Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "warstwy kompozytowe Al2O3-C" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method
    Modelowe badania na syntezą czystych warstw tlenku glinu metodą CVD
    Autorzy:
    Sawka, A.
    Kwatera, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353699.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    MOCVD method
    composite layers Al2O3-C/Al2O3
    cutting tools
    metoda MOCVD
    warstwy kompozytowe Al2O3-C/Al2O3
    narzędzia tnące
    Opis:
    The purpose of this research is to develop an optimal method for synthesizing of nanocrystalline Al2O3 monolayers at high growth rates on cemented carbides coated with an intermediate layer of pre- Al2O3-C (composite layers Al2O3-C/ Al2O3). The use of quartz glass substrate allows for obtaining information about the quality of the layers such the thickness and density, because of its high transparency. The Al2O3 layers that do not containing carbon were synthesized on quartz glass by MOCVD using aluminum acetylacetonate and air as the reactants at temperatures of 700-1000°C. Argon was also a carrier gas. The resulting layers were transparent, as homogeneous nucleation did not occur during the synthesis process. The layers synthesized at lower temperatures were subjected to a crystallization process at temperatures above 900°C. The crystallization process was studied as a function of time and temperature. The obtained layers were characterized by their nanocrystalline microstructure.
    Celem badań jest opracowanie metody otrzymywania nanokrystalicznych monowarstw Al2O3 z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych warstwą pośrednią Al2O3-C (warstwy kompozytowe Al2O3-C/ Al2O3). Użycie podłoży ze szkła kwarcowego z uwagi na jego przezroczystość pozwoli uzyskać informacje dotyczące jakości otrzymanych warstw, np.: ich grubości, gęstości. Warstwy Al2O3 nie zawierające węgla syntezowano na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu oraz powietrza jako reagentów w temperaturach 700-1000°C. Gazem nośnym był argon, a także powietrze. Otrzymane warstwy były przezroczyste, co świadczyło o tym, że w trakcie wzrostu warstw nie występował proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w temperaturach powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w funkcji czasu i temperatury. Otrzymane warstwy charakteryzowały się nanokrystaliczną budową.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1121-1124
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Model Research On Synthesis Of Al2O3-C Layers By MOCVD
    Badania modelowe nad syntezą warstw Al2O3-C metodą MOCVD
    Autorzy:
    Sawka, A.
    Kwatera, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352553.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    MOCVD method
    cutting tools
    composite layers Al2O3-C
    Al2O3
    metoda MOCVD
    narzędzia tnące
    warstwy kompozytowe Al2O3-C
    Opis:
    These are model studies whose aim is to obtain information that would allow development of new technology for synthesizing monolayers of Al2O3-C with adjusted microstructure on cemented carbides. The Al2O3-C layer will constitute an intermediate layer on which the outer layer of Al2O3 without carbon is synthesized. The purpose of the intermediate layer is to block the cobalt diffusion to the synthesized outer layer of Al2O3 and to stop the diffusion of air oxygen to the substrate during the synthesis of the outer layer. This layer should be thin, continuous, dense and uniform in thickness. Al2O3-C layers were synthesized from aluminum acetylacetonate by the CVD method on quartz glass heated in an induction furnace in the temperature range 800-1000°C using argon as a carrier for the reactants. The layers were prepared also at low temperatures and were then subjected to crystallization at higher temperatures. The resulting layers prepared at temperatures above 900°C were nanocrystalline (including the α- Al2O3 phase). Due to the fact that crystallization can be controlled, we may have a greater influence on the structure and thus the properties of the layer compared to direct synthesis at high temperature.
    Celem prowadzonych modelowych badań nad syntezą warstw Al2O3 metodą MOCVD jest uzyskanie informacji przydatnych do opracowania nowej technologii nanoszenia tych warstw na podłoża z węglików spiekanych. Warstwa Al2O3-C będzie stanowić pośrednią warstwę, na której będzie syntezowana zewnętrzna warstwa Al2O3 nie zawierająca węgla. Zadaniem warstwy pośredniej jest blokowanie dyfuzji kobaltu do syntezowanej zewnętrznej warstwy Al2O3 oraz ochrona podłoża przed utlenianiem podczas syntezy zewnętrznej warstwy. Warstwa ta powinna być cienka, ciągła, gęsta i mało zróżnicowana w grubości. Warstwy Al2O3-C syntezowano z acetyloacetonianu glinu metodą CVD na szkle kwarcowym. Podłoże ogrzewano indukcyjnie w zakresie temperatur 800-1000°C. Gazem nośnym był argon. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w wyższych temperaturach. Otrzymane warstwy w temperaturach powyżej 900°C były nanokrystaliczne (zawierały fazę α- Al2O3). Z uwagi na to, że proces krystalizacji warstw może być kontrolowany, można wpływać na strukturę oraz właściwości warstw.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1125-1128
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies