Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "cienkie warstwy" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 32
Tytuł:
A simple semi-analytical model for the Kink effect for the intrinsic n-channel polysilico thin film transistors
Autorzy:
Siddiqui, M. J.
Qureshi, S.
Alshariff, S. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378435.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
cienkie warstwy
tranzystory
jonizacja
pole elektryczne
model analityczny
efekt Kinka
polisilikon
thin films
tranzistors
ionization
electric field
analylical model
Kink effect
polysilicon
Opis:
In order to improve the modeling of Polysilicon thin film transistors (Poly-Si-TFTs) a precise evaluation of the excess current due to impact ionization is needed. In this paper we have proposed a simple model for the excess current resulting from the impact ionization occurring at high drain biases. Model is based on the estimation of the electric field in the saturated part of the channel. The electric field in the saturated region is obtained by the solution of the two- dimensional Poisson's equation. The model is semi-analytical and uses only one fitting parameter which is desirable for circuit simulation. The simulation results with the developed impact ionization current model are in excellent agreement with the available experimental output characteristics of the intrinsic n-channel Poly-Si-TFTs.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 1; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of structural and optical properties of TiO2:(Eu, Pd) thin films deposited by magnetron sputtering
Badanie właściwości strukturalnych i optycznych cienkich warstw TiO2:(Eu, Pd) wytwarzanych metodą rozpylania magnetronowego
Autorzy:
Kaczmarek, D.
Domaradzki, J.
Prociow, E. L.
Wojcieszak, D.
Michalec, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192413.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
TiO2
cienkie warstwy
warstwa cienka
rozpylanie magnetronowe
thin films
magnetron sputteing
Opis:
In this study the results on TiO2 thin films doped with europium and palladium at the amount of 0.9 at. % and 5.8 at. % respectively have been presented. For thin films deposition the high energy (HE) magnetron sputtering method was used. Some samples were subjected to the post-processed annealing. X-Ray Diffraction (XRD) results have shown that after deposition nanocrystalline TiO2 - rutile structure was obtained. After additional annealing at 800°C average crystallites sizes increased about twofold (from 9 to 16 nm). The XRD results were confirmed using atomic force microscope. Optical properties of thin films were examined using optical transmission method. They have shown that doping with Eu and Pd has decreased the transmission level by about 15% and shifted absorption edge to the longer wavelength range (from 330 to 450 nm) compared to pure TiO2. The width of optical bandgap of TiO2:(Eu, Pd) thin film decreased to ca. 1.7 eV, i.e. twofold, when compared to 3.35 eV of undoped-TiO2. The photoluminescence results have shown that examined thin film has strong red luminescence from standard Eu3+ emission lines.
W pracy przedstawiono wyniki badań cienkich warstw TiO2 domieszkowanych europem i palladem, w ilości odpowiednio 0,9 % at. i 5,8 % at. Do nanoszenia cienkich warstw zastosowano wysokoenergetyczny proces (High Energy) rozpylania magnetronowego. Wybrane próbki poddano dodatkowemu poprocesowemu wygrzewaniu. Wyniki dyfrakcji rentgenowskiej (X-Ray Difrraction - XRD) wykazały, że bezpośrednio po naniesieniu otrzymano nanokrystaliczną warstwę TiO2 o strukturze rutylu. Po dodatkowym wygrzewaniu w temperaturze 800°C średnia wielkość krystalitów wzrosła około dwukrotnie (z 9 do 16 nm). Wyniki badań XRD zostały potwierdzone za pomocą badań wykonanych za pomocą mikroskopu sił atomowych. Właściwości optyczne cienkich warstw określono na podstawie wyników badań metodą transmisji światła. Uzyskane wyniki wykazały, że domieszkowanie Eu i Pd spowodowało spadek przezroczystości warstwy o ~ 15% i przesunięcie krawędzi absorpcji optycznej w stronę dłuższych fal (z 330 do 450 nm) w porównaniu do warstwy niedomieszkowanego TiO2. Szerokość optycznej przerwy zabronionej dla cienkiej warstwy TiO2:(Eu, Pd) po naniesieniu wynosiła 1,7 eV i była około dwukrotnie mniejsza w porównaniu do 3,35 eV dla warstwy TiO2. Wyniki badań foto-luminescencji pokazały, że badana warstwa wykazuje silną czerwoną luminescencję odpowiadającą standardowym linią emisyjnym Eu3+.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 117-127
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie cienkich warstw Ni-Fe w ekranowaniu pól elektromagnetycznych
Application of Ni-Fe thin films for shieldings of electromagnetic fields
Autorzy:
Ozimek, M.
Wilczyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159044.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
rozpylanie magnetronowe
skuteczność ekranowania
cienkie warstwy Ni-Fe
pole elektromagnetyczne
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań tłumienia promieniowania elektromagnetycznego przez cienkie warstwy Ni-Fe naniesione na włókninę polipropylenową 160 (gramatura 160 gm^-2). Magnetyczny target zamocowany na wyrzutni magnetronowej WMK-100 został rozpylony w atmosferze czystego argonu. Zbadano szybkość osadzania warstw w zależności od wybranych parametrów procesu rozpylania magnetronowego (moc wydzielona na targecie oraz ciśnienie gazu roboczego). Wykonano badania morfologii powierzchni i strukturalne za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) oraz dyfrakcji rentgenowskiej X-ray. Tłumienie promieniowania elektromagnetycznego wyznaczono w oparciu o amerykańską normę MIL-STD 285. Zakres częstotliwości roboczej zawierał się w przedziale od 300 do 1000 MHz. Stwierdzono wpływ parametrów rozpylania na skuteczność ekranowania.
In this study the results of measurement of electromagnetic wave attenuation by Ni-Fe thin films deposited on polypropylene nonwoves 160 (basis weight 160 gźm^-2) were presented. Magnetic target fitted on magnetron gun of the WMK-100 type was sputtered in pure argon atmosphere. The rates of the materials depositions were presented in regards to most important physical quantities relevant to pulse magnetron processing (power dissipated into target, flow rates of gas background). The surface morphology and microstructure were analyzed using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction. Measurements of screening attenuation were made according to the MIL-STD 285 American standard. The measurements were carried out in frequency band of 300 MHz - 1000 MHz. The influence of chosen parameters on shielding effectiveness was noticeable.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2009, 241; 39-50
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport processes in thin films induced with absorption for two aromatic hydrocarbons
Transport ładunku w cienkich warstwach indukowany absorpcją dla dwu aromatycznych węglowodorów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296454.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
warstwa p-czterofenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin film
tetracene film
p-quaterphenyl film
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may suggest injection of the charge during chemisorptions. There was observed a deep modulation of conductivity due to absorption of ethanol, this dependence suggests some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-quaterphenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia z chemisorpcją etanolu i produktów jego rozpadu termicznego skojarzoną z transferem elektronów do lub z warstwy. Właściwym do opisu transferu elektronów wydaje się być model kwantowy jednoelektronowy, rozpisany dla każdego rodzaju cząsteczki absorbatu. Wydaje się, że duża głębokość modulacji prądu oraz zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 51-31
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimension organics
Prądy wzmocnione wpływem absorpcji w cienkich warstwach niskowymiarowych związków organicznych
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296412.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
p-czterofenyl
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin films
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may approve chemisorption's mechanism with hydrogen bonding.
Kinetyka aktywacji etanolem cienkich warstw dwu niskowymiarowych przedstawicieli aligo-acenów i oligo-fenylenów (tetracen i p-kwaterfenyl) wskazuje, jako dominujący mechanizm modulacji przewodnictwa warstw, mechanizm absorbcji powierzchniowej. Zderzenia aktywne molekuł alkoholu z adsorbowanymi jonami alkoholu mogą powodować odświeżenie powierzchni absorbującej i zwiększenie szybkości kinetyki.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 23-30
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowa metoda pomiaru lepkości ultracienkich warstw polimerów
New method for measurement of viscosity of ultrathin polymeric films
Autorzy:
Jarząbek, D.
Rymuza, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157074.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
lepkość
cienkie warstwy
polimery
viscosity
ultrathin films
polymers
Opis:
W artykule przedstawiono nową, metodę pomiaru lepkości ultracienkich warstw polimerów. Polega ona na zanurzeniu w warstwie drgającej sondy pomiarowej. Na podstawie zmian częstotliwości rezonansowej oraz fazy jej drgań można wyznaczyć wartość lepkości w funkcji głębokości zanurzenia. Grubość najcieńszej przebadanej warstwy wynosiła 30 nm, a dokładność pomiaru lepkości około 10%. Otrzymane wyniki są zgodne z przewidywaniami oraz z wynikami otrzymywanymi innymi metodami. Nowa metoda pomiarowa może być przydatna w rozwoju nowych technologii takich jak proces nanoimprint lithography.
A new method of measurement viscosity of thin polymeric films is presented. The probe, which is placed on the end of the arm of the mini tuning fork (Fig. 2) is made to oscillate and than is put into the PMMA (poly(methyl methacrylate)) films. Because of the rheological properties of measured samples, the amplitude and resonant frequency are changed. Simple mathematical model of probe, which is immersed partially into a liquid and oscillates, was elaborated. Thirteen samples were examined which differed from each other by the thickness of the film and the molecular weight. The thickness of the films is from 30 nm up to 1080 nm (Tab. 1). All measured properties are depended on temperature, thickness of the film, the depth of indentation of the probe and the molecular weight of PMMA. The viscosity is lower in higher temperatures (Fig. 5) but higher with bigger molecular weight (Fig. 6). They are also lower for thicker films. The results gained from this experiment may be useful in development of nanoimprint lithography and many other branches of nanotechnology. What is more, the method gives a possibility of fast and precise measure-ment of rheological properties of many different thin films in function of temperature.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 7, 7; 697-700
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanical modelling of thin films. Stress Evolution, Degradation, Characterization
Mechaniczne modelowanie cienkich warstw
Autorzy:
Białas, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31343154.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Podstawowych Problemów Techniki PAN
Tematy:
cienkie warstwy
modelowanie cienkich warstw
mechaniczna analiza cienkich warstw
thin films
modelling of thin films
Opis:
The thesis reports the research effort aimed at the mechanical modelling of thin films. It is devoted to four particular aspects: stress development due to mechanical and thermal loadings, coating degradation due to through thickness cracking, coating delamination and, finally, mechanical characterization of thin films using non-invasive methods. The monograph consists of seven chapters. Chapter 1 is an introductory chapter, where thin films deposition methods are described. Then, failure modes observed in coatings are discussed. Since the developed modelling tools will be applied in particular to thermal barrier coatings and human skin, two final sections of the chapter introduce the reader into mechanical and material properties of TBC systems and human skin. Mathematical preliminaries is the subject of Chapter 2 of the monograph. Basics of elastic fracture mechanics of interfacial cracks are briefly presented and cohesive zone model is introduced. This model makes a basis for subsequent modelling of various types of cracks within coating systems. Chapters 3-6 report the novel part of the research and, except for the experiment described in the frst part of Chapter 4 (bending tests combined with acoustic emission technique), present an original contribution of the Author. In Chapter 3 an energy model of segmentation cracking with application to silicon oxide film is presented. Chapter 4 reports Fnite element simulation of stress development, delamination and through-thickness cracking in TBC systems. In Chapter 5 two dimensional model of frictional slip is presented and semi-analytical procedure providing delamination estimation is described. Chapter 6 presents a conceptual setup of piezoelectric sensors used for mechanical characteristic of human skin. The final Chapter 7 concludes the monograph and recapitulates the main achievements of the reported research.
Cienkie warstwy znajdują zastosowanie w wielu gałęziach techniki. Odnajdujemy je w układach scalonych, czyli w każdym komputerze. Tutaj przewodzenie ładunków elektrycznych jest w dużej mierze zależne od rodzaju powierzchni kontaktowych na granicy cienkich warstw materiałów o różnych własnościach elektrycznych i mechanicznych (Freund i Suresh [69], Lu i współpracownicy [128]). Kolejnym przykładem zastosowania cienkich warstw są pokrycia elementów turbin gazowych, na przykład ich łopatki (Evans i współpracownicy [62, 63]). Izolacja, wykonana z bardzo porowatej ceramiki o małej przewodności cieplnej, odgrywa tutaj istotną rolę, chroniąc właściwy materiał łopatki przed temperaturami znacznie przewyższającymi jego temperaturę topnienia oraz zapewniając ochronę przed czynnikami korozyjnymi. Wiąże się z tym istotny aspekt ekonomiczny, zastosowanie warstw izolacji termicznej pozwala bowiem na wydłużenie całkowitego okresu pracy turbiny oraz prowadzi do zwiększenia jej wydajności. Szczególnie materiały o zmieniających się właściwościach mechanicznych i termicznych po grubości pokrycia odgrywają coraz ważniejszą rolę w tego rodzaju zastosowaniach. Należy wymienić tutaj pokrycia wielowarstwowe (po angielsku multi-layered), gdzie zmiana cech mechanicznotermicznych jest skokowa po grubości oraz te, gdzie jest ona ciągła (Pindera i współpracownicy [161, 162]). Te drugie noszą raczej niefortunną w języku polskim nazwę materiałów gradientowych (po angielsku graded materials). Cienką warstwą jest także ludzka skóra, dlatego mechanika cienkich warstw znajduje także swoje zastosowanie w tych dziedzinach techniki lub nauki, których nazwa zaczyna się przedrostkiem bio- (Białas i Guzina [26]). W szczególności odgrywa rolę w diagnostyce komórek nowotworowych (w sensie mechanicznym są one sztywniejsze od komórek zdrowych) oraz przy produkcji sztucznej skóry (Wagner i współpracownicy [209]). Czas użytkowania elementów maszyn lub konstrukcji szczególnie narażonych na ścieranie w wyniku kontaktu z otoczeniem może być znacznie zwiększony właśnie poprzez zastosowanie na nich cienkich pokryć. Należy tutaj wymienić dyski komputerowe wykorzystujące zjawisko magnetyzmu lub sztuczne implanty bioder lub kolan (Freund i Suresh [69]). Niewielka grubość cienkich warstw odgrywa istotne znaczenie w innych gałęziach techniki. Polimerowe filmy wykorzystuje się przy produkcji laminowanych szyb - łączą one ze sobą elementy szklane (Ivanov [101], Muralidhar i współpracownicy [143]). Ten sam materiał, ale dodatkowo zbrojony włóknami, wykorzystuje się w budownictwie do wzmocnienia uszkodzonych elementów konstrukcyjnych (Cottone i Giambanco [50]). Pierwszym wnioskiem jaki nasuwa się po przejrzeniu powyższej listy jest stwierdzenie, że rolą cienkich warstw nie jest przenoszenie dużych obciążeń, powiedzielibyśmy, że nie pełnią one roli nośnej. W większości przypadków tak rzeczywiście jest, spełniają one jedynie zadanie ochronne. Mimo to, w wielu sytuacjach sam sposób ich produkcji powoduje wytworzenie dużych naprężeń początkowych, które w połączeniu z tymi, które wywołuje obciążona konstrukcja, mogą prowadzić do uszkodzenia warstwy. Najczęściej spotykane rodzaje uszkodzeń to pęknięcia po grubości lub odspajanie warstwy. Ich obecność może oznaczać całkowitą bezużyteczność elementu, który warstwa ma chronić. Konstrukcja, której rozmiar w jednym kierunku jest znacznie mniejszy niż w dwóch pozostałych to w mechanice konstrukcji płyta lub powłoka. Najważniejsza różnica, która pojawia się jednak, gdy mamy na myśli cienką warstwę polega na tym, że nie możemy tutaj pominąć materiału, który znajduje się pod nią i efektu, który on wywołuje. W wielu przypadkach nie jest nawet możliwe, aby wykonać eksperyment z samą cienką warstwą, a trudności związane są najczęściej z jej znikomą grubością. Chcąc modelować mechaniczne zachowanie się warstwy, wykorzystujemy pojęcie powierzchni kontaktowej, to jest powierzchni łączącej warstwę z podłożem. Dla tego obszaru definiujemy cechy mechaniczne, które oddają specyficzny charakter połączenia dwóch różnych materiałów warstwy i podłoża. Celem rozprawy jest opracowanie różnych metod mechanicznej analizy cienkich warstw ze szczególnym uwzględnieniem opisu stanu naprężenia, wywołanego nim rozwoju uszkodzeń (pękanie po grubości warstwy oraz jej odspajanie) oraz identyfikacji cech mechanicznych warstwy. Przyjęte modelowanie opiera się o mechanikę kontynualną ciała stałego i nie uwzględnia efektów wywołanych explicite analizą ziaren, dyslokacji lub wtrąceń obecnych w cienkim filmie. Typowy rząd grubości warstw omawianych w pracy to 0.5 žm - 2 mm. Jedynie proces pękania segmentacyjnego opisany w Rozdziale 3 dotyczy warstw znacznie cieńszych, o grubości 30-660 nm. Oryginalne aspekty prezentowanej rozprawy to: - zastosowanie energetycznego modelu pękania segmentacyjnego do opisu zjawisk zachodzących w warstwie tlenku krzemu na podłożu polimerowym; - wyjaśnienie wpływu naprężeń wstępnych na proces pękania segmentacyjnego w tym przypadku; - ilościowa analiza procesu rozwoju spękań po grubości warstwy izolacji termicznej; - wykazanie istotności wielkości kroku obciążenia w analizie metodą elementów skończonych procesu rozwoju dużej liczby nie połączonych ze sobą spękań; sformułowanie wskazówek praktycznych zezwalających na uniknięcie problemów ze zbieżnością obliczeń; - analiza głównych czynników decydujących o rozwoju stanu naprężenia w warstwach izolacji termicznej i podanie hipotetycznego scenariusza opisującego proces delaminacji tych warstw; - sformułowanie metody pozwalającej na pół-analityczne oszacowanie procesu dwuwymiarowego poślizgu ciernego warstwy na sztywnym podłożu; - wyprowadzenie prostych wzorów opisujących kształt strefy zdelaminowanej oraz proces delaminacji sztywnej warstwy ze sztywnego podłoża; - koncepcyjne sformułowanie zasad działania czujnika piezoelektrycznego pozwalającego na pomiar sprzężonych modułów sprężystych wielowarstwowego materiału; - sformułowanie praktycznych wskazówek służących zwiększeniu efektywności działania zaproponowanego czujnika.
Źródło:
IPPT Reports on Fundamental Technological Research; 2012, 1; 3-238
2299-3657
Pojawia się w:
IPPT Reports on Fundamental Technological Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Space-charge-limited currents as an indicator of non-uniform charge traps distribution in thin film dielectrics: numerical solutions
Prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym jako wskaźnik przestrzennie niejednorodnego rozkładu pułapek w cienkich warstwach dielektryków: rozwiązania numeryczne
Autorzy:
Bąk, G. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296534.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
warstwy cienkie
pułapka ładunkowa
space charge limited currents
thin films
charge traps
Opis:
Space charge limited currents in inhomogeneous thin film insulating systems are studied by means of numerical methods. Calculations for two spatial distribution of traps are presented. The results confirm that the influence of charge traps at the emitter is much stronger than those at the collector. The case of illumination of the emitter is also analyzed. It turns out that it is possible to find the valued of parameter describing the exponential decay of trap distribution at the emitter and the surface trap concentration for the case of illuminated sample. The paper summarizes the data concerning possibility of determination of trap distribution at the emitter in thin film insulators using photo-enhanced space-charge-limited current measurements.
Przedmiotem pracy jest numeryczna analiza prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym w niejednorodnych układach cienkowarstwowych. Przedstawiono wyniki obliczeń dla dwu przestrzennych rozkładów pułapek. Potwierdzono, że wpływ pułapek przy emiterze jest znacznie większy niż tych przy kolektorze. Pokazano, że stosując fotowzmocnione prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym, można niezależnie wyznaczyć wartości stałej zaniku koncentracji pułapek i ich powierzchniowej koncentracji. Praca podsumowuje wyniki dotyczące możliwości wyznaczenia parametrów niejednorodnego rozkładu pułapek w układach cienkowarstwowych.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 19-29
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości fizyko-chemiczne cienkich warstw ZnO-In-O
Pysical and chemical properties thin films ZnO-In-O
Autorzy:
Ziaja, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159643.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
rozpylanie magnetronowe
cienkie warstwy
cynk
ind
magnetron sputtering
thin fims
zinc
indium
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości elektrycznych cienkich warstw tlenkowych Zn-In-O. Warstwy te otrzymano metodą impulsowego rozpylania magnetronowego metalicznego targetu o składzie wagowym 80%Zn-20%In w obecności czystego argonu. Przedstawiono wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny i mikrostrukturę uzyskanych warstw. Częstotliwość grupową zmieniano od 50 Hz do 4,5 KHz. Ciśnienie gazu roboczego ustalono na poziomie 1,3 Pa, a moc wydzieloną na elektrodzie podczas procesu rozpylania na poziomie 200 W. Warstwy tlenkowe do badań mikroskopowych nakładano na podłoża szklane typu CORNIG, a do badań elektrycznych na podłoża szklane z naniesioną przewodzącą warstwę tlenku cyny i indu (ITO). Badania prądów resorpcji i absorbcji wykazały, że w warstwach istnieje ładunek elektryczny wprowadzony podczas procesu rozpylania. Stwierdzono również wpływ częstotliwości grupowej na skład chemiczny uzyskanych warstw. Wykazano, że ze zwiększeniem częstotliwości grupowej zwiększa się liczba i rozmiar skupisk metalicznego indu.
The paper presents the results of the electrical properties of the oxide layers Zn-In-O. These layers were obtained by pulsed magnetron sputtering of metallic targetu composition by weight 80% Zn – 20% In the presents of pure argon. The influence of group frequency on the chemical composition and microstructure of the obtained layers. Frequency group varied from 50 Hz to 4.5 KHz. Working gas pressere was set at 1.3 Pa and the power of a dedicated process on the electroce sputtering at 200 W. Oxaide layers for microscopic examination was applied to a gass substrate CORNING, and electrical testing on glass substrates coated with a coductive layer of tin oxide and indium (ITO). Studies of bone resorption and absorption currents have shown that i the layers is the electric charge introdiuced during the sputtering process. It was also influenced by the frequencey of group on the chemical composition of the layers obtained. I was shown that an increase in the frequencey of group increases the number and size of cluster of large numbers of indium matal.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 49-50
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High rate deposition of thin film compounds - modeling of reactive magnetron sputtering process
Wydajne osadzanie cienkich warstw związków chemicznych – modelowanie procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego
Autorzy:
Tadaszak, K.
Paprocki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159030.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
reactive magnetron sputtering
thin films
modeling of magnetron sputering
reaktywne rozpylanie magnetronowe
cienkie warstwy
model procesu rozpylania
Opis:
Deposition of compound thin films with reactive magnetron sputtering method causes a lot of difficulties, of which the main ones are the instability of the process and decrease of the deposition rate. Computer simulations were performed using Berg’s model assumptions. Firstly, effect of basic process parameters on aluminum oxide deposition was examined, also theoretical characteristics of the deposition of Al2O3, AlN, TiO2, TiN were compared. Next, the parameters for efficient deposition of titanium oxide were determined. Simulations were confirmed by the results of experimental work. The purpose of presented work was to define, with Berg’s model, mechanisms which enable deposition, in metallic mode of magnetron work, of oxides with properties near to stochiometric. Presented analysis results were compared to real process parameters observed during reactive sputtering .
Osadzanie cienkich warstw związków metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego sprawia wiele trudności, spośród których głównymi są niestabilność procesu i spadek szybkości osadzania. Komputerowe symulacje wykonano wykorzystując założenia modelu Berga. W pierwszej kolejności sprawdzono wpływ podstawowych parametrów procesu na osadzanie tlenku glinu. Porównano również teoretyczne charakte-rystyki osadzania Al2O3, AlN, TiO2, TiN. Następnie określono parametry umożliwiające wydajne osadzanie tlenku tytanu. Symulacje potwierdzono wynikami prac eksperymentalnych. Głównym celem pracy była próba określenia mechanizmów umożliwiających osadzanie w modzie metalicznym tlenków o właściwościach zbliżonych do warstw o składzie stechio-metrycznym.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2013, 263; 95-104
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ablacja polikryształów CR2TE3 z wykorzystaniem lasera ND3+:YAG
Ablation of CR2TE3 crystal by ND3+:YAG laser
Autorzy:
Wisz, G.
Barwiński, M.
Sagan, P.
Kuźma, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408356.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
ablacja laserowa
cienkie warstwy
mikroskopia elektronowa
laser ablation
thin films
electron microscopy
Opis:
W pracy badano proces laserowej ablacji Cr2Te3: dla potrzeb nanoszenia cienkich warstw tego materiału metodą impulsowego osadzania laserowego (PLD). Target przygotowano w formie sprasowanej pastylki z proszkowego Cr2Te3 domieszkowanego proszkowym Zn. Do odparowania tarczy zastosowano promieniowanie lasera ND3+:YAG o długości impulsu 20 ns i gęstości energii 16 J/cm2 oraz 34 J/cm2. Metodą EDX zbadano skład powierzchni targetu po ablacji. Stwierdzono nadmiar chromu co wskazuje na jego słabą desorpcję przy zastosowanych parametrach ablacji.
In the paper, the process of laser ablation of Cr2Te3 has been studied in the respect of its application to thin solid films deposition of this material in the pulsed laser deposition (PLD) technology. Target has been prepared in the shape of pressed tablet from powder Cr2Te3. The energy density of the ND3+:YAG laser beam were 16 J/cm2 and 34 J/cm2 and the time of laser pulse was 20 ns. The composition of the surface layer of the target after ablation has been measured using EDX method. The excess of chromium in respect to it amount in initial composition has been measured. This result points on the weak desorption of this component at the ablation parameters applied.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 3; 27-30
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rozwój cienkowarstwowych ogniw fotowoltaicznych
Thin film photovoltaic solar cells development
Autorzy:
Marszałek, K.
Stapiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160247.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
fotowoltaika
cienkie warstwy
ogniwa słoneczne
photovoltaics
thin films
solar cells
Opis:
Fotowoltaika cienkowarstwowa jest jednym z najbardziej dynamicznie rozwijających się obszarów techniki ostatnich lat. W artykule przedstawiono rozwój ogniw fotowoltaicznych, w szczególności drugiej i trzeciej generacji, oraz zmiany, jakie się dokonują w produkcji paneli fotowoltaicznych z korzyścią dla paneli cienkowarstwowych. Opisano również szereg elementów cienkowarstwowych, będących elementem paneli fotowoltaicznych, w znaczący sposób wpływających na podstawowy parametr służący do oceny jakości ogniwa, jakim jest jego efektywność, jak również zmiany, jakie następują w rodzaju podłoży, będących elementami nośnymi każdej ze struktur cienkowarstwowych. Przedstawiono wpływ, jaki mają elektrody przewodzące, pasywacyjne, czy antyrefleksyjne na wydajność panelu fotowoltaicznego.
Thin film photovoltaics is one of the fastest growing industrial field in the last few years. The development of the second and third generation of the solar cells is presented in this work, especially changes and a fast growing production of the thin film panels. All other thin film components which influenced the efficiency of solar panels are presented as well as the changes in substrates for thin film solar cell technology. The influence of the conductive transparent electrodes, passivation and antireflective films on efficiency of the solar panel is shown.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 266; 199-206
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of metal surfaces coated with europium-doped titanium dioxide by laser induced breakdown spectroscopy
Autorzy:
Głogocka, D.
Noculak, A.
Pucińska, J.
Jopek, W.
Podbielska, H.
Langner, M.
Przybyło, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/306866.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
europ
tytan
LIBS
jakość
kompozycja
cienkie warstwy
europium
titanum
quality
composition
thin layers
Opis:
The surface passivation with titanium sol-gel coatings is a frequently used technique to control the adsorption of selected biological macromolecules and to reduce the exposure of the bulk material to biological matter. Due to the increasing number of new coating-preparation methods and new gel compositions with various types of additives, the quality and homogeneity determination of the surface covering is a critical factor affecting performance of any implanted material. While coating thickness is easy to determine, the homogeneity of the surface distribution of coating materials requires more elaborate methodologies. In the paper, the laser induced breakdown spectroscopy (LIBS) based method, capable to quantitate the homogeneity and uniformity of the europium in titanium dioxide sol-gel coatings on stainless steel surfaces prepared with two different procedures: spin-coating and dip-coating, is presented. The emission intensity of titanium has been used to determine the coating thickness whereas the relative values of europium and titanium emission intensities provide data on the coating homogeneity. The obtained results show that the spin-coating technique provides better surface coverage with titanium dioxide. However, when the surface coating compositions were compared the dip-coating technique was more reliable.
Źródło:
Acta of Bioengineering and Biomechanics; 2015, 17, 3; 33-40
1509-409X
2450-6303
Pojawia się w:
Acta of Bioengineering and Biomechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Improved Photovoltaic Properties Of Dye-Sensitized Solar Cells Using Laser Patterned F-Doped SnO2 Thin Films
Poprawa właściwości fotowoltaicznych ogniw słonecznych uczulonych barwnikiem przez laserową modyfikację powierzchni cienkich warstw SnO2
Autorzy:
An, H.-R.
An, H.
Riu, D.-H.
Ahn, H. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353636.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
dye-sensitized solar cells
F-doped SnO2 thin films
surface morphology
laser patterning
fotowoltaniczne ogniwa słoneczne
cienkie warstwy SnO2
morfologia powierzchni
modyfikacja laserowa
Opis:
We modified the surfaces of F-doped SnO2 thin films using laser patterning to improve the photovoltaic properties of dye-sensitized solar cells. To do so, we varied the laser power density and the distance between laser-patterned lines. First, we investigated three power densities. Higher densities led to higher sheet resistances owing to increases in surface roughnesses. The lowest power density increased surface roughness without electrical degradation. Next, we explored three line spacings at a fixed power density. The films with the narrowest spacing exhibited the highest power conversion efficiency (~7.00%), the highest short-circuit photocurrent density (16.28 mA/cm2), and a good fill factor (58.82%).
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2B; 1241-1245
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Internal Friction and Youngs Modulus Measurements on SiO2 and Ta2O5 Films Done with an Ultra-High Q Silicon-Wafer Suspension
Badania tarcia wewnętrznego i modułu Younga w warstwach SiO2 i Ta2O5 przeprowadzone w układzie zawierającym mocowanie próbki w postaci wafli krzemowych, które charakteryzuje się skrajnie wysoką wartością parametru Q
Autorzy:
Granata, M.
Balzarini, L.
Degallaix, J.
Dolique, V.
Flaminio, R.
Forest, D.
Hofman, D.
Michel, C.
Pedurand, R.
Pinard, L.
Sassolas, B.
Straniero, N.
Teillon, J.
Cagnoli, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355448.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ultra low loss suspensions
Q measurements
optical dielectric coatings
silica
tantala Ta2O5
thin films
niskie straty układu zawieszenia
pomiar Q
optyczne powłoki dielektryczne
krzemionka
tantal Ta2O5
cienkie warstwy
Opis:
In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 365-370
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies