Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diodes" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 32
Tytuł:
Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
Autorzy:
Kraśniewski, J.
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
temperature-sensitive parameter calibration curves
Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
dioda Schottky z węglika krzemu
Opis:
Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
C,N-cyklometalowane kompleksy irydu(III) : wydajne emitery fosforescencyjne dla organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED). Cz. 1 i 2
C,N-cyclometalated iridium(III) complexes : efficient phosphorescent emitters for organic electroluminescent diodes (OLED). Part 1 and 2
Autorzy:
Orwat, Bartosz
Kownacki, Ireneusz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1413294.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Chemiczne
Tematy:
emitery fosforescencyjne
diody elektroluminescencyjne
kompleksy irydu(III)
phosphorescent emitters
light-emitting diodes
iridium(III) complexes
Opis:
Organic electroluminescent panels have been widely available on the commercial market for several years, in the form of screens used in mobile phones, tablets, and TV sets. The display panels are produced in RGB technology, in which iridium(III) coordination compounds act as phosphorescent emitters of red and green light. Because of their high emission quantum efficiency and stability, the emitters containing 2-phenylpyridinato ligands and their derivatives have proved to be particularly useful. An interesting issue was the contrast between an extensive state of knowledge on the abovementioned compounds and a poor state of knowledge on analogous iridium(III) complexes equipped with benzo[h]quinolinato ligands. Application of the latter seemed interesting because of the similar size of benzo[h]quinoline and 2-phenylpyridine coordination pockets, but much more rigid structure and a greater degree of conjugation of the former, which could have a significant impact on the properties of complexes equipped with this type of ligand. Regarding to the above, this dissertation concerns the subject of the design and synthesis of new iridium(III) coordination compounds equipped with a benzo[h]quinoline motif, as well as the analysis of the structural changes impact on the photophysical, electroluminescent, thermal, electrochemical and spectroscopic properties of selected classes of compounds targeted for the application in OLED technology. Accordingly, the article presents the results of studies on two classes of heteroleptic of C,N-cyclometalated iridium(III) complexes, namely, of the salt type with the general formula [Ir(bzq)2(N^N)]+A-, stabilized by structurally different N,N-donating ligands, as well as neutral coordination compounds of the type [Ir(bzq)2(N^O)], bearing N,O-donating ß-ketoiminato ligands in the structure equipped with aryl moieties of various structure. The work included research on the determination of the correlation between the structure of ancillary ligand introduced into the coordination sphere of the metal and the above-mentioned properties. Additionally, based on the results of quantum-chemical calculations, work was undertaken to develop synthetic pathways enabling the incorporation to the C,N-cyclometalating benzo[h]quinoline ligand of substituents characterized by different stereo-electronic properties, enabling the modification of the emission parameters of the target complexes. In the next phase of research, the functionalized precursors of the bzq ligand were successfully used in the synthesis of binuclear complexes, key reagents in the preparation of corresponding mononuclear iridium coordination derivatives with electroluminescent properties.
Źródło:
Wiadomości Chemiczne; 2021, 75, 1-2; 163-231
0043-5104
2300-0295
Pojawia się w:
Wiadomości Chemiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Concept and implementation of adaptive road lighting concurrent with vehicles
Autorzy:
Zalewski, S.
Pracki, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200253.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
lighting technology
road lighting
lighting control
light emitting diodes
Opis:
The paper presents the authors’ concept of an adaptive road lighting that is concurrent with vehicles moving on roads. The lighting system is based on luminaires with light emitting diodes. The authors describe the operation of the adaptive road lighting system and point out benefits and limitations of the solution. The theoretical considerations are supported by an analysis of the installed and working system that was implemented at Bożeny street in Poznan, Poland. The system was also evaluated by the residents living near the street.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 6; 1117-1124
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC characteristics of the SiC Schottky diodes
Autorzy:
Janke, W.
Hapka, A.
Oleksy, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide
Schottky diodes
static characteristics
high-temperature
Opis:
The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of LED collimator for uniform illumination using two freeform lenses
Autorzy:
Zeng, J.
Li, X.
Ge, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173429.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
illumination design
lenses
light-emitting diodes
optical design
high uniformity
Opis:
Regulating the illuminance distribution of an LED collimator to produce a uniform illumination in both the near field and the far field is a challenge in illumination design. In this paper, we present an effective method for designing two separated freeform lenses to control the illuminance distribution and the direction of the rays from the LED. The first lens redistributes the ray energy, and the second one collimates them to obtain a uniform collimated illumination. According to the conservation law of energy, Snell’s law, Fermat’s law and tangent-plane iterative method, the two freeform surfaces could be calculated simultaneously. The simulation results show that the two freeform lenses can control most of rays into an angle within ±1.5° for an LED with 1 × 1 mm size. The illuminance uniformities are higher than 0.9 in both the near field and the far field.
Źródło:
Optica Applicata; 2018, 48, 3; 413-420
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Diody LED - odpady niebezpieczne dla środowiska
LED diodes - environmentally hazardous waste
Autorzy:
Sokołowska, W.
Karaś, A.
Zalewska, I.
Harasimowicz-Siemko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192226.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda LED
ICP-OES
FAAS
ochrona środowiska
recykling
light-emitting diodes
environmental protection
recycling
Opis:
W Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości ITME przeprowadzono analizę składu chemicznego kilku rodzajów diod LED obecnych na polskim rynku [2]. Omówiono zawartość metali kancerogennych oraz metali niebezpiecznych dla środowiska . Porównano je z rezultatami uzyskanymi w UCI (Uniwersytet Kalifornia) opisanymi w [1] i normami TTCL.
An analysis of the chemical composition of several types of light-emitting diodes available on the Polish market was conducted in the Department of High Purity Materials Characterization of ITME [2]. In the course of the analysis, the content of carcinogenic metals and environmentally hazardous metals was explored. The findings were compared with the results achieved at the University of California, Irvine, described in [1], and with TTCL standards.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 23-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Diody świecące jako źródła światła
Lighting emission diodes as a new lighting source
Autorzy:
Pawlak, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180845.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
oświetlenie
diody
lighting
diodes
Opis:
W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 12; 24-27
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of space vector modulation strategy on hybrid (Si-SiC) inverter losses
Autorzy:
Bonisławski, M.
Hołub, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/140592.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
przekształtnik hybrydowy
elektronika energetyczna
urządzenie z szeroką przerwą energetyczną
SVPWM
DPWM
power electronic inverter
SiC diodes
hybrid inverter
wide band gap devices
Opis:
This work summarizes efficiency measurement results of a full bridge, 3 phase inverter composed of state-of-the-art Si IGBT transistors and Si or SiC diodes. Different (symmetrical and discontinuous) space vector modulation strategies were chosen in order to examine their influence (together with modulation frequency) on inverter losses. Induction machine was used as load, different load points were examined. Results clearly show, that proper modulation strategy, minimizing the switching losses of semiconductor switches, can increase the overall output efficiency at about 1% in case of both silicon and hybrid constructions. The drawback of DPWM approach is connected with the decreased quality of inverter output current. Hybrid technology can also improve the output efficiency at about 1% when compared to traditional constructions, but only in case of elevated switching frequencies. At low frequencies (below 10 kHz) modern semiconductor offer comparable results at much lower device costs.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2012, 61, 1; 69-75
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ekologiczne rozwiązania w magazynach
Ecological solutions in warehouses
Autorzy:
Mardeusz, Ewa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818689.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
zielona logistyka
zielony magazyn
odzysk ciepła
destratyfikator powietrza
diody elektroluminescencyjne
automatyzacja magazynu
green logistics
green warehouse
heat recovery
air destratificator
light emitting diodes
warehouse automation
Opis:
W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
Źródło:
Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
2450-5870
Pojawia się w:
Journal of TransLogistics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ekologiczne rozwiązania w magazynach
Ecological solutions in warehouses
Autorzy:
Mardeusz, Ewa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818712.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
zielona logistyka
zielony magazyn
odzysk ciepła
destratyfikator powietrza
diody elektroluminescencyjne
automatyzacja magazynu
green logistics
green warehouse
heat recovery
air destratificator
light emitting diodes
warehouse automation
Opis:
W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
Źródło:
Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
2450-5870
Pojawia się w:
Journal of TransLogistics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Autorzy:
Bisewski, D.
Myśliwiec, M.
Górecki, K.
Kisiel, R.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Schottky diodes
transient thermal impedance
thermal measurements
silicon carbide
packaging
Opis:
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental evaluation of circuit board components under extreme conditions
Autorzy:
Sokół, Krzysztof
Ptak, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2106230.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
experimental test
mathematical model
semiconductor diodes
thermal chamber
WCA
Opis:
Designing products operating in harsh conditions is a challenging task. Years of experience, developed standards and good practices are crucial in achieving the intended result. The article shows a methodology for designing electronic systems based on the worst-case analysis (WCA) and comparing its outcomes with the experimental verification of an actual circuit through large-scale tests. The analysed diode-based semiconductor circuit is part of a temperature measuring system of industrial application. The objective of the design and analysis process is to achieve a reliable solution, which has all the required functionalities under actual, extreme operating conditions. The preliminary circuit design is developed using ideal components. The truth table, which represents customer requirements, is created to check the correct operation of the system. Simulation software, such as LTSpice, are used as the main tools to verify the correct functioning based on ideal or close-to-real component models. Next, based on the results of computer simulations, the WCA is conducted, considering all extreme (worst) operating environment parameters, such as, among others, ambient temperature or ageing. WCA results were verified through an experimental, large-scale measurement of the real system, with defined forward voltage as a function of the current flowing through the semiconductor at various ambient temperatures.
Źródło:
Acta Mechanica et Automatica; 2022, 16, 1; 8--15
1898-4088
2300-5319
Pojawia się w:
Acta Mechanica et Automatica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
Autorzy:
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szumy RTS
dioda Schottky'ego
RTS noise
Schottky diodes
Opis:
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Iprovements OLED operation due to using additional layers
Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
Autorzy:
Hotra, Z.
Volynyuk, D.
Voznyak, L.
Kostiv, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
organiczna dioda elektroluminescencyjna
dioda
warstwa transportowa
elektroluminescencja
organic light emitting diodes
hole transport layer
electroluminescent
Opis:
In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
Autorzy:
Sikorski, S.
Jung, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
diody Schottky'ego
modelowanie
detektory z barierą Schottky'ego
przyrządy półprzewodnikowe
Schottky diodes
modelling
Schottky barrier photodiodes
semiconductor devices
Opis:
The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies