Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "rf sputtering" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Osadzanie warstw CdTe na podłożach GaAs metodą rozpylania katodowego
    CdTe sputtered films on GaAs substrates
    Autorzy:
    Madejczyk, P.
    Gawron, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/209837.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    CdTe
    rozpylanie katodowe
    podłoża GaAs
    rf sputtering
    GaAs substrates
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki eksperymentów zmierzających do otrzymania warstw buforowych CdTe na podłożach GaAs. Chropowatość próbek z udanych eksperymentów zawiera się w przedziale 30-40 nm, co wstępnie kwalifikuje te warstwy do dalszych eksperymentów w systemie MOC VD. Uzyskano również dostateczną jednorodność grubości osadzonej warstwy CdTe na całej powierzchni podłoża GaAs. Badania struktury krystalograficznej otrzymanych warstw wykazały istnienie dwóch orientacji (100) i (111), co sugeruje, że otrzymane warstwy nie są monokrystaliczne.
    In this report, the results of CdTe buffer layers deposition on GaAs substrates by RF sputtering are presented. Surface roughness of CdTe layers was in the range from 30 nm to 40 nm. These CdTe layers are promising material as buffer layers for HgCdTe deposition in MOC VD technology. Sufficient thickness uniformity has been achieved on the whole surface of GaAs substrate. X-ray measurements show that deposited CdTe layers have two crystallographic orientations: (100) and (111) what suggest that those layers are not monocrystallic ones.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 2; 313-320
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
    SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Jagoda, A.
    Dobrzański, L.
    Caban, P.
    Możdżonek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiCN
    sputtering
    widmo podczerwieni
    widmo optycznej absorpcji
    dyfrakcja rentgenowska
    SIMS
    rf sputtering
    absorption spectrum
    IR spectrum
    X-ray diffraction
    Opis:
    Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
    Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of substrate temperature on the crystal properties of LiMn2O4 films prepared by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Isai, M.
    Nakamura, K.
    Hosokawa, T.
    Izumichi, T.
    Sekikawa, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/384289.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    LiMn2O4 thin film
    RF magnetron sputtering
    Li secondary batteries
    Opis:
    The LiMn2O4 films for Li secondary batteries have been prepared by a RF magnetron sputtering method. The LiMn2O4 powder was used as a target material. The deposition rate, XRD, and surface morphology were investigated as a function of substrate temperature (Tsub). It was found that the deposition rate had a peak at around the of 200 °C. This research was also designed for preventing the target material being oxidized during the reactive sputtering process. A quartz tube was inserted between shutter and target. It seems that the quartz tube is effective to prevent oxidation of target material.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 65-68
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    RF Magnetron Sputtering Coating Of Hydroxyapatite On Alkali Solution Treated Titanate Nanorods
    Magnetronowo napylane powłoki hydroksyapatytu na nanopręty tlenku tytanu wytworzone w roztworze alkalicznym
    Autorzy:
    Lee, K.
    Shin, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/351072.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HA (Hydroxyapatite)
    RF magnetron sputtering
    nanorod
    alkali solution
    hydroksyapatyt
    napylanie magnetronowe
    nanopręty
    roztwór alkaliczny
    Opis:
    Hydroxyapatite (HA) is a material with outstanding biocompatibility. It is chemically similar to natural bone tissue, and has therefore been favored for use as a coating material for dental and orthopedic implants. In this study, RF magnetron sputtering was applied for HA coating. And Alkali treatment was performed in a 5 M NaOH solution at 60°C. The coated HA thin film was heat-treated at a range of temperatures from 300 to 600°C. The morphological characterization and crystal structures of the coated specimens were then obtained via FE-SEM, XRD, and FT-IR. The amorphous thin film obtained on hydrothermally treated nanorods transformed into a crystalline thin film after the heat treatment. The change in the phase transformation, with an enhanced crystallinity, showed a reduced wettability. The hydrothermally treated nanorods with an amorphous thin film, on the other hand, showed an outstanding wettability. The HA thin film perpendicularly coated the nanorods in the upper and inner parts via RF magnetron sputtering, and the FT-IR results confirmed that the molecular bonding of the coated film had an HA structure.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2B; 1319-1322
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies