Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "wafers" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Semi-automatic test system for characterization of ASIC/MPWS
    Autorzy:
    Zając, J.
    Wójcik, J.
    Kociubiński, A.
    Tomaszewski, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308858.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    automatic testing
    diagnostics of technology
    multi-project wafers
    Opis:
    A measurement system for integrated circuit testing has been developed. It consists of a semi-automatic probe station and a set of measurement equipment controlled by commercially available measurement software. The probe station is controlled by dedicated software. Both the measurement and station-control software communicate using the DDE protocol. The measurement system is flexible. It is particularly suitable for semi-automatic testing of multi-project wafers. Output data generated by the system is used for the characterization of the CMOS technologies.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 124-128
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych
    Study of micro-roughness of the polished surface of silicon wafers aimed at fulfilling the new quality requirements
    Autorzy:
    Piątkowski, B.
    Szymański, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192435.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    płytki krzemowe
    mikrochropowatość powierzchni
    silicon wafers
    surface micro-roughness
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań nad uzyskaniem powierzchni polerowanych płytek krzemowych (silicon polished wafers) o mikrochropowatości micro-roughness) mniejszej od 4 Å. Dla osiągnięcia odpowiedniej gładkości konieczne było wykonanie badań nad procesami polerowania na tkaninach polerskich (polishing pads) nowej generacji z zastosowaniem nowych środków polerskich (polishing slurries). Do badań wytypowano tkaniny (polishing pads) firm Rodel o symbolach regular, SPM 1300, firmy TK o symbolu poretex oraz firmy Fujimi Surfin 000. Do polerowania stosowano środki polerskie Firmy Nalco o symbolach LS, 8020 oraz 2354. W wyniku badań przeprowadzonych przy zastosowaniu nowych materiałów opracowano technologię zapewniającą odpowiednią gładkość powierzchni polerowanych płytek krzemowych.
    This paper presents the results of research directed toward achieving a polished surface of silicon wafers that would have micro-roughness lower than 4 Å. In order to obtain the required smoothness it was necessary to carry out research on the process of polishing on new generation polishing pads with the use of new polishing slurries. The polishing pads chosen for the research were produced by Rodel ("regular", SPM 1300), TK ("poretex") and Fujimi (Surfin 000). The polishing slurries were made by Nalco (LS, 8020 and 2354). As a result of the research, for the purpose of which the above mentioned new generation materials were used, we have worked out a technology that ensures the required surface smoothness of the polished silicon wafers.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 28-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
    Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method
    Autorzy:
    Mazur, K.
    Sass, J.
    Surma, B.
    Piątkowski, B.
    Wnuk, A.
    Gładki, A.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192401.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    płytka Si
    reflektrometria rentgenowska
    Si wafers
    X-Ray reflectrometry
    Opis:
    Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
    The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 5-22
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of gamma and proton radiations on the absorption, photoluminescence and birefringence of lithium niobate single crystals doped with Cu, Fe and Cr ions
    Autorzy:
    Kaczmarek, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/147545.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    absorption
    birefringence
    gamma radiation
    lithium niobate
    proton radiation
    wafers
    Opis:
    The results of investigations of the influence of gamma and proton radiations on absorption, luminescence and birefringence of either pure or Cu, Fe and Cr doped LiNbO3 single crystals were presented. A method of birefringence dispersion testing on the entire areas of plane-parallel plates of LiNbO3 crystals has been illustrated by the influence of both types of irradiation on pure and Fe, Cr and Cu-doped LiNbO3 wafers. It was found that Li NbO3 LN:Cu single crystal shows a different behavior compared with other investigated crystals. First of all it exhibits lower susceptibility to gammarays, the absence of 500 nm additional absorption, and a strong proton susceptibility observed in polarimeter measurements.
    Źródło:
    Nukleonika; 2001, 46, 2; 63-69
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of mechanical influence of double-beam laser on single-crystalline silicon
    Modelowanie mechanicznego wpływu podwójnej wiązki laserowej na krystaliczny krzem
    Autorzy:
    Shalupaev, S. V.
    Serdyukov, A. N.
    Mityurich, G. S.
    Aleksiejuk, M.
    Nikitjuk, Y. V.
    Sereda, A. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352571.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    laser cutting
    thermoelastic stresses
    silicon wafers
    crack
    cięcie laserowe
    naprężenia termoelastyczne
    wafle krystaliczne
    pękanie
    Opis:
    The results of finite-element modeling of controlled laser thermosplitting of crystalline silicon are presented. The case of treatment by two laser beam with wavelengths, namely 0.808 μm and 1.06 μm is studied. Calculations of the thermoelastic fields formed in a single-crystalline silicon wafer as a result of consecutive two-beam laser heating and action of coolant were performed for silicon crystalline orientations: (100), (110), (111). Modeling was performed for circular and U-shaped laser beams. The results received in the presented work, can be used for the process optimization concerning the precise separation of silicon wafers by laser cutting.
    W pracy przedstawiono wyniki modelowania metoda elementów skonczonych termorozszczepiania krystalicznego krzemu przy pomocy wiazek laserowych. Analizowano przypadek działania dwóch wiazek laserowych o długosci fali 0,808 μm i 1,06 μm. Obliczenia pól termosprężystych, formowanych w krystalicznym waflu krystalicznym, prowadzono jako efekt kolejnych działan dwuwiązkowego ogrzewania laserowego i chłodzenia dla orientacji (100), (110), (111) krystalicznego krzemu. Modelowanie prowadzone było dla wiązek o przekroju kolistym oraz w kształcie litery U. Otrzymane wyniki mogą być wykorzystane do optymalizacji precyzyjnego cięcia laserem wafli krzemowych.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1381-1385
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies