Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "węglik krzemu" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 40
Tytuł:
Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel
Autorzy:
Bargieł, K.
Bisewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377767.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
JFET
makromodel
węglik krzemu
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 67-76
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
Studies of silicon carbide power devices properties in application circuits
Autorzy:
Łykowski, A.
Szewczyk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268568.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
przetwornica impulsowa
węglik krzemu
silicon carbide power devices
switching converter
Opis:
W artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
The paper presents results of study on Silicon Carbide power devices applications in circuits. For this purpose the model of switching converter was designed and fabricated. The model allows application of both, buck and boost architecture. As a reference elements, typical silicon power devices were used. For SiC and Si devices the efficiency and disturbance level was measured. For boost architecture the highest efficiency was noticed for SiC devices, while for bust architecture the efficiency for those devices was lower. For both cases generated disturbances were lowest while Silicon carbide devices were used.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 46; 73-76
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Codeposition of SiC particles with electrolytic nickel
Współosadzanie cząstek SiC z niklem w procesie elektrolizy
Autorzy:
Dobosz, I.
Rudnik, E.
Burzyńska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351442.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
elektrochemia
kompozyt
nikiel
węglik krzemu
electrodeposition
composite
nickel
silicon carbide
Opis:
Ni/SiC composite coatings were produced by electrodeposition from chloride-sulphate bath. The effect of SiC concentration on the percentage of embedded particles at two current densities (0.75 and 1.50 Aźdm-2) was determined. SiC content in the nickel matrix was in the range of 13-23 vol%, but lower values were found for higher current density. Increased particles contents in the coatings practically did not change microhardness of deposits (approximately 300 HV), but it increased corrosion resistance. Morphology and particle distribution in the deposits was studied with optical and transmission electron microscopes. Specific surface charge of SiC particles as well as adsorption of Ni2+ions on the powder particles were also determined.
Powłoki kompozytowe Ni/SiC otrzymywano na drodze elektrolizy z zastosowaniem kąpieli chlorkowo-siarczanowej. Określono wpływ stężenia SiC na skład osadów katodowych uzyskiwanych przy dwóch gęstościach prądu (0.75 and 1.50 Aźdm-2). Udział SiC w osnowie niklowej wynosił 13-23 %obj., przy czym niższe zawartości stwierdzono w powłokach otrzymanych przy wyższej gęstości prądu. Wzrost zawartości fazy dyspersyjnej w osadach katodowych nie wpływa na mikrotwardość kompozytów (ok. 300 HV), następuje natomiast wzrost ich odporności korozyjnej. Morfologię powierzchni i rozkład cząstek dyspersyjnych w osnowie niklowej określano na podstawie obserwacji mikroskopowych. Wyznaczono ładunek powierzchniowy cząstek SiC oraz wielkość adsorpcji jonów Ni2+.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 3; 665-670
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych
Semiconductor devices on the base of the silicon carbide in power converter
Autorzy:
Michalski, A.
Zymmer, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160236.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
węglik krzemu
półprzewodnikowe przyrządy mocy
dioda Schottky'ego
przekształtnik energoelektroniczny
Opis:
W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky'ego wykonanych na bazie węglika krzemu SiC w układach energoelektronicznych przekształcających energię elektryczną z wysoką częstotliwością. Omówiono także oferowane obecnie moduły tranzystorowo-diodowe wykonane w całości z węglika krzemu. Omówiono zastosowania zestawów tranzystorowo-diodowych z diodami Schottky'ego SiC w przekształtnikach energoelektronicznych o częstotliwości łączeń 50÷200 kHz przeznaczonych dla grzejnictwa indukcyjnego. Przedstawiono wyniki porównawcze badań strat mocy w funkcji częstotliwości, generowanych w układzie przekształtnika z twardą komutacją prądu, przy zastosowaniu ultraszybkich diod krzemowych oraz diod Schottky'ego SiC.
The paper presents information concerning the use of Schottky's diodes produced on the base of silicon carbide at high frequency converters. The transistor-diode SiC modules offered currently on the market have been discussed. The paper also presents the applications of the transistor-diode modules with SiC Schottky's diodes at the high frequency converters (50÷200 kHz) destined for metal induction heating. The comparable results of analyses of power losses versus frequency generated in a hard commutation converter with silicon or silicon carbide diodes are presented.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 248; 5-20
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)
Autorzy:
Zdanowski, M.
Sobieski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/302847.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wydawnictwo Druk-Art
Tematy:
falownik
element półprzewodnikowy
węglik krzemu
inverter
semiconductor element
silicon carbide
Opis:
Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.
Źródło:
Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 3; 22-24
1507-7764
Pojawia się w:
Napędy i Sterowanie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Próby granulowania odpadów pyłu węglika krzemu do wykorzystania w hutnictwie
Granulation trials of waste the dust silicon carbide for utilization in metallurgy
Autorzy:
Borowski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/401657.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
węglik krzemu
granulowanie
sezonowanie
hutnictwo
silicon carbide
granulation
seasoning
metallurgy
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki prób laboratoryjnych granulowania pyłu węglika krzemu oraz rezultaty badań nad doborem spoiwa oraz określeniem właściwości uzyskanych granulatów. Materiałem badawczym był odpadowy pył węglika krzemu o bardzo dużym rozdrobnieniu, który mieszano z cementem lub organicznym modyfikowanym preparatem skrobiowym. Wykonano sześć prób granulowania w granulatorze talerzowym o średnicy 100 cm. W każdej serii badawczej określono: rodzaj i udział spoiwa, średnicę granul, kruchość, rodzaj struktury oraz właściwości wytrzymałościowe. Dobre granulaty z węglika krzemu uzyskano z dodatkiem spoiwa cementowego o udziale masowym 4% oraz po co najmniej 24 godzinach sezonowania. Spoiwo należało dodawać dwukrotnie metodą pudrowania, najpierw w trakcie mieszania w granulatorze oraz ponownie po zakończeniu wytwarzania. Stwierdzono, że uzyskany granulat może być wykorzystany jako zamiennik żelazokrzemu w procesach wytapiania stali.
The article presents the results of laboratory granulation tests of dust silicon carbide and the results of research on the selection of the binder and the properties of the granules obtained. The research material was a waste of the silicon carbide powder with a high fragmentation, mixed with a cement or an organic modified starch specimen. Six tests were performed in a disc granulator with 100 cm in diameter. In each series of trial specified: the type and share of the binder, the diameter of the granules, tenderness, type of structure and mechanical properties. Good granules of silicon carbide obtained with the addition of cement binder with 4% of the mass fraction and at least 24 hours of seasoning. The binder should be added twice by powdering, first in a stirred granulator, and again after manufacture. It was found that the resulting granules may be used as a replacement of ferrosilicon in the process of steelmaking.
Źródło:
Inżynieria Ekologiczna; 2016, 49; 112-116
2081-139X
2392-0629
Pojawia się w:
Inżynieria Ekologiczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SiC technology enters the market
Autorzy:
Kozłowska, Małgorzata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/254085.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe
Opis:
Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9EN; 20-21
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of Silicon Carbide Chills in Controlling the Solidification Process of Casts Made of IN-713C Nickel Superalloy
Autorzy:
Szeliga, D.
Kubiak, K.
Cygan, R.
Ziaja, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/379538.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
precision casting
porosity
nickel superalloy
węglik krzemu
odlewanie precyzyjne
porowatość
Opis:
The paper presents the method of manufacturing casts made of the IN-713C nickel superalloy using the wax lost investment casting process and silicon carbide chills. The authors designed experimental casts, the gating system and selected the chills material. Wax pattern, ceramic shell mould and experimental casts were prepared for the purposes of research. On the basis of the temperature distribution measurements, the kinetics of the solidification process was determined in the thickened part of the plate cast. This allowed to establish the quantity of phase transitions which occurred during cast cooling process and the approximate values of liquidus, eutectic, solidus and solvus temperatures as well as the solidification time and the average value of cast cooling rate. Non-destructive testing and macroscopic analysis were applied to determine the location and size of shrinkage defects. The authors present the mechanism of solidification and formation of shrinkage defects in casts with and without chills. It was found that the applied chills influence significantly the hot spots and the remaining part of the cast. Their presence allows to create conditions for solidification of IN-713C nickel superalloy cast without shrinkage defects.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2012, 12, 2s; 105-111
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ wybranych parametrów ablacji laserowej na wydajność obróbki oraz chropowatość powierzchni spiekanego węglika krzemu
The effect of selected laser ablation parameters on machining capacity and surface roughness of sintered silicon carbide
Autorzy:
Norymberczyk, Ł.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/269802.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wrocławska Rada Federacji Stowarzyszeń Naukowo-Technicznych
Tematy:
ablacja laserowa
mikroobróbka laserowa
węglik krzemu
laser ablation
laser micromachining
silicon carbide
Opis:
W pracy przedstawiono badania wpływu mocy, czasu trwania oraz częstotliwości impulsów lasera ablacyjnego na wydajność obróbki i chropowatość powierzchni spiekanego węglika krzemu. Wydajność obróbki odniesiono do jednego cyklu obróbkowego, zaś do oceny chropowatości przyjęto średnią arytmetyczną rzędnych profilu Ra oraz największą wysokość profilu chropowatości Rz. Stosując plan Hartleya wyznaczono funkcje obiektu badań. Stwierdzono, że największy wpływ na przyjęte kryteria oceny ma czas trwania impulsu lasera, natomiast mniejszy jest wpływ mocy oraz częstotliwości impulsów lasera.
The paper presents the study of influence of power, pulse width and frequency of laser ablation process on the machining efficiency and surface roughness of sintered silicon carbide surface. The machining efficiency was referred to one machining cycle and the arithmetic mean of the ordinates Ra and the highest roughness profile Rz were used to evaluate the roughness. Using Hartley's plan, the mathematical approximation of the model was investigated. It has been found that the maximum influence on considered parameters has the width of the laser pulse.
Źródło:
Inżynieria Maszyn; 2017, R. 22, z. 1; 65-75
1426-708X
Pojawia się w:
Inżynieria Maszyn
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research into properties of power electronics devices made of silicon carbide sic, in conditions of commutating current with high frequency
Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych wykonanych na bazie węglika krzemu w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością
Autorzy:
Michalski, A.
Zymmer, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158856.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przyrząd półprzewodnikowy
węglik krzemu
wielka częstotliwość
semiconductor devices
silicon carbide
high frequency convertes
Opis:
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the SiC Schottky diodes at a current variation slope in a device, of 500 A/ s. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. Results of tests of power losses in diodes made of silicon carbide, at a current commutation frequency of (10 200) kHz are presented, comparing them with corresponding data determined for ultrafast silicon diodes. Test results of power losses in transistors constituting elements of d.c. voltage controllers are also shown. Investigations were conducted with an ultrafast SiC diode and with an ultrafast silicon diode at the transistor switching frequency of 100 kHz.
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego oraz dynamicznego napięcia przewodzenia diod Schottky`ego wykonanych na bazie węglika krzemu - SiC. Pomiary przeprowadzono przy stromości zmian prądu wynoszącej 500 A/žs. Wyniki te porównano z odpowiednimi rezultatami uzyskanymi dla ultraszybkiej diody krzemowej o takich samych parametrach napięciowo-prądowych. Przedstawiono także wyniki pomiarów strat mocy generowanych w tych diodach w warunkach komutacji prądu z częstotliwością zmienianą w granicach (10 ÷ 200) kHz. Artykuł zawiera również wyniki badań strat mocy wydzielanych w tranzystorze kluczującym z częstotliwością 100 kHz. Wyniki te dotyczą przypadków współpracy tranzystora w procesie komutacji prądu z ultraszybką diodą krzemową oraz z diodą SiC.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2011, 253; 61-71
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Towards a viable method of reusing silicon carbide. Physicochemical analyses in the studies on the industrial application of the material
Autorzy:
Niemczyk-Wojdyla, Anna
Fornalczyk, Agnieszka
Willner, Joanna
Zawisz, Rafał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2032847.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
silicon carbide
X-ray spectroscopy
Acheson process
węglik krzemu
spektroskopia rentgenowska
proces Achesona
Opis:
The paper presents an investigation on the feasibility of recovery of the highly valuable silicon carbide (SiC) from the slurry waste generated from silicon wafer production in the photovoltaic and semiconductor industry. Compared to the other techniques of recycling, a facile and low-cost method of waste treatment via heat drying followed by low-energy mixing in a shaker mixer was proposed. As the result of the treatment, the slurry waste was converted into a powdered form with dominant content of SiC. Separated SiC material was characterized by scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, X-ray powder diffraction, and sieve analysis. In addition, analyses of the bulk density, moisture content and melting test were carried out. As was confirmed by the physicochemical analyses, the dominant sieve fraction was in the range of 0.1-0.06 mm, the purity level was a minimum 99% mass of SiC, the moisture content - 0.3%, the bulk density - 1.3 g/cm3. The physicochemical characteristics of the material were crucial for understanding the material performance, assessment of the material quality and determining the perspective directions of the industrial application. The studies revealed that the material exhibited a high application potential as abrasive, especially in abrasive grinding and waterjet cutting.
Źródło:
Environment Protection Engineering; 2021, 47, 4; 43-52
0324-8828
Pojawia się w:
Environment Protection Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza wielkości mikroziaren ściernych
Size analysis of abrasive micrograins
Autorzy:
Barylski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/251826.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
mikroziarna ścierne
czarny węglik krzemu
ScopeImage DynamicPro
ScopeImage Advanced
micrograin abrasive
black silundum
Advanced ScopeImage
Opis:
W artykule omówiono skomputeryzowaną analizę wielkości i kształtu ziaren i mikroziaren ścienych. W badaniach mikroziaren czarnego węglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano stereoskopowa mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie ScopeImage DynamicPro i ScopeImage Advanced.
Paper discussed automated size and shape analysis of both abrasive grains and micrograins. In research on micrograins of black silundum, ordinary and noble electrocorundum stereoscopic optical microscopy was applied and ScopeImage DynamicPro & ScopeImage Advanced software solutions were used
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2016, 12; 391-395
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of load and reinforcement content on selected tribological properties of Al/SiC/Gr hybrid composites
Autorzy:
Veličković, S.
Miladinović, S.
Stojanović, B.
Nikolić, R. R.
Hadzima, B.
Arsić, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/111714.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Menedżerów Jakości i Produkcji
Tematy:
aluminum alloy
hybrid composites
silicon carbide
graphite
particles
stop aluminium
węglik krzemu
grafit
kompozyty hybrydowe
Opis:
Hybrid materials with the metal matrix are important engineering materials due to their outstanding mechanical and tribological properties. Here are presented selected tribological properties of the hybrid composites with the matrix made of aluminum alloy and reinforced by the silicon carbide and graphite particles. The tribological characteristics of such materials are superior to characteristics of the matrix – the aluminum alloy, as well as to characteristics of the classical metal-matrix composites with a single reinforcing material. Those characteristics depend on the volume fractions of the reinforcing components, sizes of the reinforcing particles, as well as on the fabrication process of the hybrid composites. The considered tribological characteristics are the friction coefficient and the wear rate as functions of the load levels and the volume fractions of the graphite and the SiC particles. The wear rate increases with increase of the load and the Gr particles content and with reduction of the SiC particles content. The friction coefficient increases with the load, as well as with the SiC particles content increase.
Źródło:
Production Engineering Archives; 2018, 18; 18-23
2353-5156
2353-7779
Pojawia się w:
Production Engineering Archives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przemiana lepkosprężysta i właściwości napełnionych kompozytów epoksydowych odpornych na ścieranie
Viscoelastic transition and properties of the filled wear-resistant epoxy composites
Autorzy:
Prokopchuk, N. R.
Dolinskaya, R. M.
Poloz, A. Y.
Ebich, Y. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/272654.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Inżynierii Materiałów Polimerowych i Barwników
Tematy:
żywice epoksydowe
utwardzacze poliamidowe
węglik krzemu
właściwości lepkosprężyste
epoxy
polyamine hardener
silicon carbide
viscoelastic properties
Opis:
Badano właściwości lepkosprężyste napełnionych kompozytów epoksydowych na bazie żywicy dian ED-20, w temperaturze 60–140°C, w zależności od zawartości napełniacza, węglika krzemu. Przedstawiono różnice we właściwościach kompozytów w zależności od zmiany stosunku energii odkształcenia sprężystego i plastycznego. Te energie odkształcenia kompozytów są z kolei określane przez morfologię wzmacniającego napełniacza o małej plastyczności.
Viscoelastic properties of the filled epoxy composites on the basis of diane resin ED-20 are studied at 60–140°C depending on concentration of a filler, silicon carbide. Different properties of composites caused by change of an energy ratio of elastic and viscous deformation are shown. These energies of deformation of composites, in turn, are defined by morphology of the strengtheninged low-ductile filler.
Źródło:
Elastomery; 2018, 22, 2; 136-142
1427-3519
Pojawia się w:
Elastomery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 40

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies