Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method

Tytuł:
Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method
Modelowe badania na syntezą czystych warstw tlenku glinu metodą CVD
Autorzy:
Sawka, A.
Kwatera, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353699.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
MOCVD method
composite layers Al2O3-C/Al2O3
cutting tools
metoda MOCVD
warstwy kompozytowe Al2O3-C/Al2O3
narzędzia tnące
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1121-1124
1733-3490
Język:
angielski
Prawa:
CC BY-NC-ND: Creative Commons Uznanie autorstwa - Użycie niekomercyjne - Bez utworów zależnych 3.0 PL
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The purpose of this research is to develop an optimal method for synthesizing of nanocrystalline Al2O3 monolayers at high growth rates on cemented carbides coated with an intermediate layer of pre- Al2O3-C (composite layers Al2O3-C/ Al2O3). The use of quartz glass substrate allows for obtaining information about the quality of the layers such the thickness and density, because of its high transparency. The Al2O3 layers that do not containing carbon were synthesized on quartz glass by MOCVD using aluminum acetylacetonate and air as the reactants at temperatures of 700-1000°C. Argon was also a carrier gas. The resulting layers were transparent, as homogeneous nucleation did not occur during the synthesis process. The layers synthesized at lower temperatures were subjected to a crystallization process at temperatures above 900°C. The crystallization process was studied as a function of time and temperature. The obtained layers were characterized by their nanocrystalline microstructure.

Celem badań jest opracowanie metody otrzymywania nanokrystalicznych monowarstw Al2O3 z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych warstwą pośrednią Al2O3-C (warstwy kompozytowe Al2O3-C/ Al2O3). Użycie podłoży ze szkła kwarcowego z uwagi na jego przezroczystość pozwoli uzyskać informacje dotyczące jakości otrzymanych warstw, np.: ich grubości, gęstości. Warstwy Al2O3 nie zawierające węgla syntezowano na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu oraz powietrza jako reagentów w temperaturach 700-1000°C. Gazem nośnym był argon, a także powietrze. Otrzymane warstwy były przezroczyste, co świadczyło o tym, że w trakcie wzrostu warstw nie występował proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w temperaturach powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w funkcji czasu i temperatury. Otrzymane warstwy charakteryzowały się nanokrystaliczną budową.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies