Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Tesla switch of 4 batteries based on the Arduino Uno board
Przełącznik Tesli dla 4 akumulatorów oparty na module Arduino Uno
Autorzy:
Polishchuk, Mykola
Grinyuk, Serhii
Kostiuchko, Serhii
Tkachuk, Anatolii
Savaryn, Pavlo
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27315451.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
generator
batteries
transistor
microcontroller
baterie
tranzystor
mikrokontroler
Opis:
The paper considered the theoretical information of generators for several power sources, schematic theirsolutions, and the main disadvantages and advantages. A generator for 4 batteries based on field-effect transistors with optical galvanic isolation and a clock generator built on the basisof the Atmega328 microcontroller, which is part of the Arduino Uno device, was studied. The result of the study was the confirmation of the existenceof the "Tesla-switch"effect. A program code was developed for the alternate switching of six transistor switches of the optical decoupling. The structural diagram of the device was studied, and the influence of the generator frequency and the consumed power of the load on the output parameters of the device were determined. The considered idea of energy saving and environmental friendliness of power supply systems is relevant, in particular in casesof blackouts.
W artykule rozważono informacje teoretyczne dotyczące generatorów dla kilku źródeł zasilania, schematy ich rozwiązań oraz główne wadyi zalety. Zbadano generator dla 4 baterii oparty na tranzystorach polowychz optyczną izolacjągalwaniczną oraz generator zegara zbudowany na bazie mikrokontrolera Atmega328, który jest częścią urządzenia Arduino Uno. Wynikiem badań było potwierdzenie istnienia efektu "Tesla-switch". Opracowano kod programu do naprzemiennego przełączania sześciu przełączników tranzystorowych odsprzęgacza optycznego. Zbadano schemat strukturalny urządzenia oraz określono wpływ częstotliwości generatora i mocy pobieranej przez obciążenie na parametry wyjściowe urządzenia. Rozważana idea oszczędzania energii i przyjazności dla środowiska systemów zasilania jest istotna, w szczególności w przypadku awarii zasilania.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2023, 13, 3; 111-116
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ewolucja konstrukcji elektrycznych pojazdów trakcyjnych na przykładzie lokomotyw Škody
Autorzy:
Graff, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2203237.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Instytut Kolejnictwa
Tematy:
lokomotywy
Skoda
rozruch silnika elektrycznego
tyrystor
tranzystor
GTO
IGBT
CD
ZSR
CSD
Opis:
W artykule opisano ewolucję lokomotyw elektrycznych Škody, począwszy od pojazdów zasilanych napięciem 3 kV DC oraz 25 kV 50 Hz, wyposażonych w rozruch początkowo rezystorowy (dla zasilania DC), ewentualnie wysokonapięciową regulację napięcia (dla zasilania AC), a następnie w rozruch impulsowy (tyrystorowy). Sieć kolejowa ówczesnej Czechosłowacji początkowo była zelektryfikowana napięciem stałym (m.in. węzeł Pragi), jednak poznanie zalet napięcia 25 kV 50 Hz, opracowanego w Niemczech spowodowało, iż część nowych odcinków sieci ČSD zelektryfikowano prądem przemiennym. Równocześnie, krajowy producent Škoda opracował pojazdy (lokomotywy, ezt) przystosowane do eksploatacji pod napięciem stałym i przemiennym, choć początkowo były to pojazdy jednosystemowe, ponieważ opracowanie pojazdów wielosystemowych było wówczas skomplikowane technicznie (praktykowano jedynie wytwarzanie ich krótkich serii). Pojawienie się impulsowego rozruchu silników trakcyjnych nie tylko zapewniło bardziej ekonomiczne czy prostsze ich sterowanie, ale także pozwoliło na uproszczenie budowy pojazdów wielosystemowych. W artykule omówiono specyfikę obu systemów rozruchu silników oraz ewolucję budowy pojazdów na napięcie stałe i przemienne oraz ich eksploatację.
Źródło:
Problemy Kolejnictwa; 2022, 197; 23--52
0552-2145
2544-9451
Pojawia się w:
Problemy Kolejnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of temperature distribution in nanosized transistors using modern heat transfer thermal model
Porównanie rozkładów temperatury w nanotranzystorach przy użyciu nowoczesnego modelu termicznego
Autorzy:
Raszkowski, Tomasz
Raszkowska, Agnieszka
Zubert, Mariusz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1837636.pdf
Data publikacji:
2021-08-12
Wydawca:
Łódzkie Towarzystwo Naukowe
Tematy:
Dual-Phase-Lag model
nanosized structures
FinFETs
temperaturę distribution
Fourier-Kirchhoff model
model Dual-Phase-Lag
struktury nanometryczne
tranzystor FinFET
rozkład temperatury
model Fouriera-Kirchhoffa
Opis:
In this paper two modern electronic structures have been presented. The structures are prototypical Fin Field Effect Transistors. One of them is design in 5 nm technology node while the second one is manufactured by the 12 nm technology node. The temperaturę distribution in these nanosized structures has been determined and compared between each other. Furthermore, to obtain the temperature distribution in considered electronic structures, the Dual-Phase-Lag model has been applied. This methodology is appropriate for electronic structures produced in nanometric. Apart from that, the comparison to the Fourier-Kirchhoff model has also been prepared. All results have been described and final conclusions have also been presented
W pracy przedstawiono porównanie rozkładów temperatur w dwóch nanometrycznych strukturach elektronicznych. Pierwszą z nich jest prototypowy tranzystor FinFET zaprojektowany w procesie technologicznym 5nm. Drugą rozważaną strukturą jest tranzystor FinFET wykonany w procesie technologicznym 12 nm. W celu wyznaczenia rozkładu temperatury w analizowanych strukturach wykorzystano nowoczesny model termiczny Dual-Phase-Lag. Dodatkowo, wszystkie otrzymane wyniki porównane zostały z temperaturami uzyskanymi przy użyciu klasycznego modelu Fouriera-Kirchhoffa. Zaprezentowane wyniki zostały szczegółowo opisane w artykule. Przedstawiono ponadto najważniejsze wnioski w formie krótkiego podsumowania
Źródło:
Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations; 2020, 70, 1; 115-127
1895-7838
2450-9329
Pojawia się w:
Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173625.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137386
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090738.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137386, 1--8
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors
Zastosowanie analizy wektorowej sieci elektrycznych do pomiaru temperatury tranzystorów MOS
Autorzy:
Torzyk, Błażej
Więcek, Bogusław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2068667.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Vector Network Analyzer
IR camera measurement
S-parameter
MOS transistor
electrical impedance
VNA
Wektorowy Analizator Sieci
temperatura
parametry rozpraszania
parametry S
tranzystor MOS
impedancja elektryczna
pomiary termowizyjne
Opis:
The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.
W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2021, 25, 4; 83--87
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
Experimental investigations of monolithic IGBT transistor acoustic emission phenomena
Autorzy:
Kozak, Maciej
Gordon, Radosław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376769.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
tranzystor IGBT
moduł IGBT
emisja akustyczna
IGBT Modules
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:
Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 19-28
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
Autorzy:
Fatyga, K.
Kwaśny, Ł.
Stefańczak, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
IGBT
SiC
transistor
MOSFET
DC/DC converter
tranzystor
przekształtnik DC/DC
Opis:
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Komputerowo wspomagane stanowisko do badania tranzystorów stosowanych w motoryzacji
A computer-assisted stand for testing transistors used in the automotive industry
Autorzy:
Wołczyński, Z.
Stępniewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/310390.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
tranzystor
rodzaje tranzystorów
funkcje tranzystorów
tranzystor w motoryzacji
transistor
transistor types
transistor functions
transistor in automotive industry
Opis:
W artykule omówiony został tranzystor jako element elektroniczny coraz częściej wykorzystywany w motoryzacji. Zaprezentowano rodzaje, typy oraz sposoby doboru i diagnozowania tranzystorów w ujęciu dla zastosowań motoryzacyjnych. Wskazano najważniejsze cechy tranzystora w zastosowaniach motoryzacyjnych. Pokazano sposoby pomiaru najistotniejszych parametrów tranzystora dla zastosowań motoryzacyjnych, w tym wykorzystanie komputerowej techniki pomiarowej w szybkim uzyskaniu istotnych charakterystyk tranzystora.
The article discusses the transistor as an electronic element increasingly used in the automotive industry. The types, types and ways of selecting and diagnosing transistors in terms of automotive applications are presented. The most important features of the transistor in automotive applications are indicated. Methods of measuring the most important transistor parameters for automotive applications, including the use of computer measuring technology in quickly obtaining significant transistor characteristics are shown.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2018, 19, 12; 729-733
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
Single-phase inverter with active power decoupling
Autorzy:
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
falownik jednofazowy
odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
sterowanie przekształtnikiem
tranzystor z węglika krzemu
SiC
single-phase inverter
decoupling of the alternating component of the instantaneous power
converter control
silicon carbide transistors
Opis:
Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
tranzystor MOS
parametry termiczne
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Selected applications of the MOSFETs in AC-DC rectifier systems
Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
Autorzy:
Tutaj, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/311897.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
MOSFET transistor
rectifier circuits
electronic key
electronic commutator
transistor rectifier
tranzystor MOSFET
układy prostownikowe
klucz elektroniczny
komutator elektroniczny
prostownik tranzystorowy
Opis:
The paper presents the principle of the uncontrolled transistor rectifier single- and/or multi-phase. The results of computer simulation waveforms of power and voltages are also given as well as of the currents of the uncontrolled transistor rectifier in single- and/or multi-phase, single- and/or double-way connections using PSPICE. The possibility of using a modified transistor rectifier in low-voltage power supply systems is indicated. In comparison with the conventional diode rectifiers (realized on the silicon power diodes), the transistor rectifier, exhibit a number of advantages, namely: they have a much lower forward-voltage drop, and therefore less power losses on heat, and better energetic efficiency and reliability. These transistor rectifiers can be made in the form of a Modular Circuit (MC) or an Application Specified Integrated Circuit (ASIC). Computer simulation allowed for the imitation of any selected waveforms of voltages and currents in the electronic commutator acting as a modified transistor rectifier. This simulation also confirmed the benefits of using a transistor rectifier instead of a conventional diode rectifier, such as higher energetic efficiency (reduction of power losses caused by the heat in the electronic commutator) and the associated reliability
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, działający jako tranzystorowy prostownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnico-rozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementów separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwala na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artykule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 4; 88-94
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
Autorzy:
Kraśniewski, J.
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118323.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
MOSFET
power transistor
subthreshold
temperature dependence
tranzystor mocy
obszar podprogowy
zależność od temperatury
Opis:
In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 51-58
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Advanced control and design methods of the auxiliary resonant commutated pole inverter
Autorzy:
Karyś, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201964.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
soft switching
ARCP
ZVS
miękkie przełączanie
tranzystor
Opis:
This paper presents several methods that enable the reduction of power loss in the auxiliary resonant commutated pole inverter - ARCP. Presented methods can be divided into static and dynamic ones. The static methods are related to an appropriate design of the inverter, whereas dynamic ones to advanced control of the power transistors. A variety of design and control methods are presented together with their advantages and disadvantages. The new control method of the current in the resonant branch is described. The main benefits of the proposed extended control method and their constrains are shown.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 2; 489-494
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies