Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "heterostructure" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-13 z 13
    Tytuł:
    Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
    Autorzy:
    Wosko, M
    Paszkiewicz, B
    Paszkiewicz, R
    Tlaczala, M
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174100.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    AlGaN/GaN
    heterostructure
    AlN spacer
    MOVPE
    Opis:
    AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 61-66
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
    Autorzy:
    Gryglewicz, J
    Stafiniak, A
    Wosko, M
    Prazmowska, J
    Paszkiewicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174309.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    reactive ione etching
    HEMT
    AlGaN/GaN heterostructure
    Opis:
    In this study, the results of reactive ion etching (RIE) process of diversified Al content AlxGa1–xN/AlN/GaN/sapphire heterostructures were presented. The Al fractions of 22, 25, 31 and 36% were examined. An impact of Al content in the heterostructures on the etch rates and surface morphology was investigated. The influence of used Cl2/BCl3/Ar gas mixture with varying of BCl3 flow on the etch rate of Al0.2Ga0.8N/GaN/sapphire, surface morphology and angle of mesa slope, was discussed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 27-33
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
    HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Strupiński, W.
    Rudziński, M.
    Gaca, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    heterostruktura
    interfejs
    GaN
    InGaN
    heterostructure
    interface
    Opis:
    Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków AIIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
    A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for AIIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
    The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Borysiuk, J.
    Pathak, A. P.
    Sathish, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    heterostruktura
    AIIIN
    warstwa buforowa
    XRD
    heterostructure
    buffer layer
    Opis:
    Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
    The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
    Autorzy:
    Hojko, M R
    Paszuk, D
    Paszkiewicz, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174545.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    sensor
    AlGaN/GaN heterostructure
    electrolyte
    two-dimensional electron gas (2DEG)
    pH
    Opis:
    In the paper, the behavior of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures in a water solution of (KOH + HCl) with differing pH was studied. The influence of the electrolyte pH on channel pinch-off voltage was measured using impedance spectroscopy methods. It was observed that the change of the pH of electrolyte has a strong effect on the pinch-off voltage of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures independently of the concentration of other ions. In high-pH environment the so-called memory effect of heterostructures was revealed. Its possible origin was discussed. A general theory to explain all results was proposed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 35-38
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Heterostructure photonic crystal multichannel drop filter based on microcavities and ring resonators
    Autorzy:
    Amirkhani-Shahraki, A
    Shahraki, M N
    Mosavi, M.R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174469.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    finite difference time domain method
    ring resonators
    heterostructure
    microcavities
    photonic crystal integrated circuits
    Opis:
    In this paper, a heterostructure photonic crystal multichannel drop filter based on ring resonators and microcavities is presented. This structure has been made in the form of a two-dimensional square lattice with two regions with refractive indexes of 3.464 and 3.86. The refractive indexes are so chosen as to allow the easy and practical fabrication of the device. The presented heterostructure photonic crystal multichannel drop filter consists of a waveguide, two ring resonators and a microcavity. This microcavity is placed at the end of the bus waveguide. The ring resonators have been installed in two regions with different refractive indexes. These ring resonators act as energy couplers, and at their resonance frequencies, they capture the electromagnetic energy which is transmitted in the bus waveguide. Filter characteristics have been obtained by using the finite difference time domain method. Finally, we will demonstrate that in the optimal structure, at ports B and D (vertical), drop efficiencies close to 90% and 67%, respectively, can be obtained within the third communication window, and at port C (horizontal), an efficiency of almost 80% can be achieved within the second communication window.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2014, 44, 1; 5-15
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The role of quantum-well states and carrier scattering times in discontinuities of opto-electrical characteristics of SCH lasers
    Autorzy:
    Kozioł, Z
    Matukhin, S I
    Buduleva, E A
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/175012.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    SCH laser
    quantum well
    heterostructure
    carrier scattering time
    AlGaAs
    discontinuous
    I-V characteristics
    Opis:
    Drift-diffusion computer simulation model available in Synopsys’ Sentaurus TCAD User Guide is used to study electrical and optical characteristics of a separate-confinement heterostructure laser based on AlGaAs. We investigate the role of the width and depth of quantum-well active region, below and above the lasing threshold. The device properties depend on both, the number of bound quantum-well states and on closeness of the highest bound states to conduction or valence band offset. The lasing action may not exist at certain widths or depths of quantum-well, and the threshold current is a discontinuous function of these parameters, at such values of quantum-well width or depth when the highest quantum-well bound states cross conduction or valence band energy offset. The effects are more pronounced at low temperatures. Discontinuities in characteristics are found, at certain conditions, in temperature dependences as well. The carriers scattering time on quantum-well is shown to have a crucial role for the amplitude of discontinuities of these characteristics. The current below the lasing threshold and the threshold current density itself decrease with an increase of quantum-well scattering times and the amplitude of discontinuities decreases then as well.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2014, 44, 1; 135-146
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
    The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Nakielska, M.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Romaniec, M.
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192203.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    badania starzeniowe
    niezawodność diody laserowej
    laser diode
    heterostructure
    burn-in tests
    degradation
    Opis:
    Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
    The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 3-13
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
    Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Maląg, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    montaż DL
    In
    eutektyk AuSn
    laser diode
    heterostructure
    LD mounting
    indium
    eutectic AuSn
    Opis:
    Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
    Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
    Kierunki poprawy jakości wiązki promieniowania szerokopaskowych diod laserowych dużej mocy
    Autorzy:
    Maląg, A.
    Sobczak, G.
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Dąbrowski, A.
    Nakielska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192421.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    laser diode
    laser beam
    heterostructure
    directional characteristics of emission
    dioda laserowa
    wiązka laserowa
    heterostruktura
    charakterystyki kierunkowe emisji
    Opis:
    Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
    Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 7-14
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
    Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy
    Autorzy:
    Malag, A.
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192216.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    procesy cieplne
    rozdzielczość czasowa
    spektroskopia
    sprawność energetyczna
    laser diode
    heterostructure
    self-heating
    time resolution
    power conversion efficiency
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.
    The results of comparative investigations on 800-nm-band high-power laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design are presented. The idea of asymmetric heterostructure design is the insertion of a passive waveguide layer at the heterostructure's n-side whereby a field distribution of generated radiation shifts toward this side. Resulting decrease in free-carrier loss allows increasing of emitted radiation power by widening (perpendicular to the junction plane) of shifted optical field distribution and by laser cavity elongation. The shift of the optical field distribution toward the heterostructure n-side makes simultaneously possible a reduction of p-cladding layer thickness, which should cause a decrease of its thermal and electrical resistances. This has been confirmed by time-resolved spectroscopy measurements of transient thermal processes in laser diodes. In pulse operation, distinctly less thermal shift of lasing spectrum during the first (2 to 5) microseconds after the pulse start has been observed in asymmetric-design devices compared to symmetric ones. Such fast thermal processes can be connected only with the nearest vicinity of the active region i.e. mainly with the highly resistive p-cladding layer. Presented results show that conventional steady-state technique of thermal resistance measurements for CW operating laser diodes can sometimes lead to conclusions inconsistent with these obtained by the time-resolved spectroscopy. Possible reasons of the discrepancy are indicated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 35-60
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
    Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
    Autorzy:
    Osadchuk, Alexander. V.
    Osadchuk, Vladimir. S.
    Osadchuk, Iaroslav A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841342.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    self-oscillator
    tunneling resonant diode
    negative differential resistance
    frequency
    quantum heterostructure
    samoscylator
    tunelowa dioda rezonansowa
    ujemna rezystancja różnicowa
    częstotliwość
    heterostruktura kwantowa
    Opis:
    Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
    Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
    Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
    Autorzy:
    Osadchuk, Alexander. V.
    Osadchuk, Vladimir. S.
    Osadchuk, Iaroslav A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841376.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    self-oscillator
    tunneling resonant diode
    negative differential resistance
    frequency
    quantum heterostructure
    samoscylator
    tunelowa dioda rezonansowa
    ujemna rezystancja różnicowa
    częstotliwość
    heterostruktura kwantowa
    Opis:
    Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
    Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-13 z 13

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies