Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "single crystals" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Formation of Transition Phases on Interface between Monocrystalline Fe and Cu Due to Mutual Solid-State Diffusion
    Autorzy:
    Perek-Nowak, M.
    Boczkal, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/351905.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    copper single crystals
    iron single crystal
    transition phase
    solid-state diffusion
    Opis:
    Interdiffusion between Fe (Armco) and Cu single crystals of similar orientation (around [110]) annealed at temperatures of 873 and 973K in air for 0.5 up to 4 h is studied. Formation of three phases different in their chemical composition has been observed: 1) oxide layer on Cu border (porous), 2) a layer rich in copper, iron and oxygen, 3) a layer of iron and oxygen with only small addition of Cu. All reactions of interface formation occurred in solid state. It was noted that oxygen plays an important role in development of new phases. Strong Kirkendall effect is observed due to large difference in diffusion coefficients of copper atoms to iron, DCu→Fe=300exp(-67800/RT) and iron atoms to copper DCu→Fe=0.091exp(-46140/RT).
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 2A; 581-586
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure and properties of Zn-Ti0.2-Cu0.15 single crystal containing eutectic precipitates
    Struktura i własności monokryształów Zn-Ti0.2-Cu0.15 zawierających wydzielenia eutektyczne
    Autorzy:
    Boczkal, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356973.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    hexagonal single crystals
    primary phase
    eutectic precipitates
    monokryształy
    faza podstawowa
    własności eutektyczne
    Opis:
    Some structure observations for the Zn-Ti0.2Cu0.15 single crystal obtained by the Bridgman method are presented. The structure contains (Zn) - phase with inclusions of Zn16Ti inter-metallic compound. The Zn16Ti intermetallic compound is localized within the eutectic precipitates. A morphology of the Zn16Ti compound varies according to the solidification condition imposed during the single crystal growth. The block, great size particles are a characteristic element for the alloy which composition is situated nearly the eutectic point in the phase diagram. These particles were not observed previously in the hypoeutectic Zn-Ti alloys. Mechanical properties of the obtained single crystals are also investigated. Critical resolved shear stress (CRSS) during deformation in a basal slip system (0001)<11-20>is determined. The changes of the CRSS for the Zn-Ti.0.2Cu0.15 single crystals within the range of temperatures from 200K to 370K are presented. The obtained data are compared with previously investigated results for the (Zn) single crystals containing lower (hypoeutectic) titanium addition.
    W pracy przedstawiono wyniki badań strukturalnych i mechanicznych monokryształów Zn-Ti0.2Cu0.15 otrzymanych metodą Bridgmana. Struktura badanego stopu składała się z monokrystalicznej osnowy - fazy (Zn) oraz cząstek fazy międzymetalicznej Zni6Ti. Cząstki fazy międzymetalicznej Zn16Ti zlokalizowane były wewnątrz eutektyki Morfologia fazy Znj6H ulegała zmianom w zależności od warunków krystalizacji zastosowanych podczas wzrostu monokryształów. Blokowe cząstki o dużych rozmiarach stanowiły charakteiystyczny element struktury stopu o składzie zbliżonym do punktu eutektycznego na diagramie fazowym, i nie były wcześniej obserwowane dla monokryształów podeutektycznych stopów Zn-Ti oraz Zn-Ti-Cu. Zbadano własności mechaniczne otrzymanych monokryształów. Wyznaczono krytyczne naprężenie ścinające (KNŚ) osiągane podczas deformacji próbek w systemie łatwego poślizgu (0001 )< 11 -20>. KNŚ kiyształów Zn-Ti0.2Cu0.15 wyznaczane w za- kresie temperatury od 200K do 370K osiągało wartości odpowiednio od 12 MPa do 6 MPa. Uzyskane wyniki porównano z rezultatami wcześniejszych badań na monokryształach (Zn) z podeutektyczną zawartością tytanu.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1019-1022
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
    Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kwestarz, M.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    wysokorezystywne monokryształy krzemu
    FZ
    domieszkowanie azotem
    high-resistivity silicon single crystals
    nitrogen doping
    Opis:
    W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
    This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nonmetallic Inclusions in a New Alloy for Single-Crystal Permanent Magnets
    Autorzy:
    Belyaev, I. V.
    Bazhenov, V. E.
    Kireev, A. V.
    Moiseev, A. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/383082.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    magnetic alloy
    single crystals
    nonmetallic inclusions
    formation mechanism
    stop magnetyczny
    monokryształ
    wtrącenia niemetaliczne
    Opis:
    The morphology, chemical composition and formation mechanism of non-metallic inclusions in magnetic alloy of Fe-Co-Ni-Cu-Al-Ti-Hf system were investigated. These alloys are used in manufacturing single-crystal permanent magnets. Modern methods for the identification of non-metallic inclusions, as well as computer simulation of the processes of their formation by Thermo Calc software were used in the work. It was found that studied alloy contains (Ti, Hf)S titanium and hafnium sulfides, (Ti, Hf)2SC titanium and hafnium carbosulfides, Ti2O2S titanium oxisulfide, HfO2 hafnium oxide, and Al2O3 aluminum oxide. No titanium and hafnium nitrides were found in the alloy. The bulk of nonmetallic inclusions are (Ti, Hf)2SC carbosulfides and (Ti, Hf)S sulfides. All carbides and many oxides are within carbosulfides and sulfides. When the sulfur content in the alloy is no more than 0.2%, and carbon content does not exceed 0.03%, carbosulfides are formed in the solidification range of the alloy and has an faceted compact form. If the sulfur content in the alloy becomes more than 0.2% and carbon content more than 0.03%, the carbosulfide formation begins before the alloy solidification or at the beginning stages of solidification. In this case, carbosulfides are dendritic and coarse. Such carbosulfides actively float in the solidified melt and often come to the surface of the castings. In this case, specific surface defects are formed in single-crystal magnets, which are called sulfide stains. All titanium and hafnium sulfides are formed at the lower part of solidification range and have elongated shape.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2018, 18, 2; 11-14
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jan Czochralski – pionier światowej elektroniki i inżynierii materiałowej
    Autorzy:
    Jakubiak, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/608282.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Historii im. Tadeusza Manteuffla PAN w Warszawie
    Tematy:
    biography
    discovery
    electronics
    materials engineering
    single crystals
    collaboration
    biografia
    odkrycia naukowe
    elektronika
    inżynieria materiałowa
    monokryształy
    kolaboracja
    Opis:
    The purpose of this paper is to present a biography of Jan Czochralski – one of the world famous scientist of the twentieth century. His main discovery was a method of obtaining single crystals or monocrystalline; the method is nowadays used for production of VLSI/ ULSI circuits. After the Second World War, Czochralski was accused of collaboration with the Germans. The accusation was groundless. In 2019, the Czochralski Method received the IEEE Milestone Award.
    Artykuł ma na celu przedstawienie sylwetki Jana Czochralskiego, światowej sławy naukowca XX w. Jego głównym osiągnięciem było wynalezienie metody uzyskiwania monokryształów, do dziś stosowanej w produkcji układów scalonych wielkiej skali integracji. Po zakończeniu II wojny światowej Czochralski całkowicie bezpostawnie został oskarżony o kolaborację z Niemcami. W 2019 r. the Institute of Electrical and Electronics Engineers przyznał metodzie Czochralskiego najwyższej rangi miano Milestone (Kamień Milowy).
    Źródło:
    Dzieje Najnowsze; 2020, 52, 2
    0419-8824
    Pojawia się w:
    Dzieje Najnowsze
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania generacji impulsowej monokryształów KGW domieszkowanych Er³⁺ i Yb³⁺ do mikrolaserów "bezpiecznych dla wzroku"
    Investigation of pulsed generation of Er³⁺ and Yb³⁺ doped KGW single crystals used as active media for eye-safe microlasers
    Autorzy:
    Mierczyk, Z.
    Młyńczak, J.
    Kopczyński, K.
    Majchrowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/210128.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    promieniowanie bezpieczne dla wzroku
    technika laserowa
    ośrodki aktywne
    monokryształy
    eye-safe radiation
    laser technology
    active media
    single crystals
    Opis:
    Przeprowadzono badania generacji impulsowej nowych ośrodków czynnych w układach wzbudzanych laserami półprzewodnikowymi. Badania charakterystyk laserowych opracowanych ośrodków aktywnych i nieliniowych absorberów przeprowadzono w układzie lasera pompowanego wzdłużnie diodą laserową FC 1167 z wyjściem światłowodowym. W układzie tym promieniowanie z diody laserowej kształtowane było przez układ optyczny skupiający wiązkę pompującą w ośrodku aktywnym. Badano akcję laserową w ośrodku aktywnym: GW:Er³⁺, Yb³⁺ (5% Yb³⁺, 1% Er³⁺) z wykorzystaniem ZnSe:Co²⁺ jako modulatora dobroci rezonatora. Uzyskano generację ciągu impulsów promieniowania o długości fali 1,53 μm.
    Pulse generation of new active media with the use of laser diode as a pump was carried out. Investigations of laser characteristics of the new active media and nonlinear absorbers were performed. The laser was longitudinally pumped using fiber-coupled laser diode FC 1167. In this system, the pump radiation was shaped by optics focusing it onto the active media. GW:Er³⁺, Yb³⁺ (5% Yb³⁺, 1% Er³⁺) as an active media and ZnSe:Co²⁺ as a modulator were used.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2007, 56, 1; 179-188
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Control of the CET Localization in Continuously Cast Copper and Copper Alloys’ Ingots
    Autorzy:
    Kwapisiński, Piotr
    Wołczyński, Waldemar
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27314164.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
    Tematy:
    alloy ingots
    copper alloys
    CET
    Liquidus isotherm velocity
    single crystal’s core
    wlewki
    stopy miedzi
    izoterma Liquidusa
    rdzeń monokryształu
    Opis:
    A brief description of the innovative mathematical method for the prediction of CET – localization in solidifying copper and copper alloys’ ingots is presented. The method is to be preceded by the numerical simulation of both temperature field and thermal gradient filed. All typical structural zones were revealed within the copper and copper alloys’ massive ingots or rods manufactured by continuous casting. The role of thermal gradient direction for the single crystal core formation has been enlightened. The definition for the index describing proportion between volume fraction of the columnar structure and volume fraction of the equiaxed structure has been formulated by means of the interpretation of some features of the liquidus isotherm velocity course. An attempt has been undertaken to apply the developed mathematical method for the structural zones prediction in the rods solidifying under industrial conditions. An industrial application has been shown, that is, it was explained why the innovative rods should be assigned to the overhead conductors in the electric tractions.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2023, 23, 2; 91--99
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
    Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
    Autorzy:
    Szczerba, M. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    shape memory alloys
    martensite
    Ni-Mn-Ga single crystals
    interface
    stopy z pamięcią kształtu
    martenzyt
    monokryształy Ni-Mn-Ga
    interfejs
    Opis:
    The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.
    W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
    Zjawiska transportu w monokryształach Tl1-XIn1-XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)
    Autorzy:
    Zamurueva, O. V.
    Myronchuk, G. I.
    Oźga, K.
    Szota, M.
    El-Naggar, A. M.
    Albassam, A. A.
    Parasyuk, O. V.
    Piskach, L. V.
    Kityk, I. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/357004.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Tl1−xIn1−xGexSe2 single crystal
    chalcogenide crystals
    transport features
    photoinduced birefringence
    electroconductivity mechanisms
    Urbach rule
    monokryształy TL1-xIn1-xGax Se2
    zdelokalizowane nośniki
    stany zlokalizowane
    funkcje komunikacyjne w monokryształach
    fotoindukowanie
    przewodzenie elektryczne
    zasada Urbacha
    Opis:
    Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.
    Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2025-2028
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoinduced Optical Properties Of Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals
    Indukowane światłem właściwości optyczne monokryształów Tl1-xIn1-xSixSe2
    Autorzy:
    Myronchuk, G. L.
    Zamurueva, O. V.
    Oźga, K.
    Szota, M.
    El-Naggar, N. S.
    Alzayed, N. S.
    Piskach, L. V.
    Parasyuk, O. V.
    Albassam, A. A.
    Fedorchuk, A. O.
    Kityk, I. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352746.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Tl1-xIn1-xSixSe2 single crystal
    chalcogenide crystals
    optical properties
    photoinduced absorption
    dark electroconductivity
    electroconductivity mechanisms
    monokryształy Tl1-xIn1-xSixSe2
    kryształy soli tlenowców
    właściwości optyczne
    absorpcja fotoindukowana
    ciemna przewodność elektryczna
    mechanizmy przewodności elektrycznej
    Opis:
    The influence of temperature on electroconductivity and photoinduced changes of the absorption at 0.15 eV under influence of the second harmonic generation of CO2 laser for the two type of single crystals were investigated. The single crystals Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 and 0.2) have been grown by the two-zone Bridgaman-Stockbarger method. The temperature studies of electroconductivity were done in cryostat with thermoregulation in the temperature 77 - 300 K, with stabilization ±0.1 K. Photoinduced treatment of the investigated single crystals were performed using the 180 ns pulses second harmonic generation of the CO2 laser operating at 5.3 μm. Experimental studies have shown that for the Tl1−xIn1−xSixSe2 single crystals with decreasing temperature from 300 up to 240 K and from 315 up to 270 K the conductivity is realized by thermally excited impurities with activation energies equal to about 0.24 eV and 0.22 eV for x= 0.1 and 0.2, respectively. Photoinduced absorption achieves its maximum at a power density below 100 mJ/cm2. Has been shown that the samples with x=0.2 demonstrated higher changes of the photoinduced absorption with respect to the x=0.1. With further decreasing temperature is observed monotonic decrease in the activation energy of conductivity. The origin of these effects is caused by the excitations of both the electronic as well as phonon subsystem. At some power densities the anharmonic excitations become dominant and as a consequence the photoinduced absorption dependence is saturated what were observed. Additionally, we were evaluated at given temperature the average jump length of R for localized states near Fermi level.
    W pracy badano wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne oraz indukowane światłem zmiany absorpcji optycznej przy 0.15 eV, pod działaniem drugiej harmonicznej lasera CO2 dla dwóch typów monokryształów. Monokryształy Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 i 0.2) otrzymano w pionowym dwustrefowym piecu metodą Bridgamana-Stockbargera. Badania temperaturowe przewodności elektrycznej przeprowadzono w kriostacie z termoregulacją, w temperaturze 77-300 K, przy stabilizacji ±0,1 K. Fotoindukowaną obróbkę laserową monokryształów wykonano przy użyciu 180 ns impulsów drugiej harmonicznej lasera CO2 o długości fali 5,3 μm. Eksperymentalnie wykazano, że z obniżaniem temperatury od 300 do 240 K i od 315 do 270 K przewodnictwo elektryczne monokryształów Tl1−xIn1−xSixSe2 jest wywołane przez wzbudzenia termicznie domieszek z energią aktywacji równą około 0,24 eV i 0,22 eV dla ő = 0,1 i 0,2, odpowiednio. Indukowana optycznie absorpcja osiąga maksimum przy gęstości mocy poniżej 100 mJ/cm2. Stwierdzono, że próbka z x = 0,2 wykazuje większe zmiany absorpcji indukowanej światłem w porównaniu do próbki z x = 0.1. Z dalszym spadkiem temperatury obserwowano monotoniczny spadek energii aktywacji przewodnictwa. Pochodzenie tych efektów jest spowodowane przez wzbudzanie zarówno podsystemu elektronowego jak i fonononowego. Przy niektórych gęstościach mocy wzbudzenia anharmoniczne zaczynają dominować, co w konsekwencji prowadzi do nasycenia indukowanej światłem zależności absorpcji optycznej. Dodatkowo w pracy wyznaczono dla danej temperatury średnią długość skoku R dla stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 1051-1055
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies