Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "high-frequency" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów

Dostawca treści

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 100
Tytuł:
Statistical investigations of fast changeable processes occurring in ship piston combustion engine
Autorzy:
Chłopek, Z.
Piaseczny, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/259250.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Inżynierii Mechanicznej i Okrętownictwa
Tematy:
piston combustion engine
fast changeable processes
stochastic processes
high frequency noise
Opis:
Combustion piston engine is one of the devices in which fast changeable processes occur in operational conditions. In this paper are presented basic problems associated with research on fast changeable processes occurring in diesel engines, exemplified by the processes of indicated pressure and fuel pressure injected to engine's cylinder. Dynamical characteristics of the investigated processes were analyzed and problems of synchronous averaging of pseudo-periodical signals were considered in order to limit high frequency noise content in useful signal. Some limitations of elimination effectiveness of high frequency noise from tested signals have been revealed.
Źródło:
Polish Maritime Research; 2005, 2; 10-16
1233-2585
Pojawia się w:
Polish Maritime Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zespoły uwięźnięcia nerwów obwodowych w badaniach obrazowych
Radiology of peripheral nerves entrapments
Autorzy:
Kordek, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1061818.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Medical Communications
Tematy:
computed tomography
entrapment neuropathy
high frequency wideband heads
magnetic resonance imaging
ultrasound scan
tomografia komputerowa
ultrasonografia
neuropatia z uwięźnięcia
szerokopasmowe głowice wysokiej częstotliwości
rezonans magnetyczny
Opis:
The diagnosis of nerve entrapment at osteofibrous tunnels relies primarily on clinical and electrodiagnostic findings. However, while electrodiagnostic studies are sensitive, they lack specificity and do not display the anatomic detail needed for precise localization and treatment planning. The radiological study of peripheral nerve disorders initially was limited to secondary skeletal changes on plain radiographs and CT. Plain radiographs are useful for evaluating bones for trauma and fractures, severe osteoarthritis, and other arthropathies. Routine CT is useful for its ability to display and evaluate the cross-sectional volume of the tunnel and for detecting subtle calcification in the tendons within the canal. CT also provides an excellent tool for evaluating bones through multiplanar and 3-dimensional reconstructions. MR imaging have been useful to exclude mass lesions in the vicinity of a peripheral nerve. Recent technical improvements in MRI have resulted in improved visualization of both normal and abnormal peripheral nerves. The refinement of high frequency broadband transducers with a range of 5-15 MHz, sophisticated focusing in the near field, and sensitive color and power Doppler technology have improved the ability to evaluate peripheral nerve entrapment in osteofibrous tunnels with ultrasonography (US).
Diagnostyka uwięźnięcia nerwów obwodowych w obrębie kostno-włóknistych kanałów opiera się głównie na analizie objawów klinicznych i wynikach badań elektrofizjologicznych. Testy elektrofizjologiczne są czułe, ale mało swoiste dla przyczyny ucisku, nie umożliwiają także oceny szczegółów anatomicznych koniecznej do precyzyjnej lokalizacji zmian i planowania leczenia. Dawniej badanie radiologiczne w zespołach ucisku nerwów obwodowych było ograniczone do obrazowania zmian kostnych na zdjęciach RTG i TK niezwiązanych bezpośrednio z nerwem i jego otoczeniem z tkanek miękkich. Zdjęcia RTG są przydatne do oceny kości w kierunku zmian pourazowych i złamań, ostrego zapalenia kości i stawów oraz innych artropatii. W miarę rozwoju techniki TK umożliwiło uwidocznienie i ocenę poprzecznych warstw kanału oraz wykrywanie delikatnych zwapnień w ścięgnach tunelu. TK jest doskonałym narzędziem do oceny kości w rekonstrukcjach wielowarstwowych oraz trójwymiarowych. Po wprowadzeniu badań RM możliwe stało się wykrywanie nieprawidłowych mas w otoczeniu nerwu. Współczesny RM pozwala także na obrazowanie i ocenę samych nerwów. Udoskonalenie techniki ultrasonograficznej, polegające na wprowadzeniu szerokopasmowych głowic wysokiej częstotliwości, ogniskowania w bliskim polu, zastosowanie czułych metod badania przepływu sprawiły, iż możemy dokładnie ocenić usidlenie nerwów obwodowych w przebiegu tunelopatii.
Źródło:
Aktualności Neurologiczne; 2006, 6, 4; 259-266
1641-9227
2451-0696
Pojawia się w:
Aktualności Neurologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:
Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate
Opis:
An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
EM emission of ICs implementated in FPGA : influence of floor plan and electric function
Autorzy:
Szczęsny, J.
Kołodziejski, J. F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378429.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
FPGA
emisja elektromagnetyczna
prąd wysokiej częstotliwości
Xilinx
electromagnetic emission
high frequency current
near-field disturbances
Opis:
In the paper some investigations are presented aiming to check the influence of IC floor plan and the circuit function on its electromagnetic emissions. As the test vehicle Xilinx FPGA XCV800 type was used, in which two types of multiplicators were implemented. To compare the effects, high frequency currents in supply and ground pins of the circuits as well as near field disturbances were measured over the circuits.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 4; 1-7
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gigacycle fatigue at high-frequency loading
Autorzy:
Bokůvka, O.
Nový, F.
Chalupová, M.
Nicoletto, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/329118.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
Tematy:
materiał strukturalny
zmęczenie materiału
właściwości
gigacycle fatigue
high-frequency loading
structural material
Opis:
In this work there are information about an experimental high-frequency testing apparatus and specimens enable to determine the fatigue properties in the ultra-high-cycles region (gigacycle fatigue) and the rates of long fatigue cracks growth in near-threshold areas. The selected characteristic examples about fatigue resistance of various structural materials are presented. The results are utilizable in the field of material engineering and threshold states of material.
Źródło:
Diagnostyka; 2008, 4(48); 53-56
1641-6414
2449-5220
Pojawia się w:
Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Power quality enhancement of three-phase front-end rectifier of UPS system using current injection technique
Autorzy:
Dhomane, G. A.
Suryawanshi, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/262756.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Tematy:
high frequency current injection
high power factor
soft transition
power factor correction circuit
Opis:
Power Quality, in terms of power factor and harmonics, is greatly hampered by a three-phase rectifier used as a front-end ac-to-dc converter in many systems including a UPS. This paper presents the high power factor operation of the converter with reduced total harmonic distortion up to 4%. The power quality up gradation is due to high-frequency current injection, at the input of the front-end rectifier. A small filter is required at the output for filtering the high-frequency content. Sinusoidal PWM technique is used for controlling the output voltage. DSP is used for generating the desired gate pulses. The converter has high efficiency, low EMI emissions, high power packing density and suitable for UPS system. A Simulation and experimentation is carried out on a 3 kW converter and experimental results are in good agreement with simulation results.
Źródło:
Electrical Power Quality and Utilisation. Journal; 2008, 14, 2; 35-39
1896-4672
Pojawia się w:
Electrical Power Quality and Utilisation. Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wyznaczanie właściwości uziemień metodami statycznymi, wysokoczęstotliwościowymi i udarowymi
Determination of earthing properties using static, high frequency and impulse methods
Autorzy:
Wołoszyk, M.
Wojtas, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157090.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
uziemienie
metoda udarowa
rezystancja
metoda wysokoczęstotliwościowa
earthing
resistance
impulse method
high frequency method
Opis:
Podstawowym parametrem charakteryzującym skuteczność działania uziemienia jest jego rezystancja, a niekiedy rezystancja udarowa lub impedancja. Parametry te stosowane są często zamiennie chociaż wyznacza się je różnymi metodami i często mają one różne wartości liczbowe dla tego samego uziemienia. W artykule przedstawiono różne metody pomiaru tych parametrów oraz zaprezentowano wyniki badań porównawczych wykonanych przy użyciu metody statycznej, wysokoczęstotliwościowej oraz udarowej. Omówiono obszary zastosowań oraz ograniczenia omawianych metod, a także typowe błędy związane z interpretacją wyników i błędy w dobrze metody.
The basic parameter for evaluating the earthing is usually its resistance. Sometimes the earthing properties are described by means of its impulse resistance or impedance. These parameters are determined by different methods and they often have different numerical values for the same earthing. The paper presents different methods for measuring the earthing parameters mentioned above and the results of comparative investigations obtained from the static, high frequency and impulse procedures. The aplication areas and limitations of all the described measurement methods as well as typical mistakes are described. The main reasons for the mistakes are usually wrong interpretations of the obtained results and wrong choice of the measurement method.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 12, 12; 836-838
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resistance Approximation In High Harmonic Frequencies
Autorzy:
Sayenko, Y. L.
Kukhun, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/262733.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Tematy:
skin effect
high harmonics
propagation
induction
conductor
frequency
Opis:
The problem of consideration of the resistance in calculation of non-sinusoidal regimes in electrical networks is considered in article. It is shown the necessity of taking in account the skin effect in harmonic frequencies. Using general electromagnetic field theory in condition medium and Bessel’s function allow to obtain expressions of resistance approximations in high harmonics frequencies for conductors of round cross-sectional areas.
Źródło:
Electrical Power Quality and Utilisation. Journal; 2009, 15, 2; 43-46
1896-4672
Pojawia się w:
Electrical Power Quality and Utilisation. Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics
Autorzy:
Kondrath, N.
Kazimierczuk, M. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226774.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide (SiC)
SiC properties
high voltage
high-temperature
high-frequency applications
high-temperature electronics
wide energy band-gap semiconductors
Opis:
Silicon carbide materials, with its high mechanical strength, high thermal conductivity, ability to operate at high temperatures, and extreme chemical inertness to most of the electrolytes, are very attractive for high-power applications. In this paper, properties, advantages, and limitations of SiC and conventional Si materials are compared. Various applications, where SiC power devices are attractive, are discussed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 231-236
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of the AC/HF/DC converter with power factor correction
Autorzy:
Bogdan, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141404.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
korekcja współczynnika mocy
obwód rezonansowy
transformator wysokiej częstotliwości
przekształtnik podwyższający napięcie
power factor correction
resonant circuit
high frequency transformer
boost converter
Opis:
In this paper, the power factor correction system consisted of: bridge converter, parallel resonant circuit, high frequency transformer, diode rectifier and LFCF filter is presented. This system is controlled by a pulse density modulation method and the principle of its operation is based on the boost technique. The modeling approach is illustrated by an example using AC/HF/DC converter. Verification of the derived model is provided, which demonstrated the validity of the proposed approach.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2010, 59, 3-4; 141-152
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Opis:
This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 25-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative investigation of SiC and Si power electronic devices operating at high switching frequency
Autorzy:
Zymmer, K.
Mazurek, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200057.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor devices
silicon carbide
high frequency converters
Opis:
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the silicon carbide (SiC) Schottky diodes operating at a 500 A/ěs current slope. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon (Si) diodes. Results of power losses measurement in SiC Schottky diodes operating at switching frequency range of (10–200) kHz are presented and compared with corresponding data of ultrafast Si diodes. Also, results of power losses measurements in transistors of dc voltage switch are shown. Investigations were conducted with a SiC and the ultrafast Si freewheeling diode at the transistor switching frequency of 100 kHz. The results of measuring power losses dissipated in the dc converter with a SiC Schottky diode and the ultrafast silicon diode are also presented.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 555-559
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Research into properties of power electronics devices made of silicon carbide sic, in conditions of commutating current with high frequency
Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych wykonanych na bazie węglika krzemu w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością
Autorzy:
Michalski, A.
Zymmer, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158856.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przyrząd półprzewodnikowy
węglik krzemu
wielka częstotliwość
semiconductor devices
silicon carbide
high frequency convertes
Opis:
The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the SiC Schottky diodes at a current variation slope in a device, of 500 A/ s. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. Results of tests of power losses in diodes made of silicon carbide, at a current commutation frequency of (10 200) kHz are presented, comparing them with corresponding data determined for ultrafast silicon diodes. Test results of power losses in transistors constituting elements of d.c. voltage controllers are also shown. Investigations were conducted with an ultrafast SiC diode and with an ultrafast silicon diode at the transistor switching frequency of 100 kHz.
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego oraz dynamicznego napięcia przewodzenia diod Schottky`ego wykonanych na bazie węglika krzemu - SiC. Pomiary przeprowadzono przy stromości zmian prądu wynoszącej 500 A/žs. Wyniki te porównano z odpowiednimi rezultatami uzyskanymi dla ultraszybkiej diody krzemowej o takich samych parametrach napięciowo-prądowych. Przedstawiono także wyniki pomiarów strat mocy generowanych w tych diodach w warunkach komutacji prądu z częstotliwością zmienianą w granicach (10 ÷ 200) kHz. Artykuł zawiera również wyniki badań strat mocy wydzielanych w tranzystorze kluczującym z częstotliwością 100 kHz. Wyniki te dotyczą przypadków współpracy tranzystora w procesie komutacji prądu z ultraszybką diodą krzemową oraz z diodą SiC.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2011, 253; 61-71
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thick Film Transducers for High Frequency Coded Ultrasonography
Autorzy:
Nowicki, A.
Lewandowski, M.
Wójcik, J.
Tymkiewicz, R.
Lou-Moller, R.
Wolny, W.
Zawada, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/176939.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
transducers
thick film
high frequency ultrasound
pulse compression
Golay codes
Opis:
Recently a new technology of piezoelectric transducers based on PZT thick film has been developed as a response to a call for devices working at higher frequencies suitable for production in large numbers at low cost. Eight PZT thick film based focused transducers with resonant frequency close to 40 MHz were fabricated and experimentally investigated. The PZT thick films were deposited on acoustically engineered ceramic substrates by pad printing. Considering high frequency and nonlinear propagation it has been decided to evaluate the axial pressure field emitted (and reflected by thick metal plate) by each of concave transducer differing in radius of curvature – 11 mm, 12 mm, 15 mm, 16 mm. All transducers were activated using AVTEC AVG-3A-PS transmitter and Ritec diplexer connected directly to Agilent 54641D oscilloscope. As anticipated, in all cases the focal distance was up to 10% closer to the transducer face than the one related to the curvature radius. Axial pressure distributions were also compared to the calculated ones (with the experimentally determined boundary conditions) using the angular spectrum method including nonlinear propagation in water. The computed results are in a very good agreement with the experimental ones. The trans- ducers were excited with Golay coded sequences at 35–40 MHz. Introducing the coded excitation allowed replacing the short-burst transmission at 20 MHz with the same peak amplitude pressure, but with almost double center frequency, resulting in considerably better axial resolution. The thick films exhibited at least 30% bandwidth broadening comparing to the standard PZ 27 transducer, resulting in an increase in matching filtering output by a factor of 1.4–1.5 and finally resulting in a SNR gain of the same order.
Źródło:
Archives of Acoustics; 2011, 36, 4; 945-954
0137-5075
Pojawia się w:
Archives of Acoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrasonograficzne monitorowanie laserowego zamykania drobnych naczyń krwionośnych - doświadczenia własne
Ultrasound imaging of laser closing of broken capillary vessels - own experiences
Autorzy:
Mlosek, R.
Malinowska, S.
Serafin-Król, M.
Górski, G.
Ciostek, P.
Jakubowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/261530.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Katedra Inżynierii Biomedycznej
Tematy:
kosmetologia
laseroterapia
medycyna estetyczna
teleangiektazje
ultrasonografia wysokich częstotliwości
ultrasonografia skóry
cosmetology
laser therapy
aesthetic medicine
telangiectasia
high-frequency ultrasonography
skin ultrasonography
Opis:
Zamykanie drobnych naczyń krwionośnych (teleangiektazji) zlokalizowanych na twarzy i kończynach dolnych jest jednym z najczęściej wykonywanych zabiegów w medycynie estetycznej. Zabiegi te realizowane są za pomocą impulsowych źródeł światła (IPL - Intense Pulsed Light) lub laserów, najczęściej Nd:YAG. W pracy przedstawiono doświadczenia własne dotyczące ultrasonograficznego monitorowania zabiegów laserowych mających na celu zamykanie teleangiektazji. Badaniami objęto dwie grupy, łącznie 22 kobiet (średnia wieku: 44,27) z teleangiektazjami kończyn dolnych powstałymi w przebiegu przewlekłej niewydolności żylnej lub spowodowanymi jej leczeniem. W grupie pierwszej zabiegi wykonywano laserem Nd:YAG (gęstość energii: 100-180 J/cm?, rozmiar plamki: 2-6 mm, czas impulsu: 10-40 ms) i monitorowano za pomocą ultrasonografu (USG - Ultrasonography) wysokich częstotliwości z głowicą 50 MHz. Druga grupa nie była monitorowana za pomocą USG. W badaniach ultrasonograficznych ocenie poddano: średnicę naczynia, głębokość położenia naczynia w skórze, pojawienie się skrzepliny w świetle naczynia po zabiegu oraz jego morfologię. Obrazowanie USG poprawia precyzję wykonania zabiegu laserowego, co przejawia się istotnym statystycznie zmniejszeniem średnicy zamykanego naczynia, a także wzrostem liczby osób z obecnością skrzepliny w świetle naczynia w stosunku do statystyk zabiegów niewykonywanych pod kontrolą ultrasonografii. Prezentowane wyniki badań pozwalają stwierdzić, że ultrasonografia jest przydatną metodą monitorowania zabiegów leczenia teleangiektazji.
The procedures of closing of small blood vessels (teleangiectasia) localized on face and lower limbs are one of the most common treatments in the aesthetic medicine. These procedures are performed by means of IPL systems (Intense Pulsed Light) or lasers, usually Nd:YAG. In the paper, the own experience concerning the ultrasound monitoring during laser treatment of teleangiectasia, is described. The examinations included 22 women (mean age: 44,27) divided in the two groups that suffered from the teleangiectasia of lower limbs, arising in a course of chronic venous insufficiency or as a result of its treatment. The first group was treated with Nd:YAG pulse laser (energy density: 100-180 J/cm?, spot size: 2-6 mm, pulse duration: 10-40 ms) and monitored by means of high frequency ultrasonography (USG) with a 50 MHz probe. The second group was not monitored by the ultrasound imaging. USG allows for evaluation of vessel diameter, location depth in the skin, incidence/absence of a cloth in the light of the vessel after the procedure and its morphology. The higher treatment efficiency was observed in the group monitored by the ultrasonography. The results of examinations allow to state that the ultrasound imaging is a useful method to monitor the procedures of telangiectasia treatment.
Źródło:
Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna; 2011, 17, 4; 276-278
1234-5563
Pojawia się w:
Acta Bio-Optica et Informatica Medica. Inżynieria Biomedyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 100

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies