Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "thin-films" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Mechanical modelling of thin films. Stress Evolution, Degradation, Characterization
Mechaniczne modelowanie cienkich warstw
Autorzy:
Białas, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31343154.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Podstawowych Problemów Techniki PAN
Tematy:
cienkie warstwy
modelowanie cienkich warstw
mechaniczna analiza cienkich warstw
thin films
modelling of thin films
Opis:
The thesis reports the research effort aimed at the mechanical modelling of thin films. It is devoted to four particular aspects: stress development due to mechanical and thermal loadings, coating degradation due to through thickness cracking, coating delamination and, finally, mechanical characterization of thin films using non-invasive methods. The monograph consists of seven chapters. Chapter 1 is an introductory chapter, where thin films deposition methods are described. Then, failure modes observed in coatings are discussed. Since the developed modelling tools will be applied in particular to thermal barrier coatings and human skin, two final sections of the chapter introduce the reader into mechanical and material properties of TBC systems and human skin. Mathematical preliminaries is the subject of Chapter 2 of the monograph. Basics of elastic fracture mechanics of interfacial cracks are briefly presented and cohesive zone model is introduced. This model makes a basis for subsequent modelling of various types of cracks within coating systems. Chapters 3-6 report the novel part of the research and, except for the experiment described in the frst part of Chapter 4 (bending tests combined with acoustic emission technique), present an original contribution of the Author. In Chapter 3 an energy model of segmentation cracking with application to silicon oxide film is presented. Chapter 4 reports Fnite element simulation of stress development, delamination and through-thickness cracking in TBC systems. In Chapter 5 two dimensional model of frictional slip is presented and semi-analytical procedure providing delamination estimation is described. Chapter 6 presents a conceptual setup of piezoelectric sensors used for mechanical characteristic of human skin. The final Chapter 7 concludes the monograph and recapitulates the main achievements of the reported research.
Cienkie warstwy znajdują zastosowanie w wielu gałęziach techniki. Odnajdujemy je w układach scalonych, czyli w każdym komputerze. Tutaj przewodzenie ładunków elektrycznych jest w dużej mierze zależne od rodzaju powierzchni kontaktowych na granicy cienkich warstw materiałów o różnych własnościach elektrycznych i mechanicznych (Freund i Suresh [69], Lu i współpracownicy [128]). Kolejnym przykładem zastosowania cienkich warstw są pokrycia elementów turbin gazowych, na przykład ich łopatki (Evans i współpracownicy [62, 63]). Izolacja, wykonana z bardzo porowatej ceramiki o małej przewodności cieplnej, odgrywa tutaj istotną rolę, chroniąc właściwy materiał łopatki przed temperaturami znacznie przewyższającymi jego temperaturę topnienia oraz zapewniając ochronę przed czynnikami korozyjnymi. Wiąże się z tym istotny aspekt ekonomiczny, zastosowanie warstw izolacji termicznej pozwala bowiem na wydłużenie całkowitego okresu pracy turbiny oraz prowadzi do zwiększenia jej wydajności. Szczególnie materiały o zmieniających się właściwościach mechanicznych i termicznych po grubości pokrycia odgrywają coraz ważniejszą rolę w tego rodzaju zastosowaniach. Należy wymienić tutaj pokrycia wielowarstwowe (po angielsku multi-layered), gdzie zmiana cech mechanicznotermicznych jest skokowa po grubości oraz te, gdzie jest ona ciągła (Pindera i współpracownicy [161, 162]). Te drugie noszą raczej niefortunną w języku polskim nazwę materiałów gradientowych (po angielsku graded materials). Cienką warstwą jest także ludzka skóra, dlatego mechanika cienkich warstw znajduje także swoje zastosowanie w tych dziedzinach techniki lub nauki, których nazwa zaczyna się przedrostkiem bio- (Białas i Guzina [26]). W szczególności odgrywa rolę w diagnostyce komórek nowotworowych (w sensie mechanicznym są one sztywniejsze od komórek zdrowych) oraz przy produkcji sztucznej skóry (Wagner i współpracownicy [209]). Czas użytkowania elementów maszyn lub konstrukcji szczególnie narażonych na ścieranie w wyniku kontaktu z otoczeniem może być znacznie zwiększony właśnie poprzez zastosowanie na nich cienkich pokryć. Należy tutaj wymienić dyski komputerowe wykorzystujące zjawisko magnetyzmu lub sztuczne implanty bioder lub kolan (Freund i Suresh [69]). Niewielka grubość cienkich warstw odgrywa istotne znaczenie w innych gałęziach techniki. Polimerowe filmy wykorzystuje się przy produkcji laminowanych szyb - łączą one ze sobą elementy szklane (Ivanov [101], Muralidhar i współpracownicy [143]). Ten sam materiał, ale dodatkowo zbrojony włóknami, wykorzystuje się w budownictwie do wzmocnienia uszkodzonych elementów konstrukcyjnych (Cottone i Giambanco [50]). Pierwszym wnioskiem jaki nasuwa się po przejrzeniu powyższej listy jest stwierdzenie, że rolą cienkich warstw nie jest przenoszenie dużych obciążeń, powiedzielibyśmy, że nie pełnią one roli nośnej. W większości przypadków tak rzeczywiście jest, spełniają one jedynie zadanie ochronne. Mimo to, w wielu sytuacjach sam sposób ich produkcji powoduje wytworzenie dużych naprężeń początkowych, które w połączeniu z tymi, które wywołuje obciążona konstrukcja, mogą prowadzić do uszkodzenia warstwy. Najczęściej spotykane rodzaje uszkodzeń to pęknięcia po grubości lub odspajanie warstwy. Ich obecność może oznaczać całkowitą bezużyteczność elementu, który warstwa ma chronić. Konstrukcja, której rozmiar w jednym kierunku jest znacznie mniejszy niż w dwóch pozostałych to w mechanice konstrukcji płyta lub powłoka. Najważniejsza różnica, która pojawia się jednak, gdy mamy na myśli cienką warstwę polega na tym, że nie możemy tutaj pominąć materiału, który znajduje się pod nią i efektu, który on wywołuje. W wielu przypadkach nie jest nawet możliwe, aby wykonać eksperyment z samą cienką warstwą, a trudności związane są najczęściej z jej znikomą grubością. Chcąc modelować mechaniczne zachowanie się warstwy, wykorzystujemy pojęcie powierzchni kontaktowej, to jest powierzchni łączącej warstwę z podłożem. Dla tego obszaru definiujemy cechy mechaniczne, które oddają specyficzny charakter połączenia dwóch różnych materiałów warstwy i podłoża. Celem rozprawy jest opracowanie różnych metod mechanicznej analizy cienkich warstw ze szczególnym uwzględnieniem opisu stanu naprężenia, wywołanego nim rozwoju uszkodzeń (pękanie po grubości warstwy oraz jej odspajanie) oraz identyfikacji cech mechanicznych warstwy. Przyjęte modelowanie opiera się o mechanikę kontynualną ciała stałego i nie uwzględnia efektów wywołanych explicite analizą ziaren, dyslokacji lub wtrąceń obecnych w cienkim filmie. Typowy rząd grubości warstw omawianych w pracy to 0.5 žm - 2 mm. Jedynie proces pękania segmentacyjnego opisany w Rozdziale 3 dotyczy warstw znacznie cieńszych, o grubości 30-660 nm. Oryginalne aspekty prezentowanej rozprawy to: - zastosowanie energetycznego modelu pękania segmentacyjnego do opisu zjawisk zachodzących w warstwie tlenku krzemu na podłożu polimerowym; - wyjaśnienie wpływu naprężeń wstępnych na proces pękania segmentacyjnego w tym przypadku; - ilościowa analiza procesu rozwoju spękań po grubości warstwy izolacji termicznej; - wykazanie istotności wielkości kroku obciążenia w analizie metodą elementów skończonych procesu rozwoju dużej liczby nie połączonych ze sobą spękań; sformułowanie wskazówek praktycznych zezwalających na uniknięcie problemów ze zbieżnością obliczeń; - analiza głównych czynników decydujących o rozwoju stanu naprężenia w warstwach izolacji termicznej i podanie hipotetycznego scenariusza opisującego proces delaminacji tych warstw; - sformułowanie metody pozwalającej na pół-analityczne oszacowanie procesu dwuwymiarowego poślizgu ciernego warstwy na sztywnym podłożu; - wyprowadzenie prostych wzorów opisujących kształt strefy zdelaminowanej oraz proces delaminacji sztywnej warstwy ze sztywnego podłoża; - koncepcyjne sformułowanie zasad działania czujnika piezoelektrycznego pozwalającego na pomiar sprzężonych modułów sprężystych wielowarstwowego materiału; - sformułowanie praktycznych wskazówek służących zwiększeniu efektywności działania zaproponowanego czujnika.
Źródło:
IPPT Reports on Fundamental Technological Research; 2012, 1; 3-238
2299-3657
Pojawia się w:
IPPT Reports on Fundamental Technological Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic properties of thin niobium doped barium titanate films
Właściwości elektryczne cienkich warstw tytanianu baru domieszkowanego niobem
Autorzy:
Firek, P.
Ćwil, M.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192411.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
BaTiO3
cienka warstwa
thin films
Opis:
This work presents results of investigations of barium titanate thin films with Nb2O5 admixture, deposited on Si substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + Nb2O5 target. Round, aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. Thus, metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were created with BaTiO3 thin films playing the role of the insulator. They enabled subsequent electrical characterization (current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements) of studied material. This allowed extraction of several electronic parameters (e.g. εn, ρ, VFB ΔVH). Films composition were additionally studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) techniques.
W pracy prezentowane są wyniki badań dotyczące cienkich warstw tytanianu baru (BaTiO3) z domieszką Nb2O5. Powłoki zostały osadzone metodą rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej (Radio Freąuency Plasma Sputtering - RF PS), a następnie poprzez próżniowe naparowanie elektrod aluminiowych na powierzchnie BaTiO3, zostały wytworzone struktury metal-dielektryk-półprzewodnik (MIS). Pozwoliło to na charakteryzacje elektryczną (pomiary prądowo-napięciowe (I-V) i pojemnościowo-napięciowe (C-V)) kondensatorów, gdzie warstwa tytanianu baru występowała jako dielektryk. Wyznaczone zostały parametry takie jak: εn, ρ, VFB, ΔVH, . Ponadto zmierzono profil warstwy przy użyciu spektroskopii mas jonów wtórnych (secondary ion mass spectroscopy - SIMS).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 110-116
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural Characterization of LaCoO3 Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Jędrusik, M.
Cieniek, Ł.
Kopia, A.
Turquat, C.
Leroux, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354709.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PLD
thin films
perovskites
LaCoO3
Opis:
Thin films of crystallized LaCoO3 were grown on Si substrate by Pulsed Laser Deposition at different temperatures (750°C, 850°C and 1000°C). The structural characterization of the LaCoO3 thin films was done by combining several techniques: Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscope (AFM), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD). The thin films crystallized in the expected rhombohedral phase whatever the deposition temperature, with an increase of crystallite size from 70 nm at 750°C to 100 nm at 1000°C, and an average thickness of the thin films of less than 200 nm. At 850°C and 1000°C, the thin films are crack-free, and with a lower number of droplets than the film deposited at 750°C. The grains of LaCoO3 film deposited at 850°C are columnar, with a triangular termination. At 1000°C, an intermediate layer of La2 Si2 O7 was observed, indicating diffusion of Si into the deposited film.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 2; 793-797
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Amelioration of Ultrasonic Transducer to Study CuO Doped Thin Films
Autorzy:
Barakat, M. A. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/176534.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ultrasonic
thin films
doping
microstructure
wedge
Opis:
Ultrasonic pulse echo technique was used to study cupric oxide (CuO) thin films. CuO thin films were prepared using sol gel technique. They were doped with Lithium (Li) (1%, 2% and 4%). Thin films’ thickness (d) and band gap energy (Eg) were measured. In addition, elastic moduli (longitudinal (L), shear (G), bulk (K) and Young’s (E)) and Poisson’s ratio (v) were determined to estimate the microstructure properties of the prepared films. The study ameliorated the used transducers to overcome their dead zone and beam scattering; wedges were developed. The results showed the effectiveness of these wedges. They enhanced transducers’ sensitivity by changing the dead zone, beam diameter, beam directivity and waves’ transmission. Also, the study noted that Li doping caused the improvement of CuO thin films to be more useful in solar cell fabrication. Li-CuO thin films had narrower band gap. Thus, they acquired a high quantum yield for the excited carriers; also they gained more efficiency to absorb solar light.
Źródło:
Archives of Acoustics; 2018, 43, 3; 487-495
0137-5075
Pojawia się w:
Archives of Acoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mössbauer study of vacuum annealed Fe100-xGax (10 less - than or equal to x less - than or equal to 35) thin films
Autorzy:
Szumiata, T.
Górka, B.
Brzózka, K.
Gawroński, M.
Gzik-Szumiata, M.
Javed, A.
Morley, N. A.
Gibbs, M. R. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147332.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
Fe-Ga
thin films
CEMS
MOKE
Opis:
This work reports results from comparative Mossbauer studies of as-deposited and annealed Fe100.xGax (10 less - than or equal to x less - than or equal to 35) high magnetostrictive thin films of constant thickness (50 plus or minus 2 nm). Films were grown on Si(100) substrates using a co-sputtering and evaporation chamber where Fe has been sputtered and Ga was evaporated. During growth of films, a magnetic field of 65 kA/m has been applied in the plane of the film. Annealed films have been obtained by heating in vacuum for 1 h at 350 centigrade without magnetic field. After annealing, the saturation field of the Fe-Ga films has been significantly reduced. By means of the 57Fe CEMS technique the contributions from several phases have been found: Fe-Ga A2 (bcc), traces of DO3 phase, a gallium-rich disordered phase and iron oxides (both geothite and magnetite). For the sample with x = 26.5 the heat treatment reduces the DO3 phase content whereas for the film with x = 16.4 the opposite tendency has been observed. Mossbauer results were compared with XRD and MOKE findings.
Źródło:
Nukleonika; 2013, 58, 1; 27-30
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Drying of binary thin film polymeric coatings: an experimental study
Autorzy:
Katariya, J.
Arya, R.K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778937.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
Binary Coatings
thin films
drying
diffusion
Opis:
Four binary polymer -solvent systems, poly(styrene)-tetrahydrofuran, poly(styrene) - p-xylene, poly(methyl methacrylate) - ethylbenzene and poly(methyl methacrylate) - tetrahydrofuran, systems have been studied. It has been observed that thicker coatings will retain a higher amount of the residual solvent as compared to thinner coatings. In the case of poly(styrene)-tetrahydrofuran coating residual solvent remaining within the coatings were 9.09% and 4.74% for the coatings of the thicknesses of 967 micron and 559 micron, respectively. Similar trends were also observed in the case of poly(methyl methacrylate)-ethylbenzene, poly(methyl methacrylate)-tetrahydrofuran, and poly(styrene)-p-xylene systems.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2012, 14, 4; 83-87
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Highly sensitive chitosan-based optical fluorescent sensor for gaseous methylamine detection
Autorzy:
Mironenko, Aleksandr Yu
Sergeev, Aleksandr A.
Nazirov, Aleksandr E.
Voznesenskiy, Sergey S.
Bratskaya, Svetlana Yu.
Mirochnik, Anatoliy G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1034571.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Polskie Towarzystwo Chitynowe
Tematy:
composites
luminescence
optical materials
thin films
Opis:
An optical fluorescent sensor based on a chitosan thin film co-doped with Eu3+ and a bromothymol blue pH indicator has been developed. Near-UV to visible (350–400 nm) excitation of the europium (III) chelate complexes with 1,3-diphenyl-1,3-propanedione exhibits a typical lanthanide emission with maximum at 618 nm. Luminescent spectra of the Eu3+ complex were found to be insensitive to the presence of methylamine gas. Therefore, bromothymol blue, a non-fluorescent pH indicator with an absorbance maximum of deprotonated form close to the Eu3+ emission band was added to the film to provide a non-fluorescent reversible response to different methylamine concentrations, which can be detected by measuring the Eu3+ emission.
Źródło:
Progress on Chemistry and Application of Chitin and its Derivatives; 2017, 22; 159-165
1896-5644
Pojawia się w:
Progress on Chemistry and Application of Chitin and its Derivatives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Characterisation of Pulsed-Laser Deposited Tin Thin Films on Cube-Textured Copper at Different Temperatures
Autorzy:
Szwachta, G.
Gajewska, M.
Kąc, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352365.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
thin films
coated conductors
deposition
PLD
microstructure
Opis:
High-quality titanium nitride thin films have been grown on a cube-textured copper surface via pulsed laser deposition. The growth of TiN thin films has been very sensitive to pre-treatment procedure and substrate temperature. It is difficult to grow heteroexpitaxial TiN films directly on copper tape due to large differences in lattice constants, thermal expansion coefficients of the two materials as well as polycrystalline structure of substrate. The X-Ray diffraction measurement revealed presence of high peaks belonged to TiN(200) and TiN(111) thin films, depending on used etcher of copper surface. The electron diffraction patterns of TiN(200)/Cu films confirmed the single-crystal nature of the films with cube-on-cube epitaxy. The high-resolution microscopy on our films revealed sharp interfaces between copper and titanium nitride with no presence of interfacial reaction.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 2B; 1031-1038
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synthesis and Characterization of Manganese Sulphide Thin Films by Chemical Bath Deposition Method
Autorzy:
Geetha, G.
Murugasen, P.
Sagadevan, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030049.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
MnS thin films
XRD
SEM
dielectric studies
Opis:
Manganese sulphide (MnS) thin films were prepared by chemical bath deposition method. X-ray diffraction analysis was used to study the structure and the crystallite size of MnS thin films. The grain size and the surface morphology were studied using scanning electron microscopy. The optical properties were studied using the UV-visible absorption spectrum. The dielectric properties of MnS thin films were studied for different frequencies and different temperatures. Further, electronic properties, such as valence electron plasma energy, average energy gap or the Penn gap, the Fermi energy and electronic polarizability of the MnS thin films were calculated. The ac electrical conductivity study revealed that the conduction depended both on the frequency and the temperature. The temperature dependent conductivity study confirmed the semiconducting nature of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1221-1226
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Polyvinyl Chloride Doped with DCM dye Thin Films
Autorzy:
Mohamed, Ahmed Namah
Tuhaiwer, Akeel Shaker
Razzaq, Zaid Saud
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1192703.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
DCM
optical properties
polyvinyl chloride
thin films
Opis:
Optical properties such as absorption coefficients, refractive indices, and extinction coefficients of pure polyvinyl-chloride (PVC) and DCM laser dye doped with PVC thin films where prepared using casting method have been determined in the range between 190-1100nm. Measurement have been performed in pure and doped (PVC). The direct electronic transition and indirect energy gaps were calculated using the behaver of absorption coefficient with wavelength. The direct energy gap was 3.9e.V for pure PVC and 2e.V for doped PVC, but indirect energy gap was 2.4e.V for pure PVC and 1.1e.V for doped. The phonon energy was 1.05e.V for pure PVC and was 0.55e.V for DCM doped with PVC thin film.
Źródło:
World Scientific News; 2016, 30; 45-56
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of the etching time and current density on Capacitance-Voltage characteristics of P-type of porous silicon
Autorzy:
Hadi, Hasan A.
Abood, Tareq H.
Mohi, Ali T.
Karim, Mahmood S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178661.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
electrochemical etching
heterojunction
porous silicon
thin films
Opis:
In This paper, electrochemical etching teqniques was using to formation of nano crystalline porous silicon layer on p-type Si substrates. Measurement of capacitance – voltage characteristics at various etching time and current densities were used for calculated built in voltage and type of heterojunction. The built in voltage values were decreased with increasing etching time and current densities for both anisotype Al/PS/p-Si/Al heterojunction. These characteristics are interpreted by assuming the abrupt heterojunction model. The effect of different etching time and current densities on electrical properties of PS have been investigated.
Źródło:
World Scientific News; 2017, 67, 2; 149-160
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of chalcogenide solar cells : importance of CdS window layer
Autorzy:
Lilhare, D.
Khare, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818222.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
CdS
CdTe
photovoltaics
window layer
thin films
Opis:
The solar photovoltaic technology is one of the renewable technologies with the potential to shape a future-proof, reliable, scalable and affordable electricity system. It is important to provide better resources for any upcoming technology. CdS/CdTe thin films have long been considered as one enticing option for reliable and cost-effective solar cells to be developed. N-type CdS as a transparent window layer in heterojunction structures is one of the best choices for CdTe cells. In a solar cell structure, window layer material plays a very crucial role to improve its performance. For this reason, this review focuses on the basic and significant aspects such as importance of the window layer thickness, degradation effect, use of nano-wire arrays, and an ammonia-free process to deposit the window layer. Also, an attempt has been made to analyze various processes improving window layer properties. Necessary discussions have been included to review the impact of solar cell parameters on the above aspects. It is anticipated that this review article will fulfill the requirement of knowledge to be used in the fabrication of CdS/CdTe solar cells.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 1; 43--63
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Nitridation and Pre-Growth Annealing of the Sapphire Substrate on the Quality of Zinc Oxide Thin Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
Autorzy:
Baseer Haider, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032562.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
thin films
wide bandgap semiconductors
ZnO
magnetron sputtering
Opis:
ZnO has attracted much attention due to its wide bandgap (3.2 eV) and high exciton binding energy of 60 meV. These properties make ZnO a highly desirable material for high frequency devices that can work in harsh environment. We have grown ZnO thin films at different temperatures ranging from 100°C to 500°C. We have observed that surface roughness is first decreased with the increase in the growth temperature but then by further increasing the growth temperature beyond 300°C, results in increased surface roughness of the grown samples, whereas grain size of the samples increases with the increase in the growth temperature. Crystalline quality of the films is also improved with the increase in the growth temperature but then degrades by further increase beyond 200°C. We achieved the highest Hall mobility for the ZnO sample grown at 200°C. The optimum growth condition of ZnO thin films on sapphire (0001) in our RF/DC magnetron-sputtering unit were achieved for the films grown at 200°C. Subsequently, we performed pre-growth treatment to the sapphire substrate then grew ZnO films at 200°C. Pre-growth treatment involved heating the substrate at 500°C for about half an hour and then etching the sapphire surface with nitrogen plasma. We have observed that pre-growth heating and nitridation of the sapphire substrate results in bigger grain size whereas no improvement was observed in the crystallinity of the film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1325-1328
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of annealing temperature on the structural and optical properties of CdSe: 1% Ag thin films
Autorzy:
Shehab, Alia A. A.
Mustafa, Mohammad H.
Majeed, Samir G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1192119.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
annealing
XRD
Optical
CdSe: 1% Ag
thin films
Opis:
CdSe: 1% Ag thin films prepared by thermal evaporation method on glass substrates under vacuum technique with rate of deposition equal to 50 nm/min, the deposited films thickness (1µm) on glass substrates have been annealed at different temperatures for one hour. XRD measurement shows that the films have polycrystalline structure at R.T and change to single crystalline when annealed these films for different annealing temperatures (423, 473, 523 K). The optical measurement indicated that CdSe: 1% Ag films have direct optical energy gap, and it decreases with increasing annealing temperatures. The optical constant refractive index, extinction coefficient and dielectric constants were also studied.
Źródło:
World Scientific News; 2016, 45, 2; 185-195
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin SnO2 Films Manufactured Via the Sol-Gel and Electrospinning Methods
Autorzy:
Matysiak, W.
Tański, T.
Smok, W.
Polishchuk, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351688.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
thin films
nanofibers
tin oxide
electrospinning
optical properties
Opis:
The aim of this work was to produce a thin SnO2 film by a technique combining the sol-gel method and electrospinning from a solution based on polyvinylpyrrolidone and a tin chloride pentahydrate as a precursor. The spinning solution was subjected to an electrospinning process, and then the obtained nanofiber mats were calcined for 10 h at 500°C. Then, the scanning electron microscopy morphology analysis and chemical composition analysis by X-ray microanalysis of the manufactured thin film was performed. It was shown that an amorphous-crystalline layer formed by the SnO2 nanofiber network was obtained. Based on the UV-Vis spectrum, the width of the energy gap of the obtained layer was determined.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 2; 761-765
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies