Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "metal-insulator" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Nanoblocks embedded in L-shaped nanocavity of a plasmonic sensor for best sensor performance
    Autorzy:
    Butt, M. A.
    Kazanskiy, N. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1835766.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    plasmonic sensor
    refractive index sensor
    metal-insulator-metal waveguide
    L-shaped cavity
    finite element method
    Opis:
    In this work, we proposed a highly sensitive design of a plasmonic sensor which is formed by embedding a periodic array of nanoblocks in L-shaped cavity formed by the metal–insulator–metal waveguide. The nanoblocks are placed in the strong electric field confinement region to further enhance its strength by confining it to a small area. To validate the study, the spectral characteristics of the proposed sensor design is compared to the spectral characteristics of a standard design having the same geometric parameters excluding nanoblocks in the cavity. The study shows that the incorporation of 5 nanoblocks of length 25 nm in the cavity can provide best performance indicators in the form of sensitivity, figure of merit and Q-factor. The sensitivity, figure of merit and Q-factor of the proposed sensor design is 1065 nm/RIU, 251.17 and 343.4 which is significantly higher than the standard L-shape resonator design. The sensor design can be developed with a single fabrication step. Due to the ease of fabrication and the highly responsive nature of the design, it can be used in biomedical applications.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2021, 51, 1; 109-120
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC conductivity mechanisms in granular nanocomposite films Cux(SiO2)1-x, deposited in Ar gas atmosphere
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Swito, I.
    Patryn, A.
    Kalinin, Y.
    Sitnikov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118468.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    DC conductivity
    metal-insulator transition
    nanocomposites
    percolation
    przewodnictwo DC
    metal przejściowy-izolator
    nanokompozyty
    przesączanie
    Opis:
    In the article are presented the results of the study of structure of Cux(SiO2)1-x nanocomposites with a wide range of metallic fraction content and their DC conductivity measured in the temperature range between 3 and 300 K. The Cux(SiO2)1-x thin film samples with 0.36 < x < 0 and thicknesses 3 to 5 μm were fabricated by ion-beam sputtering of the compound Cu/SiO2 target with argon onto the glass ceramic substrate. The as-deposited films displayed their evolution from practically homogeneous (at x < 0.50) to granular (in the range of 0.50 < x < 0.58) structure with x increase where the granules dimensions approached approximately 100 - 200 nm. The study of conductivity have shown that the studied nanocomposite films with x < 0.68 are on dielectric side of metal-insulator transition and possess thermally activated tunneling of electrons between Cu nanoparticles whereas the samples with x > 0.68 indicate the metallic-like character of conductance along the percolating net of Cu nanoparticles inside of silica matrix. In dielectric regime (for nanocomposites with x < 0.68) DC carrier transport is realized by VRH mechanism described by Shklowski-Efros law, by jumps of electrons between Cu nanoparticles.
    W artykule przedstawiono rezultaty badań struktury nanokompozytów Cux(SiO2)1-x w szerokim zakresie zawarcia fazy metalicznej and ich DC przewodnictwo zmierzone w zakresie temperatur od 3 do 300K. Cienkie warstwy Cux(SiO2)1-x z 0.36 < x < 0 i grubością 3 I 5 μm były przygotowane poprzez rozpylanie wiązką argonową jonową kompaunda Cu/SiO2 tarczy na podłoże ze szklanej ceramiki. Wszystkie warstwy po napylaniu wykazywały transformację struktury od praktycznie jednorodnej (dla x < 0.50) do granulowanej (0.50 < x < 0.58) gdzie, ze wzrostem x liniowe rozmiary granul osiągają 100-200 nm. Badania przewodnictwa wykazało że nanokompozytowe filmy z x < 0.68 są po dielektrynej stronie przejścia metal-izolator i wykazują termiczne aktywowane tunelowanie elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami, w tym czasie jak przy x > 0.68 zauważono przewodność podobną do metalicznej wzdłuż perkolacyjnej sieci nanocząstek Cu wewnątrz matrycy silicydu. W trybie dielektrycznym (dla nanocząstek z x<0.68) transport nośników jest realizowany wg VRH mechanizmu zgodnie z prawem Shklowskiego-Efrosa, poprzez skoki elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2012, 4; 29-42
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
    Autorzy:
    Matys, M
    Powroznik, P
    Kupka, D
    Adamowicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174326.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    surface photovoltage
    gallium nitride
    metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
    interface states
    photodetector
    Opis:
    The rigorous numerical analysis of the surface photovoltage (SPV) versus excitation UV-light intensity (Φ), from 104 to 1020 photon/(cm2s) in a metal/insulator/n-GaN structure with a negative gate voltage (VG = –2 V) was performed using a finite element method. In the simulations we assumed a continuous U-shape density distribution function Dit(E) of the interface states and n-type doping concentration ND = 1016 cm–3. The SPV signal was calculated and compared in three different characteristic regions at the interface, namely i) under the gate centre, ii) near the gate edge and iii) between the gate and ohmic contact. We attributed the differences in SPV(Φ) dependences to the influence of the interface states in terms of the initial band bending and interface recombination controlled by the gate bias. The obtained results are useful for the design of GaN-based UV-radiation photodetectors.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 47-52
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Challenges for 10 nm MOSFET process integration
    Autorzy:
    Östling, M.
    Malm, B. G.
    Haartman, M.
    Hallstedt, J.
    Zhang, Z.
    Hellström, P. E.
    Zhang, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    sstrained silicon
    silicon-germanium
    silicon-on-insulator (SOI)
    high-k dielectrics
    hafnium oxide
    nanowire
    low frequency noise
    mobility
    metal gate
    Opis:
    An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spin and lattice dynamics of La2/3Ca1/3MnO3 doped with 1% 119Sn
    Autorzy:
    Przewoźnik, J.
    Żukrowski, J.
    Chmist, J.
    Japa, E.
    Kołodziejczyk, A.
    Krop, K.
    Kellner, K.
    Gritzner, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/147199.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    119Sn Mössbauer
    LCMO manganites
    f-factor
    metal-insulator
    Opis:
    1 at.% 119Sn doped La0.67Ca0.33MnO3 compound was studied by Mössbauer spectroscopy, magnetization, AC susceptibility and resistivity measurements. Huge separation (66 K) of the transition temperatures from the ferromagnetic (FM) to paramagnetic (PM) state (TC) and from metallic to insulating state (TM-I) clearly shows that transition from FM metallic to PM insulator phase goes via FM insulator phase. The Mn lattice dynamics was studied by the relative changes of Lamb-Mössbauer factor f as a function of temperature. In the Debye approximation from the calculated ln(f/f0) values of the characteristic Debye temperatures (čD) were estimated for the FM (368(10) K) and PM (391(6) K) phases. No anomaly of -ln(f/f0) at TM-I and its rather spurious increase around TC was found. The 119Sn isotope as a local diamagnetic probe samples the transferred hyperfine field (Bhf) from its neighbour Mn magnetic moments and witnesses the dynamics of the Mn moments. Theoretical curve based on the molecular field theory was fitted to the experimental values of Bm hf ax and the value of the ordering temperature (TC * H 280 K) of Mn moments inside the large FM domains was estimated. It is much higher than the TC (172 K) obtained from magnetization measurement. The coexistence of FM and PM phases, which is evident from the shape of our 119Sn Mössbauer spectra, was confirmed for temperatures T e 150 K and indicates the inhomogeneous character of the magnetic transition.
    Źródło:
    Nukleonika; 2004, 49,suppl.3; 37-42
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me=Cr, Fe) cobaltites
    Autorzy:
    Troyanchuk, I.
    Bushinsky, M.
    Tereshko, N.
    Fedotova, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118524.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    magnetic interactions
    magnetization
    magnetoresistance
    metal-insulator transition
    oddziaływania magnetyczne
    namagnesowanie
    magnetorezystancja
    przejście metal-izolator
    Opis:
    Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me = Cr, Fe) stoichiometric cobaltites has been investigated in magnetic fields up to 14 T. It is shown that doping with Fe ions changes spontaneous magnetization only slightly herewith the Curie point significantly decreases. The chromium doping leads to dramatic decrease of magnetization and the Curie point and a strong increase in magnetoresistance at low temperature. The obtained results indicate that the magnetic interactions between Co and Fe are positive whereas those between Co and Cr ions are negative. Enhancement of magnetoresistance is attributed to the magnetic field induced transition from antiferromagnetic order to ferromagnetic one.
    Właściwości magnetyczne i magnetotransportowe stoichiometrycznych kobaltytów zbadano w polach magnetycznych do 14T. Ustalono, że domieszkowanie przez jony Fe zmienia namagnesowanie spontaniczne bardzo słabo w tym czasie jak punkt Curie obniża się znacząco. Domieszkowanie przez atomy chromu powoduje dramatyczne zmniejszenie namagnesowania i obniżenie punktu Curie i mocny wzrost magneto rezystancji w niskich temperaturach. Otrzymane rezultaty wskazują oddziaływanie magnetyczne pomiędzy Co i Fe jest pozytywne w tym czasie jak pomiędzy Co a Cr jest negatywne. Wzmocnienie magnetorezystancji przypisano do pola magnetycznego indukowanego przejściem z antyferromagnetycznego układu do ferromagnetycznego.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 69-76
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies