Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors

Tytuł:
Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors
Zastosowanie analizy wektorowej sieci elektrycznych do pomiaru temperatury tranzystorów MOS
Autorzy:
Torzyk, Błażej
Więcek, Bogusław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2068667.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Vector Network Analyzer
IR camera measurement
S-parameter
MOS transistor
electrical impedance
VNA
Wektorowy Analizator Sieci
temperatura
parametry rozpraszania
parametry S
tranzystor MOS
impedancja elektryczna
pomiary termowizyjne
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2021, 25, 4; 83--87
1427-9126
Język:
angielski
Prawa:
CC BY: Creative Commons Uznanie autorstwa 3.0 PL
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.

W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies