Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "high temperature stability" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Stabilność wysokotemperaturowa ekologicznych rezystorów grubowarstwowych
    High temperature stability of eco-friendly thick-film resistors
    Autorzy:
    Kiełbasiński, K.
    Szałapak, J.
    Krzemiński, J.
    Młożniak, A.
    Jakubowska, M.
    Szostak, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192252.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    rezystory bezołowiowe
    stabilność wysokotemperaturowa
    lead-free resistors
    high temperature stability
    Opis:
    W związku z Dyrektywą RoHS, która weszła w życie w 2006 roku producenci materiałów elektronicznych zostali zmuszeni do wyeliminowania m.in. ołowiu i jego związków ze składów tych materiałów. Dyrektywa wymusiła zmianę składu past służących do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych szeroko rozpowszechnionych w konsumenckim sprzęcie elektronicznym. Autorzy zaproponowali nowatorskie pasty rezystywne zdolne w pełni zastąpić pasty oparte o ołów i jego związki. Ponadto zostały przeprowadzone badania odporności na narażenia termiczno-prądowe, które ujawniły przewagę użytkową w aspektach stabilności rezystancji na cykliczne narażenia temperaturowe nowych past wobec past tradycyjnych.
    Under the EU directive on the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) implemented in 2006, producers of electronics materials were obliged to eliminate lead and its compounds from the compsition of their products. As a consequence of this directive the changes affected the compositions of pastes used in the production of thick-film resistors, widely used in mass electronics. The authors have developed new compositions for the resistive thick film pastes, to replace the ones based on lead. Moreover, the thermal and electrical studies showed the advantage of the new ompositions over the traditional ones in terms of resistance stability under temperature cyclic test.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 2, 2; 17-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The High Temperature Oxidation Stability of STS434L/Silicon Oxide Compacts
    Autorzy:
    Park, J. W.
    Ko, B. H.
    Jung, W. Y.
    Park, D. K.
    Ahn, I. S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352481.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    high-temperature oxidation stability
    metallic oxide
    densification
    Opis:
    In order to improve the high-temperature oxidation stability, a study of 434L sintered stainless steel was focused on the effect of addition of metallic oxides to form stable oxide film on the inner particle surface. In this paper, oxidation behavior of 434L compacted parts in accordance with the addition of metallic oxides were discussed with high temperature oxidative reaction, and sintering behavior analysis under 950°C. Oxidation weight gains of 434 L have increased as a form of parabolic laws. The hightemperature oxidation resistance was improved by the mixed addition of amorphous SiO2 and silica up to 2wt.%. The oxidation rate was decreased and kept constant after 60 hours. It was caused by the restraint succeeding oxidation due to the stable oxide formation of Cr2SiO4 phases on the particle surface to prevent densification and inhibition the external diffusion of Cr. High-temperature stability was confirmed by the electrical resistivity maintains the constant value of 1.3×10-2 Ω ·cm when the silica added less than 2w/o to 1w/o A-SiO2 added 434L.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 1; 307-313
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Assesment of advanced step models for steady state Monte Carlo burnup calculations in application to prismatic HTGR
    Autorzy:
    Kępisty, G.
    Cetnar, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146581.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    burnup
    high temperature gas-cooled reactor (HTGR)
    Monte Carlo
    stability
    step model
    Opis:
    In this paper, we compare the methodology of different time-step models in the context of Monte Carlo burnup calculations for nuclear reactors. We discuss the differences between staircase step model, slope model, bridge scheme and stochastic implicit Euler method proposed in literature. We focus on the spatial stability of depletion procedure and put additional emphasis on the problem of normalization of neutron source strength. Considered methodology has been implemented in our continuous energy Monte Carlo burnup code (MCB5). The burnup simulations have been performed using the simplified high temperature gas-cooled reactor (HTGR) system with and without modeling of control rod withdrawal. Useful conclusions have been formulated on the basis of results.
    Źródło:
    Nukleonika; 2015, 60, No. 3, part 2; 523-529
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies