Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "silicon oxide" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Synthesis and Characterization of Nanocomposite Sulfonated PVDF Membrane
    Autorzy:
    Juliandri, Juliandri
    Rukiah, Rukiah
    Ernawati, E. E.
    Silitonga, M. P. R.
    Nasir, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1167197.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    PVDF membrane
    nanocomposites
    silicon oxide
    titanium oxide
    Opis:
    As a commercial fuel cell membrane, Nafion has disadvantages such as low stability at high temperature and low conductivity at low humidity. Sulfonated Polyvinylidene fluoride (PVDF) is known for good mechanical and thermal properties as a membrane. The purpose of this research is to synthesis a nanocomposite PVDF-TiSiO4 membrane as a potential replacement of Nafion. PVDF sulfonation was performed using concentrated sulfuric acid. The nanocomposites TiSiO4 were synthesized from TiCl4 and TEOS. Ultrasonification was used to insert the nanomaterial to the sulfonated membrane. The infrared spectra analysis shows the peak for the Ti-O-Si angel. SEM-EDX analysis shows that the nanocomposite PVDF-TiSiO4 membrane contents titanium oxide. The conductivity analysis shows the increasing of conductivity on addition of nanomaterials.
    Źródło:
    World Scientific News; 2018, 105; 218-224
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Improvement of Microwave Absorption Characteristics by Coating Layer in Substituted U-Type Ferrites
    Autorzy:
    Jeong, Kwang-Pil
    Kim, Jeong-Gon
    Yang, Su-Won
    Choi, Jin-Hyuk
    Park, Seung-Young
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353196.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    hexagonal ferrite
    U-type ferrite
    silicon oxide layer
    microwave absorption
    Opis:
    The U-type ferrite is a kind of hexagonal ferrite, and it is known as a microwave absorber in the X-band. The magnetic and dielectric loss of the U-type ferrite change to the composition and coating layer, etc. In this study, the silicon oxide layer was coated on the substituted U-type ferrites to improve microwave absorption characteristics. The complex permittivity and complex permeability were measured using toroidal specimens that were press-molded and the measured frequency range was set from 2-18 GHz. The improvement of the microwave absorption rate was different according to the type of the substituted U-type ferrites. Only in the substituted U-type ferrites with nickel and zinc, an improvement in the microwave absorption rate due to enhancement of magnetic loss was confirmed. The highest microwave absorption was 99.9% at 9.6 GHz, which was S_Z0.5 U.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 4; 1287-1291
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wykorzystanie reaktora fluidalnego do syntezy 2,6-dimetylofenolu
    Use of fluidized bed reactor in 2,6-dimethylphenol synthesis
    Autorzy:
    Jamanek, D.
    Zielecka, M.
    Wielgosz, Z.
    Cyruchin, K.
    Kępska, B.
    Wenda, M.
    Górska, A.
    Krakowiak, J.
    Łukomska, A.
    Baran, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/141847.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
    Tematy:
    2,6-dimetylofenol
    fenol
    reaktor fluidalny
    tlenek krzemu
    reakcja metylowania fenolu
    2,6-dimethylphenol
    phenol
    fluidized bed reactor
    silicon oxide
    phenol methylation reaction
    Opis:
    Prace badawcze dotyczyły otrzymywania i przetestowania katalizatorów do syntezy 2,6-dimetylofenolu, które mogłyby pracować jako złoże fluidalne. Zsyntezowano tlenek krzemu, na który nanoszono w różnych wariantach tlenki: żelaza(III), magnezu(II), chromu(III) i miedzi(II). Ponadto przebadano katalizator TZC-3/1 produkowany przez Grupę Azoty S.A. Tlenek krzemu z naniesionym na powierzchnię tlenkiem magnezu umożliwił prawie 100% przereagowanie fenolu w temp. 733K, przy selektywności w stosunku do 2,6-dimetylofenolu bliskiej 60%. Podobny stopień przereagowania fenolu otrzymano dla katalizatora przemysłowego TZC-3/1, ale jego selektywność względem 2,6-dimetylofenolu wynosi 90%. Wyniki eksperymentów wskazują, że najlepszym spośród badanych katalizatorów jest przemysłowy katalizator TZC-3/1 pozwalający otrzymać najlepsze wyniki w najniższej temperaturze.
    Research works were focused on obtaining and testing of catalysts for 2,6-dimethylphenol synthesis that could be used as fluidized bed. Silicon oxide was synthesized, on which subsequently various variants of iron (III), magnesium (II), chrome (III) and copper (II) oxides were deposited. Moreover, catalyst TZC-3/1 produced by Grupa Azoty SA was tested. Silicon oxide with deposited magnesium oxide allowed almost 100% conversion of phenol at 733K with selectivity towards 2,6-dimethylphenol equal to 60%. Similar degree of conversion for phenol was obtained for industrial catalyst TZC-3/1, but its selectivity towards 2,6-dimethylphenol was equal to 90%. Experimental results indicate that the best one among examined catalyst is the industrial catalyst TZC-3/1 that allows obtaining best results at lowest temperature.
    Źródło:
    Chemik; 2014, 68, 5; 468-477
    0009-2886
    Pojawia się w:
    Chemik
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Challenges in ultrathin oxide layers formation
    Autorzy:
    Beck, R.B.
    Jakubowski, A.
    Łukasiak, L.
    Korwin-Pawłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/307646.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    silicon technology
    oxidation
    PECVD
    RTO
    gate oxide
    ultrathin
    layers
    Opis:
    In near future silicon technology cannot do without ultrathin oxides, as it becomes clear from the "Roadmap'2000". Formation, however, of such layers, creates a lot of technical and technological problems. The aim of this paper is to present the technological methods, that potentially can be used for formation of ultrathin oxide layers for next generations ICs. The methods are briefly described and their pros and cons are discussed.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 27-34
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Challenges for 10 nm MOSFET process integration
    Autorzy:
    Östling, M.
    Malm, B. G.
    Haartman, M.
    Hallstedt, J.
    Zhang, Z.
    Hellström, P. E.
    Zhang, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    sstrained silicon
    silicon-germanium
    silicon-on-insulator (SOI)
    high-k dielectrics
    hafnium oxide
    nanowire
    low frequency noise
    mobility
    metal gate
    Opis:
    An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Optoelectronic properties of Fluoride tin oxides/porous silicon/p-Silicon heterojunction
    Autorzy:
    Hadi, H. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/411926.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    porous silicon
    electrochemical etching
    spray pyrolysis
    fluoride-doped tin oxide film
    nanostructures
    SEM
    AFM
    photodetector
    Opis:
    In this paper, formation of a nanostructure semi transparence fluoride tin oxides (FTO) by spray pyrolysis technique on porous silicon PS layer. Porous silicon PS layer was prepared by anodization of p-type silicon wafers to fabricate of the UV- Visible Fluoride-doped tin oxide /Porous silicon /p-Si heterojunction photodetector. Optical properties of FTO thin films were measured. The optical band gap of 3.77 eV for SnO2 : F for film was deduced. From (I-V) and (C-V) measurements, the barrier ØB height for FTO/PS diode was of 0.77, and the built in voltage Vbi, which was of 0.95 V. External quantum efficiency was 55 % at 500 nm which corresponding to peak responsivity of 1.15 A/W at 1 V bias. The PS band gap in the vicinity of PS/c-Si heterojunction was 1.38 eV.
    Źródło:
    International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy; 2014, 17, 2; 142-152
    2299-3843
    Pojawia się w:
    International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High-field current transport and charge trapping in buried oxide of SOI materials under high-field electron injection
    Autorzy:
    Nazarov, A.N.
    Houk, Y.
    Kilchytska, V.I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308027.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    Fowler-Nordheim current
    trap-assisted tunneling
    silicon-on-insulator
    buried oxide
    SIMOX
    UNIBOND
    anode hole injection
    band-to-band impact ionization
    Opis:
    Mechanisms of the charge transfer, the charge trapping, and the generation of positive charge during the high-field electron injection into buried oxide of silicon-on-insulator structures fabricated by different technologies are analyzed based on the data obtained from current-voltage, injection current-time, and capacitance-voltage characteristics together with SIMS data. Electron injection both from the Si film and the Si substrate is considered. The possibility of using the trap-assisted electron tunneling mechanisms to explain the high-field charge transfer through the buried oxides of UNIBOND and SIMOX SOI materials is considered. It is shown that considerable positive charge is accumulated near the buried oxide/substrate interface independently from the direction of the injection (from the film or from the silicon substrate) for UNIBOND and SIMOX SOI structures. Thermal stability of the charge trapped in the buried oxides is studied at temperatures ranging from 20 to 400° C. The theory is compared with the experimental data to find out the mechanisms of the generation of positive charge in UNIBOND and SIMOX buried oxides.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 50-61
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors
    Autorzy:
    Ohata, A.
    Ritzenthaler, R.
    Faynot, O.
    Cristoloveanu, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308994.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MOSFET
    SOI
    ultra-thin silicon
    multiple-gate
    mobility
    coupling effect
    thin gate oxide
    gate-induced floating body effect
    drain-induced virtual substrate biasing
    Opis:
    State-of-the-art SOI transistors require a very small body. This paper examines the effects of body thinning and thin-gate oxide in SOI MOSFETs on their electrical characteristics. In particular, the influence of film thickness on the interface coupling and carrier mobility is discussed. Due to coupling, the separation between the front and back channels is difficult in ultra-thin SOI MOSFETs. The implementation of the front-gate split C-V method and its limitations for determining the front- and back-channel mobility are described. The mobility in the front channel is smaller than that in the back channel due to additional Coulomb scattering. We also discuss the 3D coupling effects that occur in FinFETs with triple-gate and omega-gate configurations. In low-doped or tall fins the corner effect is suppressed. Narrow devices are virtually immune to substrate effects due to a strong lateral coupling between the two lateral sides of the gate. Short-channel effects are drastically reduced when the lateral coupling screens the drain influence.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 14-24
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie i charakterystyka wodnych zawiesin węglika krzemu przeznaczonych do wytwarzania wyrobów metodą odlewania
    Preparation and characterisation of aqueous suspensions of silicon carbide for use in the manufacturing of products by the slip casting method
    Autorzy:
    Gnyla, Joanna
    Gubernat, Agnieszka
    Zych, Łukasz
    Lach, Radosław
    Zientara, Dariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/168202.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    zawiesiny węglika krzemu
    NaOH
    TMAH
    potencjał dzeta
    lepkość pozorna
    aktywatory spiekania SiC
    spiekanie swobodne
    silicon carbide suspensions
    zeta potential
    apparent viscosity
    oxide sintering additives
    pressureless sintering
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości zawiesin o 30% udziale objętościowym fazy stałej, którą stanowiły proszki: SiC, Al2O3 i Y2O3 w funkcji dodatku upłynniaczy, tj. TMAH i NaOH w ilości od 0,0 do 1,0% mas. w przeliczeniu na masę fazy stałej. Na podstawie wyznaczonych krzywych lepkości i szybkości sedymentacji stwierdzono, że optymalna ilość upłynniaczy wynosi 0,4–0,6% mas. Wówczas zawiesiny wykazują pH z zakresu 10–11, a wartość potencjału dzeta cząstek gwarantuje ich stabilizację. Uzyskane wyniki badań dały podstawy do zaproponowania elektrostatycznego mechanizmu stabilizacji zawiesin przez oba upłynniacze. Do zawiesin wprowadzono dodatki tlenkowe i spoiwo, a następnie uformowano z nich wyroby (tygle) techniką odlewania. Celem wprowadzenia dodatków tlenkowych było aktywowanie spiekania węglika krzemu. Aktywatorami spiekania była mieszanina tlenków glinu i itru w stosunku masowym 3:2 i w ilości 10% mas. Jako dodatek ułatwiający formowanie zastosowano spoiwo akrylowe w ilości 0,5, 2, 5 i 10% mas. w odniesieniu do masy proszku SiC. Wyroby spiekano w temperaturze 2050 i 2150°C. Wytworzono w ten sposób materiały SiC o wysokiej gęstości i jednorodnej mikrostrukturze.
    The paper presents the results of investigations on the properties of suspensions with 30% volume fraction of solid phase which consisted of SiC, Al2O3 and Y2O3 powders as a function of dispersing agents i.e. TMAH and NaOH additive in the amount from 0.0 to 1.0 wt. % calculated on the basis of the solid phase mass. Based on the determined viscosity curves and sedimentation rate measurements, the optimum amount of dispersing agents was found to be 0.4–0.6 wt. %. The suspensions showed pH from the range 10–11 and the value of the zeta potential of particles guaranteed their stabilization. The obtained results gave rise to the proposal of an electrostatic mechanism of stabilization of the suspensions by both dispersing agents. Oxide additives and binders were added to the suspensions and then the products (crucibles) were formed using the slip casting technique. The purpose of introducing the oxide additives was to activate sintering of silicon carbide. The sintering activators were a mixture of aluminium and yttrium oxides in a mass ratio of 3:2 and in the amount of 10% by weight. Acrylic binder in the amount of 0,5, 2, 5 and 10 wt. % was used as an additive facilitating the formation of SiC powder. The products were sintered at 2050 and 2150°C. SiC materials of high density and homogeneous microstructure were produced in this way.
    Źródło:
    Szkło i Ceramika; 2019, R. 70, nr 3, 3; 10-15
    0039-8144
    Pojawia się w:
    Szkło i Ceramika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Abrasion Resistance of S235, S355, C45, AISI 304 and Hardox 500 Steels with Usage of Garnet, Corundum and Carborundum Abrasives
    Autorzy:
    Szala, Mirosław
    Szafran, Michał
    Macek, Wojciech
    Marchenko, Stanislav
    Hejwowski, Tadeusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/103045.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    abrasion
    wear resistance
    dry sand-rubber wheel test
    garnet
    aluminum oxide
    silicon carbide
    steel
    hardness
    microstructure
    odporność na ścieranie
    test koła suchy piasek-guma
    granat
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    stal
    twardość
    mikrostruktura
    Opis:
    The steel presents a wide field of application. The abrasive wear resistance of steel relies mainly on the microstructure, hardness as well as on the abrasive material properties. Moreover, the selection of a abrasion-resistant grade of steel still seems to be a crucial and unsolved problem, especially due to the fact that the actual operating conditions can be affected by the presence of different abrasive materials. The aim of this work was to determine the effect of different abrasive grit materials i.e. garnet, corundum and carborundum on the abrasive wear result of a commonly used in industry practice steels i.e. S235, S355, C45, AISI 304 and Hardox 500. The microstructure of the steel was investigated using light optical microscopy. Moreover, hardness was measured with Vickers hardness tester. Additionally, the size and morphology of the abrasive materials were characterized. The abrasion tests were conducted with the usage of T-07 tribotester (dry sand rubber wheel). The results demonstrate that the hardness and structure of steels and hardness of abrasive grids influenced the wear results. The abrasive wear behavior of steels was dominated by microscratching and microcutting wear mechanisms. The highest mass loss was obtained for garnet, corundum, and carborundum, respectively. The usage of various abrasives results in different abrasion resistance for each tested steel grade. The AISI 304 austenitic stainless steel presents an outstanding abrasive wear resistance while usage of corundum and Hardox 500 while using a garnet as abrasive material. The C45 carbon steel was less resistant than AISI 304 for all three examined abrasives. The lowest resistance to wear in garnet and carborundum was obtained for the S235JR and S355J2 ferritic-perlitic carbon steels and in corundum for Hardox 500 which has tempered martensitic structure.
    Źródło:
    Advances in Science and Technology. Research Journal; 2019, 13, 4; 151-161
    2299-8624
    Pojawia się w:
    Advances in Science and Technology. Research Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hybride Composite Armour Systems with Advanced Ceramics and Ultra-High Molecular Weight Polyethylene (UHMWPE) Fibres
    Hybrydowe, kompozytowe układy balistyczne z zaawansowaną ceramiką i włóknami UHMWPE
    Autorzy:
    Fejdyś, M.
    Kośla, K.
    Kucharska-Jastrząbek, A.
    Landwijt, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/234079.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    composite armour
    bullet proof vest
    multi-hit
    nonoxide ceramics
    silicon carbide (SiC)
    aluminium oxide (Al2O3)
    ultra-high molecular weight polyethylene (UHMWPE) fibres
    kompozyty włókniste
    kamizelka kuloodporna
    węglik krzemu
    SiC
    tlenek glinu
    AI2O3
    Opis:
    The aim of the research was to develop a new concept of hybride composite armour systems consisting of a ceramic and fibrous composite. Depending on the requirements for ballistic protection, armour systems may be designed to various configurations and weights based on the most suitable ceramic materials and backing. The article describes the development of a hybrid ceramic - multi-layered ultra-high molecular weight polyethylene (UHMWPE) composite armour made from silicon carbide (SiC) or aluminium oxide (Al2O3) of different thicknesses (3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 17.27 and 13.35 mm) and shapes (hexagonal and cylindrical) in combination with a polyethylene fibrous composite. Additionally research work developed a confinement system for the hybrid ceramic - multi-layered UHMWPE composite armour which significantly improves the ballistic performance of composite armour by creation of a uniform compression condition of the ceramic and by reducing its fragmentation upon impact. The ballistic armour strength was tested according to the PN-V-87000:2011, NIJ 0101.04 standard and NATO STANAG 4569 (AEP-55 Vol.1) standard for protection against more than one shot (multi-hit). The hybrid ceramic - multi-layered UHMWPE composite armour was combined with basic fibrous ballistic armours which exhibited a ballistic strength compatible with level IIIA according to the NIJ 0101.04 standard and classes K2 and O3 according to the PN-V-87000: 2011 standard.
    Celem badań było opracowanie nowej koncepcji hybrydowych, kompozytowych układów balistycznych na bazie ceramiki oraz kompozytów włóknistych. W zależności od wymagań ochrony balistycznej, układy balistyczne projektowano w różnych konfiguracjach i masach, wykorzystując odpowiednie materiały ceramiczne i te przeznaczone na tylną cześć pancerza. W artykule przedstawiono wyniki prac mające na celu opracowanie hybrydowych ceramiczno-polietylenowych kompozytów balistycznych wykonanych z ceramiki na bazie węglika krzemu (SiC) i tlenku glinu (Al2O3) o różnej grubości (3.0 mm, 3.5 mm 4.0 mm, 4.5 mm, 17.27mm, 13.35 mm) oraz kształcie (heksagonalny i cylindryczny), w połączeniu z włóknistym kompozytem polietylenowym. Dodatkowo praca badawcza doprowadziła do opracowania systemu zabezpieczającego hybrydowe ceramiczno-polietylenowe kompozyty balistyczne, który znacząco poprawił skuteczność balistyczną pancerzy kompozytowych poprzez wytworzenie jednorodnych warunków kompresji ceramiki, a także dzięki zmniejszeniu jej fragmentacji po uderzeniu. Badania odporności balistycznej pancerzy prowadzono zgodnie z normą PN-V-87000:2011, NIJ 0101.04 oraz procedurą badawczą opartą na normie NATO STANAG 4569 (AEP-55 Vol.1) w zakresie ochrony przed więcej niż jednym strzałem (multi-hit). Badania balistyczne hybrydowych ceramiczno-polietylenowych kompozytów balistycznych prowadzono w zestawieniu z opracowanymi podstawowymi włóknistymi pancerzami balistycznymi, wykazującymi odporność balistyczną zgodną z poziomem IIIA normy NIJ 0101.04 oraz klasami K2 i O3 wg PN-V-87000:2011.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2016, 3 (117); 79-89
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies