Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diodes" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 32
Tytuł:
Diody świecące jako źródła światła
Lighting emission diodes as a new lighting source
Autorzy:
Pawlak, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180845.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
oświetlenie
diody
lighting
diodes
Opis:
W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 12; 24-27
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
Autorzy:
Sikorski, S.
Jung, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
diody Schottky'ego
modelowanie
detektory z barierą Schottky'ego
przyrządy półprzewodnikowe
Schottky diodes
modelling
Schottky barrier photodiodes
semiconductor devices
Opis:
The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
High power laser diodes - design optimisation issues
Autorzy:
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa dużej mocy
konstrukcja diod laserowych dużej mocy
optymalizacja wiązki promieniowania
high power laser diodes
high power laser diodes construction
Opis:
Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Źródło światła z matrycą diod superelektroluminescencyjnych (SLED) dla celów pomiarowych
The source of light with array of superluminescent diodes (SLED) for measurement purposes
Autorzy:
Odon, A.
Krawiecki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153056.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
stabilizowane źródła światła
diody superelektroluminescencyjne stabilizowane półprzewodnikowe źródła światła
matryce LED
stabilized source of light superluminescsent light-emitting
diodes
stabilized LED sources
Led arrays
Opis:
Zaprezentowano opis konstrukcji i zasady działania stabilizowanego źródła światła z matrycą zawierającą dziesięć szeregowo połączonych diod superluminescencyjnych (SLED) przeznaczonego dla celów pomiarowych. Dzięki zastosowaniu stabilizacji temperaturowej diod i układu regulacji z ujemnym, optycznym sprzężeniem zwrotnym uzyskano efekt stabilizacji mocy promieniowania i charakterystyki spektralnej diod superelektroluminescencyjnych.
In this paper the construction and principle of operation of a stabilized source of the light with an array made by 10 connected in series superluminescent diodes are described. By using the thermal stabilisation of the diodes and an optical feedback loop the output power level of SLEDs as well radiation spectral characteristics of SLEDs can be stabilized.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 332-335
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zasilacz diod laserowych dużej mocy o regulowanym prądzie w zakresie 0-60 A
Power supply of high-power laser diodes with regulated current in the range of 0-60 A
Autorzy:
Świderski, J.
Pichola, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210327.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
zasilanie diod laserowych
kontrola parametrów diod laserowych
power supply of laser diodes
control of diode laser parameters
Opis:
W artykule przedstawiono opracowany zasilacz diod laserowych dużej mocy wraz z układem chłodzenia umożliwiający kontrolę i sterowanie ich podstawowych parametrów. Zasilacz ten gwarantował na wyjściu prąd stabilizowany i regulowany w przedziale 0-60 A, przy napięciu nie większym niż 4 V z możliwością ograniczenia wartości maksymalnej prądu. Ponadto zasilacz ten umożliwiał: zadanie wartości prądu płynącego przez diodę, ustawienie temperatury diody w zakresie 15-30°C, monitorowanie aktualnej temperatury diody, kontrolę stanów pracy termochłodziarki i zasilacza mocy.
The paper presents the developed diode laser supply system including a cooling system. It ensures monitoring and controlling basic parameters of laser diodes. The system delivers, at its end, the stabilized and regulated current in the range of 6-60 A (by the voltage up to 4 V) with the possibility of limiting the maximum current value. Moreover, the diode laser supply provides: setting the current value flowing through a diode junction before switching-on the diode, monitoring the value of the current flowing through a diode, setting the diode temperature in the range of 15-30°C, monitoring a current temperature of a diode, control of the operating conditions of a thermo-cooler and power supply.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2008, 57, 1; 263-276
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Iprovements OLED operation due to using additional layers
Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
Autorzy:
Hotra, Z.
Volynyuk, D.
Voznyak, L.
Kostiv, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
organiczna dioda elektroluminescencyjna
dioda
warstwa transportowa
elektroluminescencja
organic light emitting diodes
hole transport layer
electroluminescent
Opis:
In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reconfigurable Antennas: the State of the Art
Autorzy:
Yashchyshyn, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226828.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
antenna arrays
reconfigurable antennas
semiconductor devices
MEMS switches
surface PIN diodes
Opis:
The paper provides an overview of the state of the art in the area of reconfigurable antennas. This emerging area has been rapidly developing in the recent years. This article brings a comprehensive summary of the high quality applied and fundamental research contributions in the above-mentioned field. A broad spectrum of topics is covered, reflecting the areas in which Institute of Radioelectronics's expertise is recognized worldwide.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 319-326
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Autorzy:
Janke, W.
Hapka, A.
Oleksy, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
Schottky diodes
static characteristics
high-temperature
Opis:
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Diody LED - odpady niebezpieczne dla środowiska
LED diodes - environmentally hazardous waste
Autorzy:
Sokołowska, W.
Karaś, A.
Zalewska, I.
Harasimowicz-Siemko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192226.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda LED
ICP-OES
FAAS
ochrona środowiska
recykling
light-emitting diodes
environmental protection
recycling
Opis:
W Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości ITME przeprowadzono analizę składu chemicznego kilku rodzajów diod LED obecnych na polskim rynku [2]. Omówiono zawartość metali kancerogennych oraz metali niebezpiecznych dla środowiska . Porównano je z rezultatami uzyskanymi w UCI (Uniwersytet Kalifornia) opisanymi w [1] i normami TTCL.
An analysis of the chemical composition of several types of light-emitting diodes available on the Polish market was conducted in the Department of High Purity Materials Characterization of ITME [2]. In the course of the analysis, the content of carcinogenic metals and environmentally hazardous metals was explored. The findings were compared with the results achieved at the University of California, Irvine, described in [1], and with TTCL standards.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 23-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of space vector modulation strategy on hybrid (Si-SiC) inverter losses
Autorzy:
Bonisławski, M.
Hołub, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/140592.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
przekształtnik hybrydowy
elektronika energetyczna
urządzenie z szeroką przerwą energetyczną
SVPWM
DPWM
power electronic inverter
SiC diodes
hybrid inverter
wide band gap devices
Opis:
This work summarizes efficiency measurement results of a full bridge, 3 phase inverter composed of state-of-the-art Si IGBT transistors and Si or SiC diodes. Different (symmetrical and discontinuous) space vector modulation strategies were chosen in order to examine their influence (together with modulation frequency) on inverter losses. Induction machine was used as load, different load points were examined. Results clearly show, that proper modulation strategy, minimizing the switching losses of semiconductor switches, can increase the overall output efficiency at about 1% in case of both silicon and hybrid constructions. The drawback of DPWM approach is connected with the decreased quality of inverter output current. Hybrid technology can also improve the output efficiency at about 1% when compared to traditional constructions, but only in case of elevated switching frequencies. At low frequencies (below 10 kHz) modern semiconductor offer comparable results at much lower device costs.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2012, 61, 1; 69-75
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
Autorzy:
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szumy RTS
dioda Schottky'ego
RTS noise
Schottky diodes
Opis:
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
Autorzy:
Przybysz, J.
Owsiński, M.
Piątek, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159769.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
półprzewodniki
tyrystory
diody
wytrzymałość zwarciowa
badania
semiconductors
thyristors
diodes
short circuit withstand
research
Opis:
W ramach prowadzonych w Instytucie Energetyki w Warszawie badań urządzeń elektroenergetycznych wykonywane są między innymi próby sprawdzania ich wytrzymałości zwarciowej. W niniejszym artykule zebrano doświadczenia uzyskane podczas badań dla elementów półprzewodnikowych dużej mocy. Przedstawiono zachowanie się obiektów wyposażonych w elementy półprzewodnikowe, między innymi podczas łączenia prądów zwarciowych w stanie pracy znamionowej i awaryjnej. Pokazano zalety stosowania takich rozwiązań oraz omówiono zasadność wykonywania badań pozwalających uzyskać charakterystyki dynamiczne wykorzystywanych elementów półprzewodnikowych. Zwrócono również uwagę na zalety wykorzystania na etapie konstruktorskim zależności przejściowej impedancji termicznej struktur półprzewodników.
Short-circuit withstand of electric power system equipment is a part of the tests carried out by Institute of Power Engineering in Warsaw. In this article we have gathered our experience gained during the research of the power semiconductor devices. It shows the behavior of devices equipped with semiconductor components during short-circuit currents flow in case of nominal and emergency operation. The advantages of such solutions and method of obtaining the dynamic characteristics of semiconductor devices were shown as well. Attention was also drawn to the advantages of the use of transient thermal impedance based on semiconductor structures during the designing stage.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 47-61
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation of the impact of the degree and type of shading on generation of electrical energy by the PV system in MATLAB&SIMULINK environment
Autorzy:
Jarmuda, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97511.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
PV system
poor shading effect
strong shading effect
bypass diodes
MATLAB environment
Opis:
In the study the method of modelling of the photovoltaic system (PV) in MATLAB & SIMULINK environment was presented along with test results of the impact of shading on the value of energy output from the photovoltaic system. The PV system model constructed of five parallel connected photovoltaic panels of TPSM6U type was proposed. Simulation tests were conducted considering the effect of poor and strong shading of panels causing differences in the density of the radiation power (irradiance) for individual panels and the PV system. The values of electrical energy generated by individual PV panels and the whole photovoltaic system were determined for the purposes of the actual forces. Optional switching on and off of the bypass diodes was considered in the photovoltaic panels. The tests were developed and final conclusions were formulated.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 454-468
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
Autorzy:
Kraśniewski, J.
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
temperature-sensitive parameter calibration curves
Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
dioda Schottky z węglika krzemu
Opis:
Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Myśliwiec, M.
Górecki, K.
Kisiel, R.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Schottky diodes
transient thermal impedance
thermal measurements
silicon carbide
packaging
Opis:
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies