Drift-diffusion computer simulation model available in Synopsys’ Sentaurus TCAD User Guide is used to study electrical and optical characteristics of a separate-confinement heterostructure laser based on AlGaAs. We investigate the role of the width and depth of quantum-well active region, below and above the lasing threshold. The device properties depend on both, the number of bound quantum-well states and on closeness of the highest bound states to conduction or valence band offset. The lasing action may not exist at certain widths or depths of quantum-well, and the threshold current is a discontinuous function of these parameters, at such values of quantum-well width or depth when the highest quantum-well bound states cross conduction or valence band energy offset. The effects are more pronounced at low temperatures. Discontinuities in characteristics are found, at certain conditions, in temperature dependences as well. The carriers scattering time on quantum-well is shown to have a crucial role for the amplitude of discontinuities of these characteristics. The current below the lasing threshold and the threshold current density itself decrease with an increase of quantum-well scattering times and the amplitude of discontinuities decreases then as well.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00