Temat: silicon technology - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching
Autorzy:: Kociubiński, A.
Duk, M.
Bieniek, T.
Janus, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308233.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: anisotropic wet etching
KOH
silicon technology
Opis:: The methods of parameter optimization in Etch3DTM simulator and the results of the comparison of simulations of silicon etching in KOH with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by Institute of Electron Technology (ITE). The Taguchi approach was used to analyze the influence of every remove probability function (RPF) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to the results of real etching performed in ITE.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 65-70
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Challenges in ultrathin oxide layers formation
Autorzy:: Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Łukasiak, L.
Korwin-Pawłowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/307646.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: silicon technology
oxidation
PECVD
RTO
gate oxide
ultrathin
layers
Opis:: In near future silicon technology cannot do without ultrathin oxides, as it becomes clear from the "Roadmap'2000". Formation, however, of such layers, creates a lot of technical and technological problems. The aim of this paper is to present the technological methods, that potentially can be used for formation of ultrathin oxide layers for next generations ICs. The methods are briefly described and their pros and cons are discussed.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 27-34
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Od mikroelektroniki do mikrosystemów, czyli o roli i znaczeniu krzemu
Autorzy:: Gniazdowski, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/91465.pdf
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Warszawska Wyższa Szkoła Informatyki
Tematy:: mikroelektronika
mikrosystemy
technologia krzemowa
microsystem technology
MST
Technology of Micro Total Analysis System
μTAS
microTAS
silicon technology
Opis:: W artykule zwrócono uwagę na znaczenie krzemu i technologii krzemowej zarówno w rozwoju mikroelektroniki – a co za tym idzie – także informatyki, a także w rozwoju mikrosystemów (ang.: MEMS – Micro- Electromechanical System), gdzie łączy się elektronikę z mikromechaniką, oraz w rozwoju zminiaturyzowanych systemów do całkowitych analiz chemicznych (ang.: μTas – Micro Total Analysis System).
In this paper, the role of silicon for development of computer technology is emphasized. It is noticed that Micro-System Technology (MST) as well as Technology of Micro Total Analysis System (μTAS) are also derived from silicon technology. Hence, the importance of silicon in many modern human activities is concluded.
Źródło:: Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki; 2006, 1, 1; 125-137
1896-396X
2082-8349
Pojawia się w:: Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: SiC technology enters the market
Autorzy:: Kozłowska, Małgorzata
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/254085.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:: SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe
Opis:: Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
Źródło:: TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9EN; 20-21
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:: TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Fabrication and properties of the field emission array with self-alignment gate electrode
Autorzy:: Barth, W.
Dębski, T.
Rangelow, I.W.
Grabiec, P.
Studzińska, K.
Zaborowski, M.
Mitura, S.
Biehl, S.
Hudek, P.
Kostic, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308414.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: field-emission array
field emission display
diamond-like-carbon layers emission
silicon micromachining
self-alignment technology
Opis:: A new method for the fabrication of field emission arrays (FEA) based on bulk/surface silicon micromachining and diamond-like-carbon (DLC) coating was developed. A matrix of self-aligned electron field emitters is formed in silicon by mean anisotropic etching in alkali solution of the front silicon film through micro holes opened in silicon oxide layer. The field emission of the fabricated emitter tips is enhanced by a diamond-like-carbon film formed by chemical vapor deposition on the microtips. Back side contacts are formed by metal patterning. Detailed Raman, Auger and TEM investigations of the deposited DLC films (nanocrystalline diamond smaller than 10 nm) will be presented. In this paper we discuss the problems related to the development of field emission arrays technology. We also demonstrate examples of devices fabricated according to those technologies.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 49-52
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego na potrzeby przetwarzania typu Time-over-Threshold
Design of the integrated charge-sensitive amplifier for the Time-over-Threshold based processing
Autorzy:: Kasiński, K.
Szczygieł, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/157771.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: układ scalony
technologia CMOS
krzemowy detektor paskowy Time-over-Threshold
wzmacniacz ładunkowy
integrated circuit
CMOS technology
silicon strip detector
Time-over-Threshold
charge sensitive amplifier
CSA
Opis:: Praca przedstawia projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego zaprojektowanego dla aplikacji w układzie do odczytu detektorów paskowych w eksperymencie fizyki wysokich energii wykorzystującego przetwarzanie typu Time-over-Threshold. Zastosowane rozwiązania zostały zapożyczone z układów pikselowych. Projekt wykonano dla technologii United Microelectronics Corporation 180 nm. Zaprojektowany wzmacniacz charakteryzuje się niskim poborem mocy, niskimi szumami a także bardzo szerokim zakresem liniowej pracy zachowując swoje właściwości dla obu polarności ładunków wejściowych.
New High Energy Physics experiments require new and better solutions for the detector readout systems. This paper presents the project of the charge sensitive amplifier (CSA) for the silicon strip detector readout chip implementing the Wilkinson-type analog to digital converter (called also Time-over-Threshold processing). This allows to implement the reasonable resolution and speed ADC in each channel while keeping the overall power consumption low. This is due to the fact that the information about the input charge is kept in the CSA output pulse length and can be then easily converted to digital domain. It has been designed for the UMC (United Micro-electronics Corporation) 180nm technology and should fit into 50 Μm pitch channel slot. Some solutions were adapted from the pixel-oriented integrated circuits and are optimized for much higher detec-tor capacitances. Presented charge sensitive amplifier shows very high dynamic range - much higher than required 0-16 fC. The dynamic range is not limited by the dynamic range of the amplifier itself which is a feature of the implemented discharge circuit. The processing chain has an ability to operate for both holes and electrons while keeping the low power consumption (625 ΜW) and low noise (720 e- at 30 pF detector capacitance). The paper presents the simulation-based performance of the circuit.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 9, 9; 1043-1046
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Mikrosystemy i Sensory
Microsystems and Sensors
Autorzy:: Maksymowicz, L.
Nowak, S.
Leja, E.
Pisarkiewicz, T.
Stapiński, T.
Zakrzewska, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/154228.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: optoelectronics
semiconducting gas sensors
modified multicrystalline silicon structures as a light detector thin film technology
vacuum equipment
magnetic tunnel junctions
magnetic random access memory MRAM
radio frequency identification (RFID)
mine underground environment
ceramic microsystem
microfluidics
LTCC
photoimageable thick-films
Opis:: Prezentowana praca zawiera wybrane zagadnienia naukowe związane z rozwijaną od lat tematyką w Katedrze Elektroniki dotyczącą mikrosystemów i sensorów. Autorzy odnieśli się do szczegółowych zagadnień takich jak: półprzewodnikowe sensory gazu, zmodyfikowane struktury multikrystalicznego krzemu jako detektor światła, cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania. Opisano również opracowywane technologie i konstrukcje urządzeń próżniowych do wytwarzania cienkich warstw i układów wielowarstwowych. Zaprezentowano przykładowe zastosowania techniki sensorowej i radiowej identyfikacji obiektów RFID w sektorze energetycznym. Przedstawiono zastosowanie dwóch zaawansowanych technologii ceramicznych - współwypalanych folii ceramicznych LTCC oraz warstw grubych fotoformowalnych do wytworzenia elementów składowych mikrosystemu ceramicznego dla chromatografii - mikrokanału oraz płomieniowego detektora jonizacyjnego.
The work deals with scientific problems connected with microsystems and sensor technology developed in Department of Electronics. The authors present their achievements such as semiconductor gas sensors, microcrystalline silicon light detectors, thin film magnetic tunnel junctions and their applications. Some vacuum systems for films and multilayers depositions were also designed and constructed by our scientific staff. The sensor and radio frequency identification (RFID) applications were also described. Two advanced ceramic technologies (photoimageable thick films and LTCC) has been successfully combined to obtain microfluidic structures - the microchannel and the flame ionisation detector which are intended to use in a simple, portable ceramic microsystem for chromatography.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 3, 3; 63-69
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "silicon technology" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język