Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-24 z 24
    Tytuł:
    Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
    Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor MOS
    parametry termiczne
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
    The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Komputerowo wspomagane stanowisko do badania tranzystorów stosowanych w motoryzacji
    A computer-assisted stand for testing transistors used in the automotive industry
    Autorzy:
    Wołczyński, Z.
    Stępniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/310390.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    tranzystor
    rodzaje tranzystorów
    funkcje tranzystorów
    tranzystor w motoryzacji
    transistor
    transistor types
    transistor functions
    transistor in automotive industry
    Opis:
    W artykule omówiony został tranzystor jako element elektroniczny coraz częściej wykorzystywany w motoryzacji. Zaprezentowano rodzaje, typy oraz sposoby doboru i diagnozowania tranzystorów w ujęciu dla zastosowań motoryzacyjnych. Wskazano najważniejsze cechy tranzystora w zastosowaniach motoryzacyjnych. Pokazano sposoby pomiaru najistotniejszych parametrów tranzystora dla zastosowań motoryzacyjnych, w tym wykorzystanie komputerowej techniki pomiarowej w szybkim uzyskaniu istotnych charakterystyk tranzystora.
    The article discusses the transistor as an electronic element increasingly used in the automotive industry. The types, types and ways of selecting and diagnosing transistors in terms of automotive applications are presented. The most important features of the transistor in automotive applications are indicated. Methods of measuring the most important transistor parameters for automotive applications, including the use of computer measuring technology in quickly obtaining significant transistor characteristics are shown.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2018, 19, 12; 729-733
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Tesla switch of 4 batteries based on the Arduino Uno board
    Przełącznik Tesli dla 4 akumulatorów oparty na module Arduino Uno
    Autorzy:
    Polishchuk, Mykola
    Grinyuk, Serhii
    Kostiuchko, Serhii
    Tkachuk, Anatolii
    Savaryn, Pavlo
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27315451.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    generator
    batteries
    transistor
    microcontroller
    baterie
    tranzystor
    mikrokontroler
    Opis:
    The paper considered the theoretical information of generators for several power sources, schematic theirsolutions, and the main disadvantages and advantages. A generator for 4 batteries based on field-effect transistors with optical galvanic isolation and a clock generator built on the basisof the Atmega328 microcontroller, which is part of the Arduino Uno device, was studied. The result of the study was the confirmation of the existenceof the "Tesla-switch"effect. A program code was developed for the alternate switching of six transistor switches of the optical decoupling. The structural diagram of the device was studied, and the influence of the generator frequency and the consumed power of the load on the output parameters of the device were determined. The considered idea of energy saving and environmental friendliness of power supply systems is relevant, in particular in casesof blackouts.
    W artykule rozważono informacje teoretyczne dotyczące generatorów dla kilku źródeł zasilania, schematy ich rozwiązań oraz główne wadyi zalety. Zbadano generator dla 4 baterii oparty na tranzystorach polowychz optyczną izolacjągalwaniczną oraz generator zegara zbudowany na bazie mikrokontrolera Atmega328, który jest częścią urządzenia Arduino Uno. Wynikiem badań było potwierdzenie istnienia efektu "Tesla-switch". Opracowano kod programu do naprzemiennego przełączania sześciu przełączników tranzystorowych odsprzęgacza optycznego. Zbadano schemat strukturalny urządzenia oraz określono wpływ częstotliwości generatora i mocy pobieranej przez obciążenie na parametry wyjściowe urządzenia. Rozważana idea oszczędzania energii i przyjazności dla środowiska systemów zasilania jest istotna, w szczególności w przypadku awarii zasilania.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2023, 13, 3; 111-116
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Selected applications of the MOSFETS in AC-DC rectifier systems
    Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
    Autorzy:
    Tutaj, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/251034.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    MOSFET
    rectifier circuit
    transistor
    układ prostownikowy
    tranzystor
    Opis:
    This paper describes the principles of operation and the physical model of an electronic commutator acting as a reverse-conducting transistor AC-DC rectifier with MOSFETs as fast-switching controlled electrical valves with a low ON-state voltage drop. An electronic commutator, when seen as a transistor AC-DC rectifier, can be used in many fields, e.g., for multifunctional automotive generator/starter and conventional DC motors and generators, generator sets, welding machines, etc. The paper also describes a new reverse-conducting transistor AC-DC rectifier, without the use of optoelectronic separation (which does not require a separate power supply), which may be easily realized in IC technology. Computer simulation allows for currents timing of all components of the electronic-commutator’s physical model, both during normal operation as well as in some states of emergency. The paper presents the results of bench experimental studies where the MOSFETs were used as a fast-switching controlled electrical valves with a relatively low ON-state voltage drop. For experimental studies, an electronic commutator has been put together on the Mitsubishi FM600TU module. The reverse-conducting transistor AC-DC rectifier in a three-phase bridge connection has a lot of advantages compared to the conventional diode AC-DC rectifier, such as higher energy efficiency and greater reliability resulting from the lower temperature of electrical valves.
    Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, dzialający jako tranzystorowy pro-stownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnicorozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementow separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwa-la na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artkule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2015, 12; 1582-1587, CD
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Advanced control and design methods of the auxiliary resonant commutated pole inverter
    Autorzy:
    Karyś, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201964.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    soft switching
    ARCP
    ZVS
    miękkie przełączanie
    tranzystor
    Opis:
    This paper presents several methods that enable the reduction of power loss in the auxiliary resonant commutated pole inverter - ARCP. Presented methods can be divided into static and dynamic ones. The static methods are related to an appropriate design of the inverter, whereas dynamic ones to advanced control of the power transistors. A variety of design and control methods are presented together with their advantages and disadvantages. The new control method of the current in the resonant branch is described. The main benefits of the proposed extended control method and their constrains are shown.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 2; 489-494
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza i diagnostyka uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
    Analysis and diagnosis of IGBT faults in AC/DC line side converter
    Autorzy:
    Sobański, P.
    Orłowska-Kowalska, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813979.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    przekształtnik sieciowy AC/DC
    metody bezczujnikowe
    tranzystor IGBT
    diagnostyka uszkodzeń
    Opis:
    In this paper a single IGBT open-circuit fault symptoms analysis in the voltage-oriented-control AC/DC converter was carried out. The aim of the present contribution was to confirm an effectiveness of the well-known diagnosis methods for open-switch faults in two level voltage inverter in case of the reversible AC/DC line side converter. Presented results have a comparative character and they were achieved by utilizing simulation model of the AC/DC converter control structure based on voltage sensor or sensor less control concept.
    Źródło:
    Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 70--81
    1733-0718
    Pojawia się w:
    Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
    Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
    Autorzy:
    Fatyga, K.
    Kwaśny, Ł.
    Stefańczak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    IGBT
    SiC
    transistor
    MOSFET
    DC/DC converter
    tranzystor
    przekształtnik DC/DC
    Opis:
    This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
    W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
    Experimental investigations of monolithic IGBT transistor acoustic emission phenomena
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Gordon, Radosław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376769.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor IGBT
    moduł IGBT
    emisja akustyczna
    IGBT Modules
    IGBT Transistor
    Acoustic Emission
    Opis:
    Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
    The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 19-28
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowoczesne przetwornice trakcyjne
    Power electronic for tramways from MEDCOM
    Autorzy:
    Baranecki, A.
    Niewiadomski, M.
    Płatek, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253813.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    MEDCOM
    przetwornica PSM-16
    przetwornica trakcyjna
    sieć trakcyjna
    tranzystor IGBT
    urządzenie zasilające
    Opis:
    Statyczne przetwornice trakcyjne, umożliwiające zasilanie urządzeń w wagonach lub lokomotywach energią z sieci trakcyjnej, stały się już codzienną rzeczywistością. Pierwsza krajowa przetwornica z tranzystorami IGBT oraz magnetykami amorficznymi powstała w firmie MEDCOM w 1995 r. Przetwornica PSM-16, ze swoją masą 160 kg, była wielokrotnie lżejsza od elektromaszynowej poprzedniczki i była pierwszą tego typu przetwornicą oferowaną na polskim rynku.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2003, 10, 9; 57-59
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ewolucja konstrukcji elektrycznych pojazdów trakcyjnych na przykładzie lokomotyw Škody
    Autorzy:
    Graff, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2203237.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Instytut Kolejnictwa
    Tematy:
    lokomotywy
    Skoda
    rozruch silnika elektrycznego
    tyrystor
    tranzystor
    GTO
    IGBT
    CD
    ZSR
    CSD
    Opis:
    W artykule opisano ewolucję lokomotyw elektrycznych Škody, począwszy od pojazdów zasilanych napięciem 3 kV DC oraz 25 kV 50 Hz, wyposażonych w rozruch początkowo rezystorowy (dla zasilania DC), ewentualnie wysokonapięciową regulację napięcia (dla zasilania AC), a następnie w rozruch impulsowy (tyrystorowy). Sieć kolejowa ówczesnej Czechosłowacji początkowo była zelektryfikowana napięciem stałym (m.in. węzeł Pragi), jednak poznanie zalet napięcia 25 kV 50 Hz, opracowanego w Niemczech spowodowało, iż część nowych odcinków sieci ČSD zelektryfikowano prądem przemiennym. Równocześnie, krajowy producent Škoda opracował pojazdy (lokomotywy, ezt) przystosowane do eksploatacji pod napięciem stałym i przemiennym, choć początkowo były to pojazdy jednosystemowe, ponieważ opracowanie pojazdów wielosystemowych było wówczas skomplikowane technicznie (praktykowano jedynie wytwarzanie ich krótkich serii). Pojawienie się impulsowego rozruchu silników trakcyjnych nie tylko zapewniło bardziej ekonomiczne czy prostsze ich sterowanie, ale także pozwoliło na uproszczenie budowy pojazdów wielosystemowych. W artykule omówiono specyfikę obu systemów rozruchu silników oraz ewolucję budowy pojazdów na napięcie stałe i przemienne oraz ich eksploatację.
    Źródło:
    Problemy Kolejnictwa; 2022, 197; 23--52
    0552-2145
    2544-9451
    Pojawia się w:
    Problemy Kolejnictwa
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118323.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    MOSFET
    power transistor
    subthreshold
    temperature dependence
    tranzystor mocy
    obszar podprogowy
    zależność od temperatury
    Opis:
    In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
    W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 51-58
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
    Low Loss Power MOSFET Driver
    Autorzy:
    Legutko, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155591.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    drajwer
    straty mocy
    czasy przełączeń
    tranzystor MOSFET
    driver
    analysis
    power losses
    MOSFET transistor
    Opis:
    W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.
    This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 3, 3; 188-191
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
    Autorzy:
    Kral, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/320345.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    ultraszerokopasmowy
    linia transmisyjna
    rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    tranzystor polowy
    tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
    HEMT
    wzmocnienie mocy
    ultrabroadband
    transmission line
    cascaded single stage distributed amplifier
    high electron mobility transistor
    power gain
    Opis:
    W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
    Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
    Źródło:
    Elektrotechnika i Elektronika; 2006, 25, 2; 106-112
    1640-7202
    Pojawia się w:
    Elektrotechnika i Elektronika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wielopoziomowy układ czopera wysokiego napięcia ze sterowaniem DSP
    Multi-level high voltage chopper with DSP controller
    Autorzy:
    Cichomski, P.
    Niewiadomski, M.
    Płatek, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/250776.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    czoper
    firma MEDCOM Sp. z o.o.
    napięcie
    silniki trakcyjne
    tranzystor
    układ napędowy
    układ sterowania
    Opis:
    Napędy DC ze stałoprądowymi przerywaczami prądu (czoperami), wykorzystującymi tranzystory IGBT, charakteryzują się obecnie parametrami techniczno-ekonomicznymi, pozwalającymi na stosowanie ich w napędach trakcyjnych zamiast dotychczasowych układów rozruchu oporowego.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2001, 8, 10; 36-39
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis and design of a MOSFET-only wideband balun LNA
    Autorzy:
    Bastos, I.
    Oliveira, L. B.
    Goes, J.
    Silva, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397861.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    tranzystor polowy MOS-tylko obwody
    redukcja hałasu
    CMOS LNAs
    MOSFET-only circuits
    noise cancelling
    wideband LNA
    Opis:
    In this paper we present a MOSFET-only implementation of a balun LNA. This LNA is based on the combination of a common-gate and a common-source stage with cancellation of the noise of the common-gate stage. In this circuit, we replace resistors by transistors, to reduce area and cost, and to minimize the effect of process and supply variations and mismatches. In addition, we obtain a higher gain for the same voltage drop. Thus, the LNA gain is optimized and the noise figure (NF) is reduced. We derive equations for the gain, input matching and NF. The performance of this new topology is compared with that of a conventional LNA with resistors. Simulation results with a 130 nm CMOS technology show that we obtain a balun LNA with a peak gain of 20.2 dB (about 2 dB improvement), and a spot NF lower than 2.4 dB. The total power consumption is only 4.8 mW for a bandwidth higher than 6 GHz.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 241-248
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
    Autorzy:
    Bąba, Sebastian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173625.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    reliability engineering
    reliability modelling
    power MOSFET
    SiC
    silicon carbide
    inżynieria niezawodności
    modelowanie niezawodności
    węglik krzemu
    tranzystor mocy MOSFET
    Opis:
    The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137386
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
    Autorzy:
    Bąba, Sebastian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2090738.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    reliability engineering
    reliability modelling
    power MOSFET
    SiC
    silicon carbide
    inżynieria niezawodności
    modelowanie niezawodności
    węglik krzemu
    tranzystor mocy MOSFET
    Opis:
    The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137386, 1--8
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spice simulation of substrate potential shift in HVCMOS technologies
    Autorzy:
    Stefanucci, C.
    Buccella, P.
    Kayal, M.
    Sallese, J.-M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397879.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    Smart Power ICs
    HVCMOS modeling
    vertical bipolar transistor
    substrate potential shift
    Smart Power
    modelowanie HVCMOS
    pionowy tranzystor bipolarny
    Opis:
    High voltage CMOS active devices inherently include a parasitic vertical PNP bipolar transistor. When activated it injects holes into the substrate causing a dangerous potential shift. In this work a spice-modeling approach based on transistor layout is presented to simulate substrate de-biasing in Smart Power ICs. The proposed model relies on a parasitic substrate network without the need of a parasitic BJT in HVCMOS compact models. The results are compared with TCAD simulations at different temperatures showing good agreement. Potential shift of the substrate is analysed for different geometrical configurations to estimate the effect of P+ grounding schemes and backside contact.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 4; 142-147
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Selected applications of the MOSFETs in AC-DC rectifier systems
    Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
    Autorzy:
    Tutaj, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/311897.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    MOSFET transistor
    rectifier circuits
    electronic key
    electronic commutator
    transistor rectifier
    tranzystor MOSFET
    układy prostownikowe
    klucz elektroniczny
    komutator elektroniczny
    prostownik tranzystorowy
    Opis:
    The paper presents the principle of the uncontrolled transistor rectifier single- and/or multi-phase. The results of computer simulation waveforms of power and voltages are also given as well as of the currents of the uncontrolled transistor rectifier in single- and/or multi-phase, single- and/or double-way connections using PSPICE. The possibility of using a modified transistor rectifier in low-voltage power supply systems is indicated. In comparison with the conventional diode rectifiers (realized on the silicon power diodes), the transistor rectifier, exhibit a number of advantages, namely: they have a much lower forward-voltage drop, and therefore less power losses on heat, and better energetic efficiency and reliability. These transistor rectifiers can be made in the form of a Modular Circuit (MC) or an Application Specified Integrated Circuit (ASIC). Computer simulation allowed for the imitation of any selected waveforms of voltages and currents in the electronic commutator acting as a modified transistor rectifier. This simulation also confirmed the benefits of using a transistor rectifier instead of a conventional diode rectifier, such as higher energetic efficiency (reduction of power losses caused by the heat in the electronic commutator) and the associated reliability
    Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, działający jako tranzystorowy prostownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnico-rozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementów separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwala na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artykule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 4; 88-94
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Signal flow graph block approach to the design of the universal mixed-mode multi-loop filter and study of non-ideal properties
    Autorzy:
    Sotner, R.
    Slezak, J.
    Dostal, T.
    Frydrych, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397881.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    tryb prądowy
    tryb napięciowy
    uniwersalny filtr
    tranzystor diamentowy
    regulacje
    pasożytnicze wpływy
    current-mode
    voltage mode
    universal filter
    diamond transistors
    adjustabilities
    parasitic influences
    Opis:
    The paper deals with the universal active filter design in current mode based on diamond transistors is presented. Circuit has abilities to work in high frequency range and adjustable features. All types of second order transfer functions are available. Theoretical assumptions are supported by simulation results in PSpice and by laboratory measurements. Impact of real substantial non-idealities caused by real active elements is discussed.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 316-325
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of temperature distribution in nanosized transistors using modern heat transfer thermal model
    Porównanie rozkładów temperatury w nanotranzystorach przy użyciu nowoczesnego modelu termicznego
    Autorzy:
    Raszkowski, Tomasz
    Raszkowska, Agnieszka
    Zubert, Mariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1837636.pdf
    Data publikacji:
    2021-08-12
    Wydawca:
    Łódzkie Towarzystwo Naukowe
    Tematy:
    Dual-Phase-Lag model
    nanosized structures
    FinFETs
    temperaturę distribution
    Fourier-Kirchhoff model
    model Dual-Phase-Lag
    struktury nanometryczne
    tranzystor FinFET
    rozkład temperatury
    model Fouriera-Kirchhoffa
    Opis:
    In this paper two modern electronic structures have been presented. The structures are prototypical Fin Field Effect Transistors. One of them is design in 5 nm technology node while the second one is manufactured by the 12 nm technology node. The temperaturę distribution in these nanosized structures has been determined and compared between each other. Furthermore, to obtain the temperature distribution in considered electronic structures, the Dual-Phase-Lag model has been applied. This methodology is appropriate for electronic structures produced in nanometric. Apart from that, the comparison to the Fourier-Kirchhoff model has also been prepared. All results have been described and final conclusions have also been presented
    W pracy przedstawiono porównanie rozkładów temperatur w dwóch nanometrycznych strukturach elektronicznych. Pierwszą z nich jest prototypowy tranzystor FinFET zaprojektowany w procesie technologicznym 5nm. Drugą rozważaną strukturą jest tranzystor FinFET wykonany w procesie technologicznym 12 nm. W celu wyznaczenia rozkładu temperatury w analizowanych strukturach wykorzystano nowoczesny model termiczny Dual-Phase-Lag. Dodatkowo, wszystkie otrzymane wyniki porównane zostały z temperaturami uzyskanymi przy użyciu klasycznego modelu Fouriera-Kirchhoffa. Zaprezentowane wyniki zostały szczegółowo opisane w artykule. Przedstawiono ponadto najważniejsze wnioski w formie krótkiego podsumowania
    Źródło:
    Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations; 2020, 70, 1; 115-127
    1895-7838
    2450-9329
    Pojawia się w:
    Bulletin de la Société des Sciences et des Lettres de Łódź, Série: Recherches sur les déformations
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors
    Zastosowanie analizy wektorowej sieci elektrycznych do pomiaru temperatury tranzystorów MOS
    Autorzy:
    Torzyk, Błażej
    Więcek, Bogusław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2068667.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    Vector Network Analyzer
    IR camera measurement
    S-parameter
    MOS transistor
    electrical impedance
    VNA
    Wektorowy Analizator Sieci
    temperatura
    parametry rozpraszania
    parametry S
    tranzystor MOS
    impedancja elektryczna
    pomiary termowizyjne
    Opis:
    The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.
    W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2021, 25, 4; 83--87
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
    Single-phase inverter with active power decoupling
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    falownik jednofazowy
    odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
    sterowanie przekształtnikiem
    tranzystor z węglika krzemu
    SiC
    single-phase inverter
    decoupling of the alternating component of the instantaneous power
    converter control
    silicon carbide transistors
    Opis:
    Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
    In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
    Autorzy:
    Schwarz, M.
    Calvet, L. E.
    Snyde, J. P.
    Krauss, T.
    Schwalke, U.
    Kloes, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    2D Poisson equation
    device modeling
    double-gate MOSFET
    field emission
    framework
    Schottky barrier
    Synopsys
    TCAD
    thermionic emission
    thermionic current
    tunneling current
    dwuwymiarowe równanie Poissona
    modelowanie elementów elektronicznych
    dwubramkowy tranzystor MOS
    emisja polowa
    bariera Schottky'ego
    emisja termoelektronowa
    prąd termoelektronowy
    prąd tunelowy
    Opis:
    In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-24 z 24

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies