Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor MOS" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
    Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor MOS
    parametry termiczne
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
    The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors
    Zastosowanie analizy wektorowej sieci elektrycznych do pomiaru temperatury tranzystorów MOS
    Autorzy:
    Torzyk, Błażej
    Więcek, Bogusław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2068667.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    Vector Network Analyzer
    IR camera measurement
    S-parameter
    MOS transistor
    electrical impedance
    VNA
    Wektorowy Analizator Sieci
    temperatura
    parametry rozpraszania
    parametry S
    tranzystor MOS
    impedancja elektryczna
    pomiary termowizyjne
    Opis:
    The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.
    W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2021, 25, 4; 83--87
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis and design of a MOSFET-only wideband balun LNA
    Autorzy:
    Bastos, I.
    Oliveira, L. B.
    Goes, J.
    Silva, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397861.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    tranzystor polowy MOS-tylko obwody
    redukcja hałasu
    CMOS LNAs
    MOSFET-only circuits
    noise cancelling
    wideband LNA
    Opis:
    In this paper we present a MOSFET-only implementation of a balun LNA. This LNA is based on the combination of a common-gate and a common-source stage with cancellation of the noise of the common-gate stage. In this circuit, we replace resistors by transistors, to reduce area and cost, and to minimize the effect of process and supply variations and mismatches. In addition, we obtain a higher gain for the same voltage drop. Thus, the LNA gain is optimized and the noise figure (NF) is reduced. We derive equations for the gain, input matching and NF. The performance of this new topology is compared with that of a conventional LNA with resistors. Simulation results with a 130 nm CMOS technology show that we obtain a balun LNA with a peak gain of 20.2 dB (about 2 dB improvement), and a spot NF lower than 2.4 dB. The total power consumption is only 4.8 mW for a bandwidth higher than 6 GHz.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 241-248
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
    Autorzy:
    Schwarz, M.
    Calvet, L. E.
    Snyde, J. P.
    Krauss, T.
    Schwalke, U.
    Kloes, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    2D Poisson equation
    device modeling
    double-gate MOSFET
    field emission
    framework
    Schottky barrier
    Synopsys
    TCAD
    thermionic emission
    thermionic current
    tunneling current
    dwuwymiarowe równanie Poissona
    modelowanie elementów elektronicznych
    dwubramkowy tranzystor MOS
    emisja polowa
    bariera Schottky'ego
    emisja termoelektronowa
    prąd termoelektronowy
    prąd tunelowy
    Opis:
    In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies