The methods of parameter optimization in Etch3DTM simulator and the results of the comparison of simulations of silicon etching in KOH with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by Institute of Electron Technology (ITE). The Taguchi approach was used to analyze the influence of every remove probability function (RPF) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to the results of real etching performed in ITE.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00