Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "cell layer" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Właściwości przeciwzużyciowe amorficznych warstw a-Si:C:H stosowanych w ogniwach fotowoltaicznych
    Antiwear properties of amorphous a-Si:C:H layers on photovoltaic cells
    Autorzy:
    Zimowski, S.
    Swatowska, B.
    Rakowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/188016.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    warstwa przeciwzużyciowa
    ścieranie
    zarysowanie
    ogniwo fotowoltaiczne
    antiwear layer
    abrasion
    scratch
    photovoltaic cell
    Opis:
    Amorficzne uwodornione warstwy na bazie krzemu i węgla a-Si:C:H pełnią rolę warstw antyrefleksyjnych w ogniwach fotowoltaicznych. Warstwy o grubości rzędu 100 nm zostały osadzone niskotemperaturową techniką PECVD na podłożach z krzemu monokrystalicznego i multikrystalicznego. Analiza składu chemicznego metodą spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni FTIR potwierdza obecność dużej ilości wiązań wodorowych w strukturze warstw. Przyczepność warstw do obydwu typów podłoży określono na podstawie testów zarysowania. Odporność na zużycie wyznaczono w teście tribologicznym w styku kula Al2O3–tarcza. Nałożenie warstwy a-Si:C:H obniża współczynnik tarcia do ok. 0,1 i zwiększa odporność na zużycie ok. 4 razy w stosunku do krzemu monokrystalicznego bez powłoki i w mniejszym stopniu w stosunku do krzemu multikrystalicznego.
    The amorphous hydrogenated silicon–carbon (a-Si:C:H) layers have been applied as the antireflective coating (ARC) in solar cells. The layers of 100 nm thickness were obtained on multi-crystalline (multi Si) and mono-crystalline (mono-Si) silicon substrates by the PECVD method. Microscopic analyses (SEM) of a-Si:C:H on mono-Si confirm the homogeneity of the layer and the uniformity and flatness of their surfaces. The FTIR data indicate that the a-Si:C:H layers are hydrogen rich. Hydrogen present in the layers may have passive defects in multi-Si. The adherence of the layers to the both substrates was examined by a scratch test. The resistance to abrasion was determined in ball-on-disc tests. The wear resistance and friction coefficient of these layers are dependent on the geometrical structure of the silicon wafers surface. The a-Si:C:H layers considerably increase (4 times) the wear resistance of the mono-crystalline silicon substrates and slightly the multi-crystalline silicon one. As they exhibit antiwear properties, they may also be applied as a protective layer for silicon solar cells.
    Źródło:
    Tribologia; 2010, 3; 263-273
    0208-7774
    Pojawia się w:
    Tribologia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The 3D simulation model for growth and cell divisions applied to the surface layer of cells of the shoot apex
    Autorzy:
    Nakielski, J.
    Kucypera, K.
    Piekarska-Stachowiak, A.
    Lipowczan, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/80257.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    conference
    simulation model
    3D model
    cell division
    growth
    superficial layer
    cell
    statistical analysis
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 3
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The untapped potential of plant thin cell layers
    Autorzy:
    Teixeira da Silva, J.
    Altamura, M.M.
    Dobranszki, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1984.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Ogrodnictwa
    Tematy:
    cell layer
    thin cell layer
    monocotyledonous plant
    dicotyledonous plant
    model plant
    organogenesis
    plant biotechnology
    Źródło:
    Journal of Horticultural Research; 2015, 23, 2
    2300-5009
    Pojawia się w:
    Journal of Horticultural Research
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structural and Transportation Properties of Strontium Titanate Composites with Ion Conductive Oxides
    Właściwości strukturalne i transportowe kompozytów tytanianu strontu z tlenkami przewodzącymi jonowo
    Autorzy:
    Bochentyn, B
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397657.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    ENERGA
    Tematy:
    solid oxide fuel cell
    anode
    functional layer
    tlenkowe ogniwa paliwowe
    anoda
    warstwa funkcjonalna
    Opis:
    This paper has been written based on the author’s doctoral dissertation “Structural and transportation properties of strontium and titanate composites with ion conductive oxides”, prepared under the supervision of Prof. Dr. Hab. Eng. Bogusław Kusz at the Department of Solid State Physics of Gdańsk University of Technology. It reports the idea of the thesis and conclusions from the study. Niobium doped strontium titanate (Sr(Ti,Nb)O3) composites with selected ion conductive oxides (yttrium oxide-stabilized zirconium oxide YSZ and cerium oxide CeO2) were developed for the dissertation and their properties examined.. It was shown that Sr(Ti,Nb)O3-YSZ composite as the anode in an oxide fuel cell leads to its improved performance compared to a cell with a singlephase Sr(Ti,Nb)O3 anode. Microscopic observation confirmed that Sr(Ti,Nb)O3-YSZ composite as the functional layer between a Sr(Ti,Nb)O3 anode and YSZ electrolyte mitigates the problem of the composite anode’s delamination from the electrolyte surface. It was also shown that an appropriate modification of the Sr(Ti,Nb)O3-YSZ composite anode surface structure by infusing the process of hydrogen’s electrochemical oxidation with a catalyst (e.g. with nickel) can lead to further improvement of the fuel cell performance.
    Artykuł napisano na podstawie rozprawy doktorskiej autorki pt. „Właściwości strukturalne i transportowe kompozytów tytanianu strontu z tlenkami przewodzącymi jonowo”, przygotowaną pod nadzorem prof. dr. hab. inż. Bogusława Kusza w Katedrze Fizyki Ciała Stałego Politechniki Gdańskiej. Prezentuje on ideę pracy doktorskiej oraz wnioski wynikające z przeprowadzonych badań. W pracy doktorskiej wytworzono i zbadano właściwości kompozytów tytanianu strontu domieszkowanego niobem (Sr(Ti,Nb)O3) z wybranymi tlenkami przewodzącymi jonowo (tlenek cyrkonu stabilizowany tlenkiem itru – YSZ, tlenek ceru – CeO2). Wykazano, że zastosowanie kompozytu Sr(Ti,Nb)O3-YSZ jako anody prowadzi do poprawy parametrów pracy tlenkowego ogniwa paliwowego w stosunku do ogniwa z anodą 1-fazową Sr(Ti,Nb)O3. Obserwacje mikroskopowe potwierdziły, że zastosowanie kompozytu Sr(Ti,Nb)O3-YSZ jako warstwy funkcjonalnej między anodą Sr(Ti,Nb)O3 i elektrolitem YSZ ogranicza problem delaminacji anody kompozytowej z powierzchni elektrolitu. Wykazano również, że odpowiednia modyfikacja struktury powierzchniowej anody kompozytowej Sr(Ti,Nb)O3-YSZ poprzez nasączanie katalizatorami procesu elektrochemicznego utleniania wodoru (np. niklem) może prowadzić do dalszej poprawy parametrów pracy ogniwa paliwowego.
    Źródło:
    Acta Energetica; 2016, 2; 20-27
    2300-3022
    Pojawia się w:
    Acta Energetica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania nad technologią otrzymywania cienkich warstw emitera metodą rozpylania magnetronowego dla zastosowań w ogniwach CIGS
    Research on the technology of obtaining thin layers of emitter in CIGS photovoltaic cells by using magnetron sputtering process
    Autorzy:
    Pietraszek, J.
    Gułkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/105005.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    CIGS
    CdS
    warstwa buforowa
    ogniwa fotowoltaiczne
    kąpiel chemiczna
    CBD
    rozpylanie magnetronowe
    ogniwa cienkowarstwowe
    buffer layer
    photovoltaic cells
    chemical bath deposition
    magnetron sputtering
    thin film cell
    Opis:
    Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne wykonane na bazie struktury CIGS (mieszaniny pierwiastków miedzi, indu, galu oraz selenu) należą do II generacji ogniw fotowoltaicznych. Wykazują one efektywność na poziomie zbliżonym do ogniw I generacji, lecz ze względu na niższe zużycie materiału, coraz częściej wypierają z rynku ogniwa krzemowe Artykuł przedstawia rezultaty badań dotyczących sposobu otrzymywania warstwy buforowej CdS (siarczku kadmu), zastosowanej w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS. Przyjęto dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli chemicznej (CBD– Chemical Bath Deposition). Struktura ta powinna posiadać odpowiednią wielkość przerwy energetycznej, która pozwali na większą absorpcję fotonów, a także wymaga się, aby była cienka (mniej niż 100 nm) i jednolita. Warstwy CdS zostały nałożone przez osadzanie w kąpieli chemicznej CBD na szklanych podłożach pokrytych Mo/CIGS (naniesione warstwy metodą sputteringu magnetronowego). Uzyskano dzięki temu warstwę emitera o grubości 80 nm po czasie osadzania 35 minut. Dla porównania warstwy CdS zostały nałożone poprzez sputtering magnetronowy na podłożu Mo/CIGS, uzyskanym tą samą metodą. Następnie oba rozwiązania zostały przebadane pod względem morfologii powierzchni na elektronowym mikroskopie skaningowym, jak również przeprowadzono analizy składu pierwiastkowego warstw. Zarówno jedna, jak i druga metoda prowadzi do otrzymania warstwy emitera CdS dla zastosowań w ogniwach CIGS.
    Thin-film photovoltaic cells created based on the structure of CIGS (a mixture of the elements copper, indium, gallium and selenium) belong to the second generation of photovoltaic cells. They show the effectiveness of a level similar to the cells of the first generation, but due to lower material consumption, they increasingly forcing out silicon solar cells. The article presents the results of research of the method for obtaining a CdS buffer layer, used in thin-film CIGS photovoltaic cells. Two technology solutions of application were adopted: layer of CdS window obtained by the magnetron sputtering and layer of CdS obtained by chemical method (CBD- Chemical Bath Deposition). CdS layer has been imposed by the deposition in the chemical bath on glass substrates covered with Mo/CIGS (layers applied by magnetron sputtering). Allowing an emitter layer having a thickness of 80 cm after 35 minutes of deposition time. For comparison, a CdS layer was applied by magnetron sputtering on the substrate Mo/CIGS obtained by the same method. Subsequently, both solutions were examined in the SEM microscope to check the surface morphology, and also to analysis the elemental composition of the layers. Both methods leads to receive CdS emitter layer for use in CIGS cells.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 1; 173-180
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characteristics of GZO/IZO Dual-Layer as an Electron Transport Layer in Dye-Sensitized Solar Cell
    Autorzy:
    Manzari Tavakoli, M. H.
    Ahmadi, M.
    Sabet, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353232.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    dual-layer
    sol-gel
    spin coating
    thin film
    GIZO
    solar cell
    Opis:
    GZO/IZO semiconductor thin films were prepared on the ITO substrate via sol-gel spin coating method for using in the dye-sensitized solar cells (DSSCs). For this purpose, GZO and IZO thin films were optimized by the percentage of doping gallium and indium in zinc oxide and were studied their electrical, optical and structural properties. After that, the layers with the best performance were selected for use in the DSSCs. The concentration of all solutions for spin coating processes was 0.1 M and zinc oxide has been doped with gallium and indium, with different doping percentages (0, 0.5, 1, 2 and 4 volume percentage). So, by studying the properties of the fabricated thin films, it was found the films with 0.5%GZO and 0.5%IZO have the best performance and hence, the optimized dual-layer (0.5% GZO/0.5% IZO (GIZO)) were prepared and studied their electrical and optical properties. The synthesized optimized dual-layer film was successfully used as the working electrode for dye-sensitized solar cells. The sample with 0.5%IZO shows the 9.1 mA/cm2 short-circuit current density, 0.52 V open circuit voltage, 63% fill factor and 2.98% efficiency.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 4; 1609-1614
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of RF Magnetron Sputtered Nickel Oxide Thin Films as an Anode Buffer Layer in a P₃HT:PCBM Bulk Hetero-Junction Solar Cells
    Autorzy:
    Kim, Jwayeon
    Ko, Yongkyu
    Park, Kyeongsoon
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1031015.pdf
    Data publikacji:
    2018-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    P₃HT:PCBM bulk heterojunction solar cell NiO anode buffer layer
    PEDOT:PSS anode buffer layer
    Opis:
    Bulk heterojunction solar cells were investigated using poly(3-hexylthiophene) (P₃HT):[6,6]-phenyl-C₆₁ butyric acid methyl ester (PCBM) with a nickel oxide (NiO) anode buffer layer between the photoactive layer and an indium tin oxide (ITO) anode layer. The NiO anode buffer layer was deposited using radio frequency magnetron sputtering on an ITO electrode layer for effective hole transport and electron blocking. The NiO film is a p-type semiconductor with resistivity of 0.35 Ω cm. The power conversion efficiency was improved substantially by the NiO anode buffer layer compared to a solar cell with an anode buffer layer made from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT):poly(styrene sulfonate) (PSS). The solar cell with a 10 nm thick NiO anode buffer layer had a power conversion efficiency of 4.71%. These results are explained by the improved charge transport across the interface between the active layer and ITO electrode.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 887-891
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Recent advances and novelties in the thin cell layer-based plant biotechnology – a mini-review
    Autorzy:
    Da Silva, J.A.T.
    Dobranszki, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/80834.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    thin cell layer
    fruit
    vegetable
    in vitro culture
    micropropagation
    organogenesis
    somatic embryogenesis
    plant biotechnology
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2019, 100, 1
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Morphology of an ITO recombination layer deposited on a silicon wire texture for potential silicon/perovskite tandem solar cell applications
    Autorzy:
    Kulesza-Matlak, Grazyna
    Szindler, Marek
    Szindler, Magdalena M.
    Sypien, Anna
    Major, Lukasz
    Drabczyk, Kazimierz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27315696.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    tandem solar cell
    silicon nanowires
    MAE etching
    ITO
    recombination layer
    Opis:
    This paper presents research on the deposition of an indium tin oxide (ITO) layer which may act as a recombination layer in a silicon/perovskite tandem solar cell. ITO was deposited by magnetron sputtering on a highly porous surface of silicon etched by the metal-assisted etching method (MAE) for texturing as nano and microwires. The homogeneity of the ITO layer and the degree of coverage of the silicon wires were assessed using electron microscopy imaging techniques. The quality of the deposited layer was specified, and problems related to both the presence of a porous substrate and the deposition method were determined. The presence of a characteristic structure of the deposited ITO layer resembling a "match" in shape was demonstrated. Due to the specificity of the porous layer of silicon wires, the ITO layer should not exceed 80 nm. Additionally, to avoid differences in ITO thickness at the top and base of the silicon wire, the layer should be no thicker than 40 nm for the given deposition parameters.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, 4; art. no. e148222
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies