Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "thick film" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Scanning acoustic microscopy for non-destructive tests of electronic components
Autorzy:
Sutor, A.
Winkler, G.
Bischoff, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378445.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
scanning acoustic microscopy
printed circuit boards
thick film
thin layers
microelectronic packages
Opis:
Scanning acoustic microscopy (SAM) is an attractive tool in the non-destructive inspection of printed circuit boards, thick film, thin layers and microelectronic packages. For example it permits to detect subsurface delaminations, cracks and pores (air bubbles) for different materials: metals, plastics, ceramics or composites. The examples of different electronic components and circuits observed in SONOSCAN D-9000 ultrasonic microscope with frequencies of transducers between 10 Mhz and MHz and 230 MHz are presented in this paper.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 7; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ lotnych związków organicznych na stabilność rezystancyjnych czujników gazu
Influence of volatile organic compounds on the stability of resistive gas sensors
Autorzy:
Suchorska-Woźniak, P
Małozięć, G.
Teterycz, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156162.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
czujniki grubowarstwowe
lotne związki organiczne
stabilność długookresowa
thick-film sensors
volatile organic compounds
long-term stability
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań stabilności długookresowej czujników grubowarstwowych. Stabilność badano w atmosferze lotnych związków organicznych (LZO). Na podstawie uzyskanych wyników można stwierdzić, że stabilność czujników w bardzo dużym stopniu zależy do masy cząsteczkowej LZO. Przeprowadzono próby regeneracji czujników zatrutych LZO. Wyniki badań pokazały, że regeneracja jest możliwa.
In this paper there are presented the results of stability tests and the possibility of regeneration (after poisoning by volatile organic compounds – VOC) of thick-film gas sensors. The sensors were exposed to the atmosphere with a high concentration (1000 ppm) of VOC with a chain length of C6 to C12. The temperature stimulated conductance was measured. During the experiments the temperature was changed cyclically with rate 2 deg/sec. During the first increase in temperature the characteristic inflection in the dependence of conductance was observed due to the desorption of various components adsorbed on the surface of a gas sensitive material (Fig. 2). The results of experiments showed the high sensitivity of sensors in the atmosphere with VOC which was strongly dependent on the temperature (Fig. 3). However, the inactivation occurred rapidly in the presence of VOC with high molecular weight (Fig. 5a). The initial conductance gradually increased. Tests were also carried out to evaluate the possibility of temperature regeneration of sensors exposed to the atmosphere with a high concentration (1000 ppm) of VOC. For this reason after the exposition, the sensors were heated in the ambient atmosphere with cyclically changes of the temperature. The studies showed that after the first heating in the range from 150°C to 650°C the sensor parameters were close to the initial values (Fig. 5). Thus, sensors poisoned by VOC can be temperature regenerated in the atmospheric air.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 3, 3; 152-155
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise spectroscopy of resistive components at elevated temperature
Autorzy:
Stadler, A.W.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Nowak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221348.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
noise spectroscopy
low-frequency noise
resistance noise
low-frequency noise measurements
thick-film resistors
Opis:
Studies of electrical properties, including noise properties, of thick-film resistors prepared from various resistive and conductive materials on LTCC substrates have been described. Experiments have been carried out in the temperature range from 300 K up to 650 K using two methods, i.e. measuring (i) spectra of voltage fluctuations observed on the studied samples and (ii) the current noise index by a standard meter, both at constant temperature and during a temperature sweep with a slow rate. The 1/f noise component caused by resistance fluctuations occurred to be dominant in the entire range of temperature. The dependence of the noise intensity on temperature revealed that a temperature change from 300 K to 650 K causes a rise in magnitude of the noise intensity approximately one order of magnitude. Using the experimental data, the parameters describing noise properties of the used materials have been calculated and compared to the properties of other previously studied thick-film materials.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 1; 15-26
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Measurements Of Resistors With The Use Of Dual-Phase Virtual Lock-In Technique
Autorzy:
Stadler, A. W.
Kolek, A.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221468.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
1/f noise
polymer thick-film resistor
low-frequency noise measurements
virtual lock-in
Opis:
Measurement of low-frequency noise properties of modern electronic components is a very demanding challenge due to the low magnitude of a noise signal and the limit of a dissipated power. In such a case, an ac technique with a lock-in amplifier or the use of a low-noise transformer as the first stage in the signal path are common approaches. A software dual-phase virtual lock-in (VLI) technique has been developed and tested in low-frequency noise studies of electronic components. VLI means that phase-sensitive detection is processed by a software layer rather than by an expensive hardware lock-in amplifier. The VLI method has been tested in exploration of noise in polymer thick-film resistors. Analysis of the obtained noise spectra of voltage fluctuations confirmed that the 1/f noise caused by resistance fluctuations is the dominant one. The calculated value of the parameter describing the noise intensity of a resistive material, C= 1·10−21m3, is consistent with that obtained with the use of a dc method. On the other hand, it has been observed that the spectra of (excitation independent) resistance noise contain a 1/f component whose intensity depends on the excitation frequency. The phenomenon has been explained by means of noise suppression by impedances of the measurement circuit, giving an excellent agreement with the experimental data.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 4; 503-512
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Properties Of Thick-Film Conducting Lines For Integrated Inductors
Autorzy:
Stadler, A. W.
Kolek, A.
Mleczko, K.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Nowak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221399.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low-frequency noise
thick-film conducting layer
thick-film inductor
Opis:
Studies of noise properties of thick-film conducting lines from Au or PdAg conductive pastes on LTCC or alumina substrates are reported. Experiments have been carried out at the room temperature on samples prepared in the form of meanders by traditional screen-printing or laser-shaping technique. Due to a low resistance of the devices under test (DUTs), low-frequency noise spectra have been measured for the dc-biased samples arranged in a bridge configuration, transformer-coupled to a low-noise amplifier. The detailed analysis of noise sources in the signal path and its transfer function, including the transformer, has been carried out, and a procedure for measurement setup self-calibration has been described. The 1/f noise component originating from resistance fluctuations has been found to be dominant in all DUTs. The analysis of experimental data leads to the conclusion that noise is produced in the bends of meanders rather than in their straight segments. It occurs that noise of Au-based laser-shaped lines is significantly smaller than screen-printed ones. PdAg lines have been found more resistive but simultaneously less noisy than Au-based lines.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 2; 229-240
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effects of humidity on the stability of LTCC pressure sensors
Autorzy:
Santo Zarnik, M.
Belavic, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221696.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
thick-film piezoresistive sensors
capacitive pressure sensors
offset stability
relative humidity
Opis:
LTCC-based pressure sensors are promising candidates for wet-wet applications in which the effect of the surrounding media on the sensor's characteristics is of key importance. The effect of humidity on the sensor's stability can be a problem, particularly in the case of capacitive sensors. A differential mode of operation can be a good solution, but manufacturing the appropriate sensing capacitors remains a major challenge. In the case of piezoresistive sensors the influence of humidity is less critical, but it still should be considered as an important parameter when designing sensors for low-pressure ranges. In this paper we discuss the stability of the sensors' offset characteristics, which was inspected closely using experimental and numerical analyses.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 1; 133-140
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Estimation of radial artery reactive response using high frequency ultrasound
Autorzy:
Nowicki, A.
Secomski, W.
Trawiński, Z.
Lewandowski, M.
Trots, I.
Szubielski, M.
Olszewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/332584.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Akustyczne
Tematy:
thick film transducers
atherosclerosis
flow mediated vasodilation
Opis:
Background: There is a growing interest in the application of non-invasive clinical tools allowing one to assess the endothelial function, preceding atherosclerosis. The precision in estimating of the artery Flow Mediated Vasodilation (FMD) using standard 10-12 MHz linear array probes does not exceed 0.2 mm, far beyond that required. Methods: We have introduced a wide-band, high frequency 25-30 MHz, Golay encoded wobbling type imaging to measure dilation of the radial artery instead of the brachial one. 18 young volunteers, and 4 volunteers with cardiac events history, were examined. In the second approach 20 MHz linear scanning combined with 20 MHz pulsed Doppler attached to the linear array was used. The radial artery FMD was normalized using shear rate at the radial artery wall. Results and Conclusions: For the “healthy” group, the FMD resulting from reactive hyperemia response was over 20%; while in the “atherosclerotic” group, the FMD was at least twice as small, not exceeding 10%. The shear rate (SR) normalized FMDSR was in the range from 7.8 to 9.9 in arbitrary units, while in patients with minor cardiac history FMDSR was clearly lower, 6.8 to 7.6. The normalized FMDSR of radial artery RARR can be an alternative to the brachial FMD where the precision of measurements is lower and the diameter dilation does not exceed 7-10%.
Źródło:
Hydroacoustics; 2016, 19; 297-306
1642-1817
Pojawia się w:
Hydroacoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thick Film Transducers for High Frequency Coded Ultrasonography
Autorzy:
Nowicki, A.
Lewandowski, M.
Wójcik, J.
Tymkiewicz, R.
Lou-Moller, R.
Wolny, W.
Zawada, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/176939.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
transducers
thick film
high frequency ultrasound
pulse compression
Golay codes
Opis:
Recently a new technology of piezoelectric transducers based on PZT thick film has been developed as a response to a call for devices working at higher frequencies suitable for production in large numbers at low cost. Eight PZT thick film based focused transducers with resonant frequency close to 40 MHz were fabricated and experimentally investigated. The PZT thick films were deposited on acoustically engineered ceramic substrates by pad printing. Considering high frequency and nonlinear propagation it has been decided to evaluate the axial pressure field emitted (and reflected by thick metal plate) by each of concave transducer differing in radius of curvature – 11 mm, 12 mm, 15 mm, 16 mm. All transducers were activated using AVTEC AVG-3A-PS transmitter and Ritec diplexer connected directly to Agilent 54641D oscilloscope. As anticipated, in all cases the focal distance was up to 10% closer to the transducer face than the one related to the curvature radius. Axial pressure distributions were also compared to the calculated ones (with the experimentally determined boundary conditions) using the angular spectrum method including nonlinear propagation in water. The computed results are in a very good agreement with the experimental ones. The trans- ducers were excited with Golay coded sequences at 35–40 MHz. Introducing the coded excitation allowed replacing the short-burst transmission at 20 MHz with the same peak amplitude pressure, but with almost double center frequency, resulting in considerably better axial resolution. The thick films exhibited at least 30% bandwidth broadening comparing to the standard PZ 27 transducer, resulting in an increase in matching filtering output by a factor of 1.4–1.5 and finally resulting in a SNR gain of the same order.
Źródło:
Archives of Acoustics; 2011, 36, 4; 945-954
0137-5075
Pojawia się w:
Archives of Acoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego
New thick film composites of lower sintering temperature for ohimic contacts for sollar cells
Autorzy:
Młożniak, A.
Ungier, P.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192283.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
technologia grubowarstwowa
nanoproszek srebra
ogniwo słoneczne
thick-film technology
silver nanopowder
solar cell
Opis:
W pracy przedstawiono nowa generację materiałów grubowarstwowych przeznaczonych do nanoszenia sitodrukiem, w których fazę przewodzącą stanowią proszki srebra o submikronowej wielkości ziaren. Zaletą tych past jest to, że nie zawierają fazy szkliwa, które wspomagało proces spiekania, a jednocześnie pogarszało przewodnictwo elektryczne warstwy. Kolejna zaleta tych past to możliwość spiekania w niższych temperaturach, co zwiększa obszar stosowania tych past w różnych procesach technologicznych.
New generation of screen printed thick film materials where conducting phase was of submicron silver powder. The main advantage of these pastes compare with the standard ones is that they do not contain glassy phase. This phase helped sintering process, but caused the worse electrical conductivity. Another advantage of this paste is the lower sintering temperature which enables its application in much wider range of technological processes.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 8-13
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Properties of Graphene-Polymer Thick-Film Resistors
Autorzy:
Mleczko, K.
Ptak, P.
Zawiślak, Z.
Słoma, M.
Jakubowska, M.
Kolek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220754.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
polymer thick-film resistor
low-frequency noise
noise measurements
Opis:
Graphene is a very promising material for potential applications in many fields. Since manufacturing technologies of graphene are still at the developing stage, low-frequency noise measurements as a tool for evaluating their quality is proposed. In this work, noise properties of polymer thick-film resistors with graphene nano-platelets as a functional phase are reported. The measurements were carried out in room temperature. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main component in the specimens. The parameter values describing noise intensity of the polymer thick-film specimens have been calculated and compared with the values obtained for other thick-film resistors and layers used in microelectronics. The studied polymer thick-film specimens exhibit rather poor noise properties, especially for the layers with a low content of the functional phase.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 589-594
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mikrosystemy i Sensory
Microsystems and Sensors
Autorzy:
Maksymowicz, L.
Nowak, S.
Leja, E.
Pisarkiewicz, T.
Stapiński, T.
Zakrzewska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154228.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
optoelectronics
semiconducting gas sensors
modified multicrystalline silicon structures as a light detector thin film technology
vacuum equipment
magnetic tunnel junctions
magnetic random access memory MRAM
radio frequency identification (RFID)
mine underground environment
ceramic microsystem
microfluidics
LTCC
photoimageable thick-films
Opis:
Prezentowana praca zawiera wybrane zagadnienia naukowe związane z rozwijaną od lat tematyką w Katedrze Elektroniki dotyczącą mikrosystemów i sensorów. Autorzy odnieśli się do szczegółowych zagadnień takich jak: półprzewodnikowe sensory gazu, zmodyfikowane struktury multikrystalicznego krzemu jako detektor światła, cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania. Opisano również opracowywane technologie i konstrukcje urządzeń próżniowych do wytwarzania cienkich warstw i układów wielowarstwowych. Zaprezentowano przykładowe zastosowania techniki sensorowej i radiowej identyfikacji obiektów RFID w sektorze energetycznym. Przedstawiono zastosowanie dwóch zaawansowanych technologii ceramicznych - współwypalanych folii ceramicznych LTCC oraz warstw grubych fotoformowalnych do wytworzenia elementów składowych mikrosystemu ceramicznego dla chromatografii - mikrokanału oraz płomieniowego detektora jonizacyjnego.
The work deals with scientific problems connected with microsystems and sensor technology developed in Department of Electronics. The authors present their achievements such as semiconductor gas sensors, microcrystalline silicon light detectors, thin film magnetic tunnel junctions and their applications. Some vacuum systems for films and multilayers depositions were also designed and constructed by our scientific staff. The sensor and radio frequency identification (RFID) applications were also described. Two advanced ceramic technologies (photoimageable thick films and LTCC) has been successfully combined to obtain microfluidic structures - the microchannel and the flame ionisation detector which are intended to use in a simple, portable ceramic microsystem for chromatography.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 3, 3; 63-69
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie właściwości szkliw pod kątem zastosowań w grubowarstwowych mikrorezystorach fotoformowalnych
Investigation of glasses for application in thick-film photoimageable microresistors
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Zwierkowska, E.
Achmatowicz, S.
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192210.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
napięcie powierzchniowe szkliwa
grubowarstwowe mikrorezystory fotoformowalne
thick film photoimageable microresistors resitors
glass surface tension
Opis:
W artykule wyjaśniono wpływ lepkości i napięcia powierzchniowego szkliwa w temperaturze wypalania na kształt ścieżek o szerokości kilku dziesiątek mikrometrów otrzymanych za pomocą nowoczesnych metod takich jak fotoformowanie. Opracowanie w głównej mierze dotyczy mikrorezystorów z powodu znacznej zawartości w nich szkliwa. Opisano problemy występujące w fotoformowalnych pastach światłoczułych, związane z ich nadmiernym rozpływem i wyciekiem szkliwa. Zaproponowano rozwiązanie tych problemów przez zastosowanie szkliw o wysokim napięciu powierzchniowym co pociąga za sobą dużą wartość kąta zwilżania podłoża. Przedstawiono metodę pomiaru kąta zwilżania, którą zastosowano do oceny kilku szkliw opracowanych w ITME. Następnie obliczono teoretyczną szerokość mikrorezystorów po wypaleniu. Stwierdzono, że szkliwa bezołowiowe zastosowane do mikrorezystorów są znacznie mniej podatne na rozpływ podczas wypalania niż szkliwa zawierające tlenek ołowiu, zatem są preferowane do mikrorezystorów.
This paper examines the theoretical influence of certain properties of glass exhibited at a firing temperature, like viscosity and surface tension, on the shape of a few tens of microns wide lines, which can be obtained in a state-of-the-art thick film fabrication process i.e. photoimaging. Resistive lines are the main focus of attention because of their high glass content. The major disadvantages of experimental microresistors, like glass bleeding and excessive reflow, are discussed. Solutions to these problems, including glass with a high surface tension and, in consequence, a high wetting angle, are proposed. An experimental method of measuring the wetting angle, which was used to assess the quality of various glasses analyzed at ITME, is shown. The results have proved that lead-free glasses are less affected by excessive reflow than their lead oxide containing counterparts, and therefore are more suitable for microresistors.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 10-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Environmental friendly thick film resistors with wide resistance range
Ekologiczne grubowarstwowe rezystory o szerokim zakresie rezystancji
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192316.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
RoHS
rezystor grubowarstwowy
ruten
ruthenium
thick film resistor
Opis:
This paper presents the results on investigation of lead-free and cadmium-free resistive paste compositions based on calcium ruthenate (CaRuO3) and ruthenium dioxide (RuO2), that sheet resistance exceeds 10 kΩ/q. Two regulations: Waste Electrical and Electronic Equipment Directive (WEEE), and Restriction of Hazardous Substances (RoHS) were established on July the 1 st 2006. They forced the electronics equipment producers to discontinue using lead, cadmium and a few other substances. The Surface Mounted Devices (SMD) resistors, that exist in almost every modern electronic device contain thick film resistive layer, according to new regulations cannot contain hazardous substances. The series of new RoHS compliant resistor pastes with resistance range 10 Ω/q - 10 kΩ/q were elaborated by the authors in 2007. The RuO2 was used as a functional component. However the consumers expect the resistor pastes with the sheet resistance in the range 10 Ω/q - 1 MΩ/q. Such a resistance range was available using old lead-containing glass and a functional phase containing bismuth ruthenate. However it is considered that such wide resistance range can not be obtained with the use of RuO2 and lead-free glasses. Therefore the authors decided to use calcium ruthenate that exhibits higher resistivity than RuO2. The authors used successfully some lead-free glasses that were compatible with ruthenium dioxide as well as investigated completely new glass compositions. The use of CaRuO3 instead of RuO2 in the same lead-free glass increased the obtained sheet resistance about 500 times with no negative impact on Temperature Coefficient of Resistance (TCR). No humidity sensitivity was observed. The resistors' SEM surface and fractures was taken. The length effect on TCR was measured.
Autorzy zaprezentowali wyniki badań rezystorów wolnych od ołowiu i kadmu opartych na rutenianie bizmutu (CaRuO3) i dwutlenku rutenu (RuO2), o rezystancjach przekraczających 10 kΩ/Q. Począwszy od l lipca 2006 roku zgodnie z unijnymi uregulowaniami prawnymi WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment Directive) i RoHS (Restriction of Hazardous Substances) stosowanie ołowiu i kadmu w układach elektronicznych zostało ograniczone. Zakaz ten obejmuje pasty rezystywne szeroko stosowane w elektronice m.in. w elementach do montażu powierzchniowego (SMD). Autorzy w 2007 r. zaproponowali serię past rezystywnych o zakresie rezystancji 10 Ω/Q - 10 kΩ/Q. Pasty bazowały na dwutlenku rutenu i nie zawierały w swoim składzie ani ołowiu ani kadmu. Tym niemniej konsumenci oczekują pełnego zakresu rezystancji 10 Ω/Q - l MΩ/Q. Uzyskanie takich wartości było możliwe poprzez zastosowanie w pastach rezystywnych szkliw ołowiowych oraz fazy przewodzącej rutenianu bizmutu. Jednakże uzyskanie tych rezultatów przy zastosowanie szkliw bezołowiowych oraz dwutlenku rutenu nie jest możliwe. Z tego powodu autorzy postanowili zastosować rutenian wapnia w roli fazy przewodzącej, który ma wyższą rezystywność od dwutlenku rutenu. Autorzy uzyskali dobre rezultaty używając niektórych szkliw bezołowiowych, które dotychczas się sprawdziły w połączeniu z dwutlenkiem rutenu jak również zaproponowali zupełnie nowe kompozycje szkliw. Zastosowanie CaRuO3 zamiast RuO2 wraz z jednym ze szkliw zaowocowało uzyskaniem 500 razy wyższej rezystancji bez wpływu na TWR.. Nie zaobserwowano wpływu wilgoci na właściwości warstw rezystywnych. Obserwowano przełomy i powierzchnie warstw rezystywnych techniką SEM, jak również zbadano wpływ długości na właściwości rezystorów.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 85-94
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kompatybilność materiałów w bezołowiowym systemie rezystywnym
Materials compatibility in lead-free resistive system
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192393.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
rezystor grubowarstwowy bezołowiowy
system rezystywny
lead-free thick film resisitor
resistive system
Opis:
W wyniku wydanych przez Unię Europejska dyrektyw RoHS i WEEE zaistniała konieczność kompleksowej przebudowy materiałowej składników systemu rezystywnego. Po l lipca 2006 tlenki kadmu i ołowiu, które były obecne w tradycyjnym systemie rezystywnym, nie mogą być stosowane. Dyrektywy te zabraniają również stosowania stopu lutowniczego SnPb, wykorzystywanego dotychczas do montażu elementów dyskretnych i dołączania wyprowadzeń. Rezystory grubowarstwowe dotychczas bazowały na rutenianie bizmutu, który zawdzięczał swoją stabilność obecności ołowiu. Po wprowadzeniu dyrektyw unijnych ołów i kadm musiały zostać wyeliminowane z warstw grubych, natomiast stop lutowniczy SnPb należało zastąpić lutowiami bezołowiowymi. Pojawiły się problemy kompatybilnościowe pomiędzy warstwami palladowo-srebrowymi i nowymi lutami bezołowiowymi. Zmiany te wymusiły znaczącą zmianę składu warstw grubych. Warstwy palladowo-srebrowe zastąpiono srebrowymi, co pociągnęło za sobą nasilenie zjawisk migracji jonowej oraz elektromigracji. Pojawiły się nowe problemy ze stabilnością warstw rezystywnych oraz współpracy warstw przewodzących z rezystywnymi.
This paper presents the evolution of resistive systems in thick film technology after RoHS and WEEE environmental regulations introduced by European Union. The films in traditional resistive system contain lead and cadmium oxides that cannot be used after July 1th 2006 according to the new EU regulations. The tin-lead solder alloys were used in such systems for attaching discrete components and terminations assembly. The conductive films were based on palladium-silver layer in order to limit dissolution rate of silver as well as to protect against ionic migration and electromigration effects while the circuit with the resistive system is powered. The resistive films were based on bismuth ruthenium that was very stable in the presents of lead. The new regulations obliged to eliminate lead and cadmium from thick film materials including tin-lead solder alloys. Such a change required a far going change of thick-film compositions. The new problems appeared inside the resistive layer as well as at the interfaces resistive-conductive layer and conductive layer lead-free solder. The author proposed a silver-platinum conductive layer and ruthenium dioxide resistive layer for environmental friendly resistive system.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 39-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design and technology of hybrid multilayer electronic circuits
Projektowanie i technologia wielowarstwowych hybrydowych układów eletronicznych
Autorzy:
Jurków, D.
Malecha, K.
Czok, M.
Roguszczak, H.
Babiarz, M.
Golonka, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/389797.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Bydgoska im. Jana i Jędrzeja Śniadeckich. Wydawnictwo PB
Tematy:
flip chip
niskotemperaturowa ceramika współwypalana (LTCC)
tomografia rentgenowska
warstwa gruba
SIP
LTCC
X-ray
thick-film
Opis:
The design and technology of hybrid electronic ceramic circuits with flip-chip and SMD (Surface Mounting Device) components are presented in the paper. The flip-chip audio amplifier and RF (Radio Frequency) transmitting and receiving modules are fabricated using LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics). X-Ray inspection is performed to analyze the solder bonding quality. The application of special underfill has increased the reliability of interconnections between flip-chip, SMD components and the ceramic multilayer substrate. The final structure of the audio amplifier module is encapsulated with ceramic housing.
W pracy zaprezentowano projekt oraz realizację dwóch przykładowych hybrydowych układów elektronicznych: wzmacniacza audio opartego na elemencie typu flip- -chip oraz nadajnika i odbiornika RF opartych na elementach do montażu powierzch-niowego (SMD). Przedstawione układy zostały wykonane przy wykorzystaniu techno-logii bazującej na niskotemperaturowej ceramice współwypalanej (LTCC). Niezawod-ność połączeń lutowanych pomiędzy elementem typu flip-chip a polami kontaktowymi umieszczonymi na podłożu LTCC zbadano za pomocą metody rentgenowskiej. Poprawę niezawodności w przypadku układu z elementem typu flip-chip uzyskano stosując wypełnienie organiczne pomiędzy chipem a podłożem. Gotowy układ wzmacniacza audio zamknięto w specjalnie przygotowanej obudowie ceramicznej.
Źródło:
Zeszyty Naukowe. Telekomunikacja i Elektronika / Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy w Bydgoszczy; 2011, 14; 5-12
1899-0088
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe. Telekomunikacja i Elektronika / Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy w Bydgoszczy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies