In this paper, formation of a nanostructure semi transparence fluoride tin oxides (FTO) by spray pyrolysis technique on porous silicon PS layer. Porous silicon PS layer was prepared by anodization of p-type silicon wafers to fabricate of the UV- Visible Fluoride-doped tin oxide /Porous silicon /p-Si heterojunction photodetector. Optical properties of FTO thin films were measured. The optical band gap of 3.77 eV for SnO2 : F for film was deduced. From (I-V) and (C-V) measurements, the barrier ØB height for FTO/PS diode was of 0.77, and the built in voltage Vbi, which was of 0.95 V. External quantum efficiency was 55 % at 500 nm which corresponding to peak responsivity of 1.15 A/W at 1 V bias. The PS band gap in the vicinity of PS/c-Si heterojunction was 1.38 eV.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00