with small inclusions and dislocation loops was provided by monochromatic (λ = 0.1115 nm) beam topography. High resolution X-ray diffraction was also used.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 332-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
Autorzy:
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Bąk-Misiuk, J.
Härtwig, J.
Morawski, A.
Witczak, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.At
61.70.-r
81.40.-z
Opis:
The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Hydrostatic Pressure on Photoluminescence Spectra from Structures with Si Nanocrystals Fabricated in SiO$\text{}_{2}$ Matrix
Autorzy:
Zhuravlev, K.
Tyschenko, I.
Vandyshev, E.
Bulytova, N.
Misiuk, A.
Rebohle, L.
Skorupa, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035528.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ac
73.63.Bd
78.67.-n
68.35.Fx
Opis:
The effect of hydrostatic pressure applied at high temperature on photoluminescence of Si-implanted SiO$\text{}_{2}$ films was studied. A "blue"-shift of PL spectrum from the SiO$\text{}_{2}$ films implanted with Si$\text{}^{+}$ ions to total dose of 1.2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$ with an increase in hydrostatic pressure was observed. For the films implanted with Si$\text{}^{+}$ ions to a total dose of 4.8×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$ high temperature annealing under high hydrostatic pressure (12 kbar) causes a "red"-shift of photoluminescence spectrum. The "red" photoluminescence bands are attributed to Si nanocrystals while the "blue" ones are related to Si nanocrystals of reduced size or chains of silicon atoms or ≡Si-Si≡ defects. A decrease in size of Si nanocluster size occurs in result of the pressure-induced decrease in the diffusion of silicon atoms.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 337-344
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oxygen Precipitation in Si:O Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Misiuk, A.
Bąk-Misiuk, J.
Bryja, L.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Jun, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030659.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.72.Yx
81.40.Vw
Opis:
Effect of hydrostatic pressure up to 1.2 GPa on oxygen-implanted silicon, Si:O (O$\text{}^{+}$ dose, D, within the 6×10$\text{}^{17}$-2×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-2}$ range), treated at 1230-1570 K, was investigated by X-ray, transmission electron microscopy and photoluminescence methods. The pressure treatment affects oxygen precipitation and defect creation, especially in low oxygen dose implanted Si:O (D=6×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$). Such investigation helps in understanding the stress related phenomena in Si wafers with buried insulating layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 719-727
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transformation of AlGaAs/GaAs Interface under Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Trela, J.
Leszczyński, M.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945264.pdf
Data publikacji:
1996-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
65.70.+y
Opis:
AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates were investigated before and after high hydrostatic pressure (1.2 GPa) at high temperature (770 K) treatment (HP-HT treatment). An influence of HP-HT treatment on the properties of the AlGaAs/GaAs system was studied by lattice parameter measurements using the high resolution diffractometer and by X-ray topography. Observed changes in the lattice parameter of the AlGaAs layers after HP-HT treatment are related to the strain relaxation and explained by the creation of misfit dislocations and other extended defects which are visible on the topographs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 405-409
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure of Pressure Treated Czochralski Grown Silicon Investigated by X-Ray Topography and Diffractometry
Autorzy:
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Ohler, M.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964154.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Yx
81.40.Vw
61.10.-i
Opis:
The defect structure of Czochralski grown silicon single crystals annealed at 870-1400 K under hydrostatic pressure up to 1 GPa was investigated by conventional and synchrotron radiation X-ray topography and by reciprocal space mapping. Hydrostatic pressure promotes oxygen precipitation from oversaturated Si-O solid solution and the creation of structural defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 987-991
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Synchrotron Studies of Nanostructure Formation in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Misiuk, A.
Barcz, A.
Bryja, L.
Popov, V. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035493.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
61.46.+w
Opis:
The effects of various high temperature-pressure treatments in Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with 130 keV hydrogen to the dose of 4times10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$ were investigated using synchrotron X-ray topographic methods and rocking curve measurements. The high temperature- pressure processes included 10 h annealing at 450°C, 650°C, and 725°C at argon pressure 12 kbar and 1 bar. The topographic investigations were performed with projection and section methods in back-reflection and transmission geometry. It was found that annealing resulted in significantly reduced strain induced by the implantation, which became undetectable with presently used very sensitive synchrotron arrangement. A significant difference between the Cz-Si:H samples annealed at high and atmospheric pressure was observed. In the first case a distinct topographic contrast attributed to the formation of comparatively larger inclusions was observed. This effect was different at different temperatures. The samples annealed at enhanced pressure were more uniform and often produced significant interference effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 239-244
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies